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Detailinformationen |
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| Wafer Size: | 2" 4" 6" 8"12" | Thinning Range: | 20μm - 800μm |
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| Spindle Speed: | 500 - 6000 rpm | Cooling System: | Water + Air Cooling |
| Power Supply: | AC 380V ±10%, 50/60Hz, 3-phase | Gewicht: | Ungefähr 1500 kg |
| Hervorheben: | Voll automatische Waferverdünnungsmaschine,SiC-Waferverdünnungsmaschine,GaN-Waferverdünnungsmaschine |
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Produkt-Beschreibung
Produkteinführung
Die Waferverdünnungsmaschine ist ein wichtiges Werkzeug in der Halbleiterherstellung, das entwickelt wurde, um die Waferdicke durch präzise Rückschleifen und Polieren zu reduzieren.Diese Waferverdünnungsmaschine sorgt für hohe Einheitlichkeit und Oberflächenqualität, so dass es für Materialien wie Silizium, GaAs, GaN und SiC geeignet ist. Es spielt eine wesentliche Rolle in Anwendungen wie Leistungseinrichtungen, MEMS und CMOS-Bildsensoren.
Arbeitsprinzip
Die Waferverdünnungsmaschine arbeitet, indem sie die Wafer befestigt und mit einem schnellen, sich drehenden Schleifrad angeschlossen wird.Diese Waferverdünnungsmaschine verfügt über fortschrittliche Steuerungssysteme zur Echtzeitüberwachung von Schleifdruck und -dickeEin integrierter Kühl- und Reinigungsmechanismus verbessert den Verarbeitungsertrag und minimiert Schäden.
Spezifikation der Waferverdünnungsmaschine
| Parameter | Spezifikation | Anmerkungen |
| Wafergröße | Ø2" bis Ø12" (optional: Ø8" und höher) | Haltbarkeit bis zu 300 mm |
| Ausdünnungsbereich | 50 μm bis 800 μm | Mindestmögliche Dicke: 20 μm (abhängig vom Material) |
| Genauigkeit der Dicke | ± 1 μm | mit einer Dicke von nicht mehr als 10 mm |
| Oberflächenrauheit | < 5 nm Ra (nach Feinschleifen) | Abhängig von Material und Radart |
| Typ des Schleifrads | Diamantbecherrad | Ersetzbar |
| Spindelgeschwindigkeit | 500 bis 6000 U/min | Schrittlose Drehzahlregelung |
| Staubsauger | Unterstützt | Poröse Keramik-Vakuumschub |
| Kühlsystem | Wasser + Luftkühlung | Verhindert thermische Schäden |
| Betriebsmodus | Touchscreen mit PLC-Steuerung | Einstellbare und programmierbare Parameter |
| Zusätzliche Merkmale | Automatisches Be- und Entladen, Dickenüberwachung, Ausrichtung des CCD | Anpassbar |
| Stromversorgung | AC 380V ±10%, 50/60Hz, dreiphasig | Verfügbare benutzerdefinierte Spannungsoptionen |
| Maschinendimensionen | Bei der Anlage sind die folgenden Angaben zu beachten: | Kann je nach Modell leicht variieren |
| Gewicht | Ungefähr 1500 kg | Ohne automatische Handhabung |
Anwendungen
Die Waferverdünnungsmaschine wird in verschiedenen Halbleiterherstellungsprozessen eingesetzt, bei denen ultradünne Wafer erforderlich sind, z. B. 3D-IC-Verpackungen, Herstellung von Leistungseinrichtungen, Bildsensoren,und HF-ChipsDie Waferverdünnungsmaschine wird häufig mit Nachverdünnungsverfahren wie der Rückseitenmetallisierung kombiniert, um eine vollständige Verdünnungslösung zu liefern.
Darüber hinaus ist die Waferverdünnungsmaschine in folgenden Szenarien anwendbar:
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Erweiterte Verpackung:Einschließlich FO-WLP, 2.5D und 3D-Verpackungen, bei denen dünnere Wafer eine höhere Integration und kürzere Verbindungen ermöglichen.
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Herstellung von MEMS-GerätenDas Ausdünnen der Wafer verbessert die Sensorempfindlichkeit, indem die Strukturschicht freigesetzt wird.
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Leistungshalbleiter:Materialien wie SiC und GaN erfordern eine Verdünnung der Wafer, um den Leitverlust zu reduzieren und die Wärmeabgabe zu verbessern.
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LiDAR-Chips:Die Waferverdünnung unterstützt eine bessere optische Ausrichtung und elektrische Leistung.
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Forschung und Entwicklung und Wissenschaft:Universitäten und Forschungseinrichtungen nutzen die Waferverdünnungsmaschine, um Halbleiterstrukturen zu erforschen und neue Materialien zu überprüfen.
Fragen und Antworten
F1:Welche Materialien kann diese Waferverdünnungsmaschine verarbeiten?
A1:Unsere Waferverdünnungsmaschine ist mit einer Vielzahl von Materialien kompatibel, darunter Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN), Saphir, Galliumarsenid (GaAs) und mehr.
F2: Wie sorgt diese Waferverdünnungsmaschine für eine gleichmäßige Dicke?
A2: Es verwendet einen Präzisionsschleifkopf mit Echtzeitdickenüberwachung und adaptive Steuerungssysteme, um ein gleichbleibendes Ausdünnungsresultat zu erhalten.
F3: Wie groß ist der Dickenbereich dieser Waferverdünnungsmaschine?
A3: Wafer können je nach Material und Anwendungsbedarf auf 50 μm oder sogar dünner verdünnt werden.
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