InAs Substrat 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 5 Zoll 6 Zoll Un/S/Zn Typ N/P Poliert DSP/SSP

InAs Substrat 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 5 Zoll 6 Zoll Un/S/Zn Typ N/P DSP/SSP

Abstrakt von Substraten von Indiumarsenid (InAs)

Substrate aus Indiumarsenid (InAs) sind aufgrund ihrer einzigartigen Kombination elektrischer und optischer Eigenschaften für die Entwicklung fortschrittlicher Halbleitertechnologien unerlässlich.als III-V-verbundener Halbleiter, InAs ist besonders für seine enge Bandbreite von 0,36 eV bei Raumtemperatur geschätzt, die es ihm ermöglicht, im Infrarotspektrum effektiv zu arbeiten.Dies macht InAs zu einem idealen Material für Infrarot-Fotodetektoren., wo eine hohe Empfindlichkeit gegenüber Infrarotstrahlung erforderlich ist.Dies ist von entscheidender Bedeutung für Hochgeschwindigkeitselektronik wie Transistoren und integrierte Schaltungen in Kommunikationssystemen und Hochfrequenzanwendungen.
 

Darüber hinaus spielt InAs eine Schlüsselrolle im aufstrebenden Bereich der Quantentechnologien.Seine Eigenschaften ermöglichen die Herstellung von Quantenpunkten und anderen Nanostrukturen.die für die Entwicklung von Quantengeräten entscheidend sindDie Fähigkeit, InAs mit anderen Materialien wie InP und GaAs zu integrieren, erhöht seine Vielseitigkeit weiter.Dies führt zur Entwicklung fortschrittlicher Heterostrukturen für optoelektronische Geräte wie Laserdioden und Lichtdioden.

Eigenschaften von InAs-Substraten

1Schmaler Bandgap
 

InAs hat eine direkte Bandlücke von 0,354 eV bei Zimmertemperatur, was es als ausgezeichnetes Material für die Langwellenlänge-Infrarot-Erkennung (LWIR) positioniert.Durch die enge Bandbreite ist es möglich, hohe Empfindlichkeit bei der Detektion von Photonen mit niedriger Energie zu erreichen, entscheidend für Anwendungen in der Wärmebildgebung und Spektroskopie.
 

2. Hohe Elektronenmobilität
 

Eine der herausragenden Eigenschaften von InAs ist seine außergewöhnliche Elektronenmobilität, die bei Raumtemperatur 40.000 cm2/V•s übersteigt.Diese hohe Mobilität erleichtert die Entwicklung schneller und leistungsarmer elektronischer Geräte, wie z. B. Hochelektronenmobilitätstransistoren (HEMT) und Terahertz-Oszillatoren.
 

3. Niedrige Wirkungsmasse
 

Die geringe Effektivmasse von Elektronen in InAs führt zu einer hohen Trägermobilität und reduzierter Streuung, was sie ideal für Hochfrequenzanwendungen und Quantentransportstudien macht.
 

4Ausgezeichnete Gitterverknüpfung.
 

InAs-Substrate weisen eine gute Gittermatchbarkeit mit anderen III-V-Materialien wie Gallium-Antimonid (GaSb) und Indium-Gallium-Arsenid (InGaAs) auf.Diese Kompatibilität ermöglicht die Herstellung von Heterostrukturen und Mehrverschlussvorrichtungen., die für fortschrittliche optoelektronische Anwendungen entscheidend sind.
 

5Starke Infrarot-Reaktion.
 

Die starke Absorption und Emission in Infrarot-Spektrum machen es zu einem optimalen Material für photonische Geräte wie Laser und Detektoren, die in den Spektralregionen 3-5 μm und 8-12 μm arbeiten.

Herstellung von InAs-Substraten

 

1. Kristallwachstum

InAs-Substrate werden hauptsächlich mit Techniken wie der Czochralski-Methode (CZ) und der Vertical Gradient Freeze-Methode (VGF) hergestellt.Diese Methoden sorgen für hochwertige Einzelkristalle mit minimalen Defekten.
 

• Czochralski-Methode: Bei diesem Verfahren wird ein Samenkristall in eine geschmolzene Mischung aus Indium und Arsen getaucht, der langsam gezogen und gedreht wird, so daß der Kristall Schicht für Schicht wächst.

• Vertikaler Abhang zum Einfrieren: Bei dieser Technik wird das geschmolzene Material in einem kontrollierten thermischen Gradient verfestigt, wodurch eine einheitliche Kristallstruktur mit weniger Verrutschungen entsteht.
  
   

2. Waferverarbeitung
 

Sobald der Kristall gewachsen ist, wird er mit Hilfe von Präzisionsschneidwerkzeugen in Wafer der gewünschten Dicke geschnitten.für die Herstellung von Geräten unerlässlichChemisch-mechanische Polierung (CMP) wird häufig eingesetzt, um Oberflächenunvollkommenheiten zu entfernen und die Flachheit zu verbessern.
 

3. Qualitätskontrolle
 

Weiterentwickelte Charakterisierungstechniken, einschließlich Röntgendiffraktion (XRD), Atomkraftmikroskopie (AFM) und Messungen des Hall-Effekts, werden verwendet, um die strukturellen, elektrischen,und optische Qualität der Substrate.

 

Anwendungen von InAs-Substraten
 

1Infrarotdetektoren
 

In InAs­Substrate werden in Infrarot­Fotodetektoren, insbesondere für Wärmebilder und Umweltüberwachung, große Anwendungen gemacht.Ihre Fähigkeit, langwelliges Infrarotlicht zu erkennen, macht sie für die Verteidigung unentbehrlich, Astronomie und Industrieinspektion.

2Quantengeräte
 

InAs ist aufgrund seiner geringen Wirkungsmasse und hoher Elektronenmobilität ein bevorzugtes Material für Quantengeräte.und fortgeschrittene Photonenkreise.
 

3Hochgeschwindigkeitselektronik
 

Die hohe Elektronenmobilität von InAs ermöglicht die Entwicklung von Hochgeschwindigkeitstransistoren, einschließlich HEMT und Heterojunction Bipolar Transistoren (HBTs).Diese Geräte sind entscheidend für Anwendungen in der drahtlosen Kommunikation, Radarsysteme und Hochfrequenzverstärker.
 

4. Optoelektronik
 

InAs-Substrate werden bei der Herstellung von Infrarotlasern und Lichtdioden (LEDs) eingesetzt.
 

5Terahertz Technologies
 

Die Eigenschaften von InAs?? machen es für Terahertz-Strahlungsquellen und Detektoren geeignet.
 

Fragen und Antworten
 

F: Was sind die Vorteile von InAs Substraten?
 

A:1Hohe Empfindlichkeit: InAs-basierte Geräte weisen eine ausgezeichnete Empfindlichkeit gegenüber Infrarotlicht auf, was sie für schlechte Lichtverhältnisse ideal macht.

2- Vielseitigkeit: InAs-Substrate können mit verschiedenen III-V-Materialien integriert werden, wodurch vielseitige und leistungsstarke Geräte entworfen werden können.

3.Skalierbarkeit: Durch die Fortschritte bei den Kristallwachstumstechniken ist es möglich geworden, InAs-Wafer mit großem Durchmesser herzustellen, die den Anforderungen der modernen Halbleiterherstellung entsprechen.

 

einige ähnliche Produkte wie Indiumarsenid (InAs) Substrate
 

1. Substrate für Galliumarsenid (GaAs)
 

• Schlüsselmerkmale: Direkte Bandlücke (1,42 eV), hohe Elektronenmobilität (~ 8,500 cm2/V·s) und ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit (~ 0,55 W/cm·K).
   
• Anwendungen: Weit verbreitet in Hochfrequenz-Elektronik, Solarzellen und Optoelektronik wie LEDs und Laserdioden.
   
• Vorteile: gut etablierte Fertigungsprozesse, die sie für viele Anwendungen kostengünstig machen.
  
  
   

2. Substrate aus Indiumphosphat (InP)
 

• Schlüsselmerkmale: Direkte Bandlücke (1,34 eV), hohe Elektronenmobilität (~ 5,400 cm2/V·s) und ausgezeichnete Gittermatching mit InGaAs.
• Anwendungen: Wesentlich für Hochgeschwindigkeitsphotonische Geräte, optische Kommunikationssysteme und Quantenkaskadenlaser.
• Vorteile: Hohe Wärmeleitfähigkeit und Eignung für Hochleistungsanwendungen.
  
  
   

Tag: #InAs Substrat #Halbleiter-Substrat