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InAs Substrat 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 5 Zoll 6 Zoll Un/S/Zn Typ N/P Poliert DSP/SSP
Produktdetails:
| Herkunftsort: | China |
| Markenname: | ZMSH |
| Modellnummer: | Substrat aus Indiumarsenid (InAs) |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 25 |
|---|---|
| Preis: | undetermined |
| Verpackung Informationen: | Schaumstoff+karton |
| Lieferzeit: | 2-4weeks |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 1000 PCS/Woche |
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Detailinformationen |
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| Material: | Indiumarsenmetall (InAs) | Bandgap: | 0.354 eV (direkte Bandlücke bei 300 K) |
|---|---|---|---|
| Elektronenmobilität: | > 40 000 cm2/V·s (300 K) für schnelle elektronische Geräte | Wirkungsmasse: | Elektronenwirkungsmasse: ~ 0,023 m0 (Freie Elektronenmasse) |
| Vergittern Sie konstantes: | 6.058 Å, gut mit Materialien wie GaSb und InGaAs abgestimmt | Wärmeleitfähigkeit: | ~ 0,27 W/cm·K bei 300 K |
| Intrinsische Trägerkonzentration: | ~1,5 × 1016 cm−3 bei 300 K | Brechungsindex: | ~ 3,51 (bei einer Wellenlänge von 10 μm) |
| Hervorheben: | 5 Zoll InAs Substrat,6 Zoll InAs Substrat,4 Zoll InAs Substrat |
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Produkt-Beschreibung
InAs Substrat 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 5 Zoll 6 Zoll Un/S/Zn Typ N/P DSP/SSP
Abstrakt von Substraten von Indiumarsenid (InAs)
Substrate aus Indiumarsenid (InAs) sind aufgrund ihrer einzigartigen Kombination elektrischer und optischer Eigenschaften für die Entwicklung fortschrittlicher Halbleitertechnologien unerlässlich.als III-V-verbundener Halbleiter, InAs ist besonders für seine enge Bandbreite von 0,36 eV bei Raumtemperatur geschätzt, die es ihm ermöglicht, im Infrarotspektrum effektiv zu arbeiten.Dies macht InAs zu einem idealen Material für Infrarot-Fotodetektoren., wo eine hohe Empfindlichkeit gegenüber Infrarotstrahlung erforderlich ist.Dies ist von entscheidender Bedeutung für Hochgeschwindigkeitselektronik wie Transistoren und integrierte Schaltungen in Kommunikationssystemen und Hochfrequenzanwendungen.
Darüber hinaus spielt InAs eine Schlüsselrolle im aufstrebenden Bereich der Quantentechnologien.Seine Eigenschaften ermöglichen die Herstellung von Quantenpunkten und anderen Nanostrukturen.die für die Entwicklung von Quantengeräten entscheidend sindDie Fähigkeit, InAs mit anderen Materialien wie InP und GaAs zu integrieren, erhöht seine Vielseitigkeit weiter.Dies führt zur Entwicklung fortschrittlicher Heterostrukturen für optoelektronische Geräte wie Laserdioden und Lichtdioden.
Eigenschaften von InAs-Substraten
1Schmaler Bandgap
InAs hat eine direkte Bandlücke von 0,354 eV bei Zimmertemperatur, was es als ausgezeichnetes Material für die Langwellenlänge-Infrarot-Erkennung (LWIR) positioniert.Durch die enge Bandbreite ist es möglich, hohe Empfindlichkeit bei der Detektion von Photonen mit niedriger Energie zu erreichen, entscheidend für Anwendungen in der Wärmebildgebung und Spektroskopie.
2. Hohe Elektronenmobilität
Eine der herausragenden Eigenschaften von InAs ist seine außergewöhnliche Elektronenmobilität, die bei Raumtemperatur 40.000 cm2/V•s übersteigt.Diese hohe Mobilität erleichtert die Entwicklung schneller und leistungsarmer elektronischer Geräte, wie z. B. Hochelektronenmobilitätstransistoren (HEMT) und Terahertz-Oszillatoren.
3. Niedrige Wirkungsmasse
Die geringe Effektivmasse von Elektronen in InAs führt zu einer hohen Trägermobilität und reduzierter Streuung, was sie ideal für Hochfrequenzanwendungen und Quantentransportstudien macht.
4Ausgezeichnete Gitterverknüpfung.
InAs-Substrate weisen eine gute Gittermatchbarkeit mit anderen III-V-Materialien wie Gallium-Antimonid (GaSb) und Indium-Gallium-Arsenid (InGaAs) auf.Diese Kompatibilität ermöglicht die Herstellung von Heterostrukturen und Mehrverschlussvorrichtungen., die für fortschrittliche optoelektronische Anwendungen entscheidend sind.
5Starke Infrarot-Reaktion.
Die starke Absorption und Emission in Infrarot-Spektrum machen es zu einem optimalen Material für photonische Geräte wie Laser und Detektoren, die in den Spektralregionen 3-5 μm und 8-12 μm arbeiten.
| Eigentum | Beschreibung |
|---|---|
| Bandgap | 0.354 eV (direkte Bandlücke bei 300 K) |
| Elektronenmobilität | > 40 000 cm2/V·s (300 K) für schnelle elektronische Geräte |
| Wirkungsmasse | Elektronenwirkungsmasse: ~ 0,023 m0 (Freie Elektronenmasse) |
| Gitterkonstante | 6.058 Å, gut mit Materialien wie GaSb und InGaAs abgestimmt |
| Wärmeleitfähigkeit | ~ 0,27 W/cm·K bei 300 K |
| Intrinsische Trägerkonzentration | ~1,5 × 1016 cm-3 bei 300 K |
| Brechungsindex | ~ 3,51 (bei einer Wellenlänge von 10 μm) |
| Infrarot-Antwort | Empfindlich für Wellenlängen im Bereich von 3 ‰ 5 μm und 8 ‰ 12 μm |
| Kristallstruktur | Zinkblende (Kubik mit Gesichtszentrum) |
| Mechanische Eigenschaften | Brüchig und erfordert eine sorgfältige Handhabung während der Verarbeitung |
| Koeffizient der thermischen Ausdehnung | ~4,6 × 10−6 /K bei 300 K |
| Schmelzpunkt | ~ 942 °C |
Herstellung von InAs-Substraten
1. Kristallwachstum
InAs-Substrate werden hauptsächlich mit Techniken wie der Czochralski-Methode (CZ) und der Vertical Gradient Freeze-Methode (VGF) hergestellt.Diese Methoden sorgen für hochwertige Einzelkristalle mit minimalen Defekten.
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Czochralski-Methode: Bei diesem Verfahren wird ein Samenkristall in eine geschmolzene Mischung aus Indium und Arsen getaucht, der langsam gezogen und gedreht wird, so daß der Kristall Schicht für Schicht wächst.
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Vertikaler Abhang zum Einfrieren: Bei dieser Technik wird das geschmolzene Material in einem kontrollierten thermischen Gradient verfestigt, wodurch eine einheitliche Kristallstruktur mit weniger Verrutschungen entsteht.
2. Waferverarbeitung
Sobald der Kristall gewachsen ist, wird er mit Hilfe von Präzisionsschneidwerkzeugen in Wafer der gewünschten Dicke geschnitten.für die Herstellung von Geräten unerlässlichChemisch-mechanische Polierung (CMP) wird häufig eingesetzt, um Oberflächenunvollkommenheiten zu entfernen und die Flachheit zu verbessern.
3. Qualitätskontrolle
Weiterentwickelte Charakterisierungstechniken, einschließlich Röntgendiffraktion (XRD), Atomkraftmikroskopie (AFM) und Messungen des Hall-Effekts, werden verwendet, um die strukturellen, elektrischen,und optische Qualität der Substrate.
Anwendungen von InAs-Substraten
1Infrarotdetektoren
In InAsSubstrate werden in InfrarotFotodetektoren, insbesondere für Wärmebilder und Umweltüberwachung, große Anwendungen gemacht.Ihre Fähigkeit, langwelliges Infrarotlicht zu erkennen, macht sie für die Verteidigung unentbehrlich, Astronomie und Industrieinspektion.
2Quantengeräte
InAs ist aufgrund seiner geringen Wirkungsmasse und hoher Elektronenmobilität ein bevorzugtes Material für Quantengeräte.und fortgeschrittene Photonenkreise.
3Hochgeschwindigkeitselektronik
Die hohe Elektronenmobilität von InAs ermöglicht die Entwicklung von Hochgeschwindigkeitstransistoren, einschließlich HEMT und Heterojunction Bipolar Transistoren (HBTs).Diese Geräte sind entscheidend für Anwendungen in der drahtlosen Kommunikation, Radarsysteme und Hochfrequenzverstärker.
4. Optoelektronik
InAs-Substrate werden bei der Herstellung von Infrarotlasern und Lichtdioden (LEDs) eingesetzt.
5Terahertz Technologies
Die Eigenschaften von InAs?? machen es für Terahertz-Strahlungsquellen und Detektoren geeignet.
Fragen und Antworten
F: Was sind die Vorteile von InAs Substraten?
A:1Hohe Empfindlichkeit: InAs-basierte Geräte weisen eine ausgezeichnete Empfindlichkeit gegenüber Infrarotlicht auf, was sie für schlechte Lichtverhältnisse ideal macht.
2- Vielseitigkeit: InAs-Substrate können mit verschiedenen III-V-Materialien integriert werden, wodurch vielseitige und leistungsstarke Geräte entworfen werden können.
3.Skalierbarkeit: Durch die Fortschritte bei den Kristallwachstumstechniken ist es möglich geworden, InAs-Wafer mit großem Durchmesser herzustellen, die den Anforderungen der modernen Halbleiterherstellung entsprechen.
einige ähnliche Produkte wie Indiumarsenid (InAs) Substrate
1. Substrate für Galliumarsenid (GaAs)
- Schlüsselmerkmale: Direkte Bandlücke (1,42 eV), hohe Elektronenmobilität (~ 8,500 cm2/V·s) und ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit (~ 0,55 W/cm·K).
- Anwendungen: Weit verbreitet in Hochfrequenz-Elektronik, Solarzellen und Optoelektronik wie LEDs und Laserdioden.
- Vorteile: gut etablierte Fertigungsprozesse, die sie für viele Anwendungen kostengünstig machen.
2. Substrate aus Indiumphosphat (InP)
- Schlüsselmerkmale: Direkte Bandlücke (1,34 eV), hohe Elektronenmobilität (~ 5,400 cm2/V·s) und ausgezeichnete Gittermatching mit InGaAs.
- Anwendungen: Wesentlich für Hochgeschwindigkeitsphotonische Geräte, optische Kommunikationssysteme und Quantenkaskadenlaser.
- Vorteile: Hohe Wärmeleitfähigkeit und Eignung für Hochleistungsanwendungen.
Tag: #InAs Substrat #Halbleiter-Substrat