Si-Wafer 8 Zoll N-Typ P-Typ<111><100><110> SSP DSP Prime-Grad Dummy-Grad

Produkt-Beschreibung

Si-Wafer 8 Zoll N-Typ P-Typ<111><100><110> SSP DSP Prime-Grad Dummy-Grad

Produktübersicht: 8-Zoll-Silizium-Wafer

Siliconwafer sind das Rückgrat der Halbleiterindustrie und dienen als grundlegendes Substrat für integrierte Schaltungen, Mikrochips und verschiedene elektronische Komponenten.8 Zoll (200 mm) starke Siliziumwaferist ein erstklassiges Produkt, das auf die hohen Anforderungen von Hochleistungs-Anwendungen ausgelegt ist.Czochralski (CZ) Kristallwachstumstechnologie, um eine höhere Qualität und Konsistenz zu gewährleisten.< 100>, einseitig poliert (SSP) oder doppelseitig poliert (DSP) undP-Doping mit Bor, sind diese Wafer ideal für den Einsatz als Halbleitermaterialien in Spitzentechnologien.

1.Material und Herstellung

1.1 Einkristallisiertes Silizium

Das 8-Zoll-Wafer ist aus hochreinem Einzelkristallsilizium hergestellt.Gewährleistung einer hervorragenden Gleichförmigkeit der Kristallstruktur und minimale GitterfehlerDieses Verfahren gewährleistet die Zuverlässigkeit der Wafer bei hochpräzisen elektronischen Anwendungen.

1.2 Qualität von höchster Qualität

Silikonwafer der besten Qualität stellen den höchsten Qualitätsstandard in der Halbleiterindustrie dar.Diese Wafer werden strengen Prüfungen und strengen Qualitätskontrollen unterzogen, um ihre Eignung für kritische Fertigungsprozesse zu gewährleistenZu den Merkmalen von Oberklasse-Wafern gehören:

• Extrem geringe Partikelkontamination.
• Außergewöhnliche Oberflächenflächigkeit und minimale Rauheit.
• Hohe Einheitlichkeit der Widerstandsfähigkeit und Fehlerkontrolle.

2.Schlüsselmerkmale

3.Der Wert der Verbrennungsmenge ist zu messen.

Die <100> Kristallorientierung ist eine der am häufigsten verwendeten Orientierungen in der Halbleiterindustrie aufgrund ihrer isotropen Ätzeigenschaften und einheitlichen mechanischen Eigenschaften.Diese Ausrichtung ermöglicht es dem Wafer, eine gleichbleibende Leistung bei Prozessen wie chemischem Ätzen zu bieten, Ionenimplantation und Oxidation.

4.P-Silikon mit Bor-Dopant

Die Bezeichnung "P-Typ" bedeutet, dass die Wafer mitBor, ein Element der Gruppe III, das als Hauptladungsträger "Löcher" erzeugt.und ergänzende Metall-Oxid-Halbleiter-Technologie (CMOS).

Zu den wichtigsten Vorteilen des P-Doping gehören:

• Stabile elektrische Leistung unter einem breiten Temperaturbereich.
• Hohe Kompatibilität mit Standardprozessen der Halbleiterherstellung.

5.Oberflächenbearbeitung: SSP und DSP

5.1 Einseitig poliert (SSP)

• Für Anwendungen verwendet, bei denen nur eine Oberfläche ein hohes Maß an Glattigkeit und Flachheit erfordert.
• Die unpolierte Seite behält eine natürliche Textur, die für spezielle Handhabungs- oder Klebeanforderungen nützlich ist.
• Häufig in MEMS, Sensoren und Testwafern verwendet.

5.2 doppelseitig poliert (DSP)

• Beide Seiten der Wafer werden poliert, um eine außergewöhnlich glatte Oberfläche mit geringer Rauheit (Ra < 0,3 nm) zu erzielen.
• Für hochpräzise Prozesse wie Lithographie und Dünnschicht-Ablagerung unabdingbar.
• Gewährleistet eine minimale Belastung und Verformung während der Herstellung, so dass es für die fortschrittliche Mikroelektronik geeignet ist.

6.Thermische und mechanische Eigenschaften

Die 8-Zoll-Wafer weisen ausgezeichnete thermische und mechanische Eigenschaften auf, die für die in der Halbleiterherstellung üblichen Hochtemperaturprozesse von entscheidender Bedeutung sind:

• Hohe thermische Stabilität:Der geringe Wärmeausdehnungskoeffizient sorgt für eine hohe Stabilität der Abmessungen bei Glühen oder schnellen thermischen Prozessen.
• Mechanische Festigkeit:Hochwertiges Silizium, das in der Zentralafrika angebaut wurde, hält körperlichen Belastungen während der Handhabung und Herstellung stand.

7.Anwendungen

Die 8-Zoll-Prime-Grade-Silizium-Wafer ist vielseitig und bietet eine breite Palette von Anwendungen in der Halbleiter- und Elektronikindustrie:

7.1 Halbleitergeräte

• CMOS-Technologie:bildet das Grundmaterial für die meisten integrierten Schaltungen, einschließlich Prozessoren und Speichergeräten.
• Leistungseinrichtungen:Ideal für die Herstellung von Leistungstransistoren, Dioden und IGBTs aufgrund seiner stabilen elektrischen Eigenschaften.

7.2 MEMS (mikroelektromechanische Systeme)

Die präzise Oberflächenveredelung und Kristallorientierung machen diese Wafer perfekt für MEMS-Geräte wie Beschleunigungsmessgeräte, Gyroskope und Drucksensoren.

7.3 Photonik und Optoelektronik

Die Wafer werden in photonischen Anwendungen wie optischen Sensoren, Leuchtdioden (LEDs) und Photovoltaikzellen verwendet.

7.4 FuE und Prototyping

Seine hochwertigen Oberflächen- und elektrischen Eigenschaften machen ihn zu einer ausgezeichneten Wahl für Forschungseinrichtungen und die Entwicklung von Prototypen.

8.Verpackung und Handhabung

Um die unberührte Qualität der Wafer zu bewahren, wird sie unter strengen Reinraumbedingungen verpackt:

• Klasse 100 Umwelt:Sicherstellung einer minimalen Partikelkontamination während der Verpackung.
• Sichere Verpackung:Die Wafer werden in Kassetten (25 Wafer pro Kassette) gelegt und in mit Stickstoff versehenen Beuteln versiegelt, um Oxidation und Kontamination während des Transports zu verhindern.

9.Vorteile von 8-Zoll-Siliziumwafer

9.1 Außergewöhnliche Qualität

Die erstklassige Klassifizierung garantiert eine unübertroffene Flachheit, Oberflächenglattheit und eine minimale Defektdichte.

9.2 Vereinbarkeit mit Industriestandards

Diese Wafer entsprechen internationalen Normen wie SEMI M1, wodurch ihre Kompatibilität mit globalen Herstellungsprozessen gewährleistet wird.

9.3 Kostenwirksame Herstellung

Die 8-Zoll-Größe schafft ein Gleichgewicht zwischen Erschwinglichkeit und Produktionsvolumen, was sie für viele Jahre zum Industriestandard macht.

9.4 Vielseitigkeit

Die Verfügbarkeit von SSP- und DSP-Optionen stellt sicher, dass die Wafer auf eine Vielzahl von Anwendungen zugeschnitten werden können.

10.Anpassungsmöglichkeiten

Um den spezifischen Kundenbedürfnissen gerecht zu werden, kann der 8-Zoll-Prime Grade Silicon Wafer auf folgende Weise angepasst werden:

• Widerstandsbereich:Einstellbar, um den Anforderungen verschiedener Vorrichtungen und Verfahren gerecht zu werden.
• Ausmaß der Verpackung:Für einzigartige Anwendungen können spezielle Dicken hergestellt werden.
• Oxidschicht:Nach Bedarf können thermische oder chemische Oxidschichten zugesetzt werden.

11.Schlussfolgerung

Der 8-Zoll-Prime-Grade-Silizium-Wafer stellt den Höhepunkt der Silizium-Wafer-Technologie dar und bietet unvergleichliche Qualität, Leistung und Vielseitigkeit.Seine fortschrittlichen Spezifikationen und robusten Fertigungsprozesse machen ihn für die Produktion moderner Halbleitergeräte unverzichtbar.Egal, ob Sie Prozessoren der nächsten Generation, MEMS-Geräte oder modernste Photonik entwerfen, diese Wafer sorgt für die Zuverlässigkeit und Präzision, die für den Erfolg erforderlich sind.

Diese Wafer bieten sowohl SSP- als auch DSP-Optionen sowie die Flexibilität zur Anpassung von Widerstand und Dicke und sind bereit, den sich ändernden Anforderungen der Halbleiterindustrie gerecht zu werden.Ihre weit verbreitete Anwendung in der Hightech-Fertigung und Forschung festigt ihren Status als wichtiger Bestandteil der globalen Elektronikversorgungskette.