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ZnTe Wafer ZnTe Kristall Typ N Typ P Maße und Spezifikationen
Produktdetails:
| Herkunftsort: | China |
| Markenname: | ZMSH |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 25 |
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| Preis: | undetermined |
| Verpackung Informationen: | Schaumstoff+karton |
| Lieferzeit: | 2-4weeks |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 1000 PCS/Woche |
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Detailinformationen |
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| Chemische Formel: | ZnTe | Molekülgewicht: | 191.17 g/mol |
|---|---|---|---|
| Bandgap: | 2.26 eV (direkte Bandlücke) | Optische Eigenschaften: | Gute Transparenz in sichtbaren und Infrarotregionen |
| Thermische Ausdehnung: | 6.3 × 10−6/K | Elektrische Eigenschaften: | Halbleiter, können doppiert werden n- oder p-Typ |
| Hervorheben: | Spezifikationen für ZnTe Wafer,Wafer des Typs N ZnTe,Maßgeschneiderte Größen ZnTe Wafer |
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Produkt-Beschreibung
ZnTe: ZnTe-Wafer, ZnTe-Kristall Typ N, Typ P, kundenspezifische Größen und Spezifikationen verfügbar
Zusammenfassung von ZnTe
Zink-Tellurid (ZnTe) ist ein direktes Bandgap-Halbleiter, das in der Optoelektronik undMit einer Bandbreite von etwa 2,26 eV zeigt ZnTe eine ausgezeichneteOptische Eigenschaften, die es für Anwendungen in Infrarotdetektoren, Lichtdioden, Laserdioden und Solarzellen geeignet machen.Seine kubische Kristallstruktur und seine hohe thermische Stabilität machen es auch zu einem bevorzugten Material für hochtemperaturoptische FensterDie Fähigkeit von ZnTe, spezifische Wellenlängen des Lichts zu absorbieren und auszustrahlen, verbessert seinen Einsatz in verschiedenen photonischen Geräten.wie Quantenrechner., erweitert seine Anwendungsmöglichkeiten weiter.
Physikalische und chemische Eigenschaften
ZnTe ist ein direkter Bandgap-Halbleiter, was bedeutet, dass er Licht effizient absorbieren und emittieren kann.der sich im sichtbaren bis nahen Infrarotbereich des elektromagnetischen Spektrums befindetDieses Eigentum macht es ideal für Anwendungen sowohl im sichtbaren als auch im Infrarotspektralbereich.mit einer Breite von mehr als 20 mm,ZnTe weist eine hohe thermische Stabilität auf, die es für Anwendungen bei hohen Temperaturen geeignet macht, und hat eine relativ hohe Dichte von 6,1 g/cm3.
ZnTe besitzt außerdem hervorragende optische Eigenschaften, insbesondere im Infrarotspektrum.Seine Übertragungsmerkmale im Infrarotbereich ermöglichen es ihm, als gutes optisches Fenstermaterial für verschiedene Hightech-Anwendungen zu fungierenDie optische Transparenz des Materials und seine relativ geringe Absorption in bestimmten Spektralregionen machen es für den Einsatz in Infrarotdetektoren, optischer Kommunikation und Lasersystemen wertvoll.
| Eigentum | Wert/Beschreibung |
| Chemische Formel | ZnTe |
| Molekülgewicht | 191.17 g/mol |
| Kristallstruktur | Kubik (Zinkblende Struktur) |
| Bandgap | 2.26 eV (direkte Bandlücke) |
| Schmelzpunkt | 1,199°C |
| Siedepunkt | 1,500°C |
| Dichte | 6.1 g/cm3 |
| Optische Eigenschaften | Gute Transparenz in sichtbaren und Infrarotregionen |
| Wärmeleitfähigkeit | 20 W/m·K |
| Thermische Ausdehnung | 6.3 × 10−6/K |
| Elektrische Eigenschaften | Halbleiter, können doppiert werden n- oder p-Typ |
| Anwendungen | Infrarotdetektoren, Photodioden, Laserdioden, Solarzellen, optoelektronische Geräte, Infrarotfenster, Laserbildschirme usw. |
| Herstellungsmethoden | Chemische Dampfdeposition (CVD), Molekularstrahl-Epitaxie (MBE), Lösungswachstum usw. |
| Transparenz | Hohe Transparenz, insbesondere im Infrarotbereich |
Elektrische Eigenschaften und Anwendungen
Die direkte Bandbreite und die Halbleiter-Natur von ZnTe machen es für verschiedene elektronische und optoelektronische Anwendungen geeignet.
1.Infrarotdetektoren: Aufgrund seiner optischen Eigenschaften wird ZnTe in Infrarotdetektoren weit verbreitet, die in verschiedenen Bereichen wie Umweltüberwachung, Wärmebildgebung und militärischer Überwachung unerlässlich sind.ZnTe-Detektoren können im mittleren und langen Infrarotspektrum effizient arbeiten, die Infrarotstrahlung von Gegenständen erfasst, die besonders nützlich bei der Wärmeerkennung ist.
2.Lichtdioden (LED): Die Fähigkeit von ZnTe, Licht zu emittieren, wenn es elektrisch verzerrt ist, macht es ideal für den Einsatz in LEDs, insbesondere im Infrarot- und Sichtlichtbereich.LEDs auf ZnTe-Basis werden in optischen Kommunikationssystemen verwendetDie Transparenz des Materials im Infrarotbereich ermöglicht auch eine effizientere Lichtemission in bestimmten Wellenlängen.
3.Laserdioden: ZnTe kann bei der Herstellung von Laserdioden eingesetzt werden, insbesondere für Laser mit kurzer Wellenlänge.Die hochwertigen ZnTe-Kristalle, die über MBE angebaut werden, sind besonders nützlich für den Bau von Laserdioden.
4.Solarzellen: ZnTe hat potenzielle Anwendungsmöglichkeiten in Dünnschicht-Solarzellen. Als Teil einer Heterojunction mit anderen Materialien wie CdTe kann ZnTe verwendet werden, um effiziente Photovoltaik-Geräte zu erstellen.Die Fähigkeit von ZnTe, ein breites Spektrum an Sonnenlicht zu absorbieren, und seine geeignete Bandbreite machen es zu einem vielversprechenden Kandidaten für erneuerbare Energietechnologien.
5Optische Fenster und Infrarotoptik: Durch die Transparenz von ZnTe in der Infrarotregion kann es als optisches Fenstermaterial in Hochleistungsgeräten verwendet werden.und Spiegel, wo es Infrarotstrahlung ohne erhebliche Verluste übertragen kann.
Fragen und Antworten
- Was ist das?Wie wird ZnTe hergestellt?
A:1.Dampfdeposition: wie chemische Dampfdeposition (CVD) oder physikalische Dampfdeposition (PVD).
2.Molekularstrahl-Epitaxie (MBE): für ein hochwertiges Filmwachstum.
3Schmelzverfahren: Das Schüttgut wird durch Schmelzen von Zink und Tellurium bei hoher Temperatur hergestellt.
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