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Einzelheiten zu den Produkten

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Saphirsubstrat
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12 Zoll Saphirwafer für die Herstellung von LED- und GaN-Geräten

12 Zoll Saphirwafer für die Herstellung von LED- und GaN-Geräten

Markenbezeichnung: ZMSH
MOQ: 2
Preis: by case
Verpackungsdetails: benutzerdefinierte Kartons
Zahlungsbedingungen: T/T
Ausführliche Information
Herkunftsort:
China
Waferdurchmesser:
12 Zoll (300 mm)
Material:
Einkristalliner Saphir (Al2O3)
Kristallorientierung:
C-Ebene (0001), A-Ebene (11-20), R-Ebene (1-102)
Dicke:
430–500 μm
Oberflächenbeschaffenheit:
Einseitig poliert (SSP) / Doppelseitig poliert (DSP)
Oberflächenrauheit (RA):
≤0,5 nm (poliert)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
Von Fall
Produkt-Beschreibung

Produktübersicht

12-Zoll-Saphir-Wafer sind ultra-große Diameter-Einkristall-Saphir-Substrate, die für fortgeschrittene Halbleiter- und optoelektronische Anwendungen hergestellt werden.Verglichen mit traditionellen 2 ′′ 6 Zoll Saphir-Wafern, 12-Zoll-Saphir-Wafer verbessern die Produktionseffizienz, die Materialnutzung und die Einheitlichkeit der Geräte erheblich, was sie zu einer idealen Wahl für LED, Leistungselektronik,und fortschrittliche Verpackungstechnologien.

 

Unsere 12-Zoll-Saphir-Wafer werden aus hochreinen Al2O3-Einzelkristallen hergestellt, die mit fortschrittlichen Kristallwachstumsmethoden angebaut werden, gefolgt von Präzisionsschneiden, Lappen, Polieren,und strenge QualitätskontrolleDie Wafer weisen eine ausgezeichnete Oberflächenflächigkeit, eine geringe Defektdichte und eine hohe optische und mechanische Stabilität auf und erfüllen somit die strengen Anforderungen der Fertigung von Geräten mit großer Fläche.

 

12 Zoll Saphirwafer für die Herstellung von LED- und GaN-Geräten 0


12 Zoll Saphirwafer für die Herstellung von LED- und GaN-Geräten 1Eigenschaften des Materials

Saphir (einkristallines Aluminiumoxid, Al2O3) ist bekannt für seine hervorragenden physikalischen und chemischen Eigenschaften.12 Zoll Saphir-Wafer erben alle Vorteile von Saphir-Material, während eine viel größere nutzbare Fläche.

Zu den wichtigsten Materialmerkmalen gehören:

  • Extrem hohe Härte und Verschleißfestigkeit

  • Ausgezeichnete thermische Stabilität und hoher Schmelzpunkt

  • Überlegene chemische Beständigkeit gegen Säuren und Alkalien

  • Hohe optische Transparenz von UV- bis IR-Wellenlängen

  • Ausgezeichnete elektrische Dämmungseigenschaften

Diese Eigenschaften machen 12-Zoll-Saphirwafer für harte Verarbeitungsumgebungen und Halbleiterherstellungsprozesse mit hoher Temperatur geeignet.


Herstellungsprozess

Die Herstellung von 12-Zoll-Saphirwafern erfordert fortschrittliches Kristallwachstum und hochpräzise Verarbeitungstechnologien.

  1. Wachstum der einzelnen Kristalle
    Hochreine Saphirkristalle werden mit fortschrittlichen Methoden wie KY oder anderen Technologien zum Wachstum von Kristallen mit großem Durchmesser angebaut, um eine einheitliche Kristallorientierung und eine geringe innere Belastung zu gewährleisten.

  2. Kristallformen und Schneiden
    Der Saphir-Ingot ist präzise geformt und mit hochpräzisen Schneidgeräten in 12-Zoll-Wafer geschnitten, um Untergrundschäden zu minimieren.

  3. Lappung und Polieren
    Dabei werden mehrstufige Lappen- und chemisch-mechanische Polierverfahren (CMP) angewendet, um eine hervorragende Oberflächenrauheit, Flachheit und Dickeuniformität zu erzielen.

  4. Reinigung und Inspektion
    Jede 12-Zoll-Saphir-Wafer wird gründlich gereinigt und streng überprüft, einschließlich Oberflächenqualität, TTV, Bogen, Warp und Defektanalyse.

 


Anwendungen

12-Zoll-Saphirwafer werden in fortschrittlichen und aufstrebenden Technologien weit verbreitet, darunter:

  • LED-Substrate mit hoher Leistung und hoher Helligkeit

  • Auf GaN basierende Leistungsgeräte und HF-Geräte

  • Träger und Isolationssubstrate für Halbleitergeräte

  • Optische Fenster und optische Großflächenkomponenten

  • Advanced Semiconductor Packaging und spezielle Prozessträger

Der große Durchmesser ermöglicht bei der Massenproduktion einen höheren Durchsatz und eine verbesserte Kosteneffizienz.

 


Vorteile von 12 Zoll Saphirwafern

  • Größere Nutzfläche für höhere Geräteleistung pro Wafer

  • Verbesserte Prozesskonsistenz und -einheitlichkeit

  • Verringerte Kosten pro Gerät bei der Produktion in großen Mengen

  • Ausgezeichnete mechanische Festigkeit für den Umgang mit großen Fahrzeugen

  • Anpassungsfähige Spezifikationen für verschiedene Anwendungen

 12 Zoll Saphirwafer für die Herstellung von LED- und GaN-Geräten 2


Anpassungsmöglichkeiten

Wir bieten flexible Anpassungen für 12 Zoll Saphirwafer an, einschließlich:

  • Kristallorientierung (C-Ebene, A-Ebene, R-Ebene usw.)

  • Toleranz für Dicke und Durchmesser

  • Einseitige oder zweiseitige Polierung

  • Randprofil und Gestaltung des Schalters

  • Anforderungen an die Oberflächenrauheit und Flachheit

Parameter Spezifikation Anmerkungen
Waferdurchmesser 12 Zoll (300 mm) Standard-Wafer mit großem Durchmesser
Material Einkristalliner Saphir (Al2O3) Hohe Reinheit, elektronische/optische Qualität
Kristallorientierung C-Ebene (0001), A-Ebene (11-20), R-Ebene (1-102) Optional verfügbare Orientierungen
Stärke 430 ‰ 500 μm Spezielle Dicke auf Anfrage verfügbar
Ausmaß der Abweichung ± 10 μm Geringe Toleranz für fortgeschrittene Geräte
Gesamtdickenvariation (TTV) ≤ 10 μm Gewährleistet eine einheitliche Verarbeitung der Wafer
Verbeugen ≤ 50 μm Gemessen auf dem gesamten Wafer
Warpgeschwindigkeit ≤ 50 μm Gemessen auf dem gesamten Wafer
Oberflächenbearbeitung Einseitig poliert (SSP) / Doppelseitig poliert (DSP) Oberfläche mit hoher optischer Qualität
Oberflächenrauheit (Ra) ≤ 0,5 nm (poliert) Glatzheit auf atomarer Ebene für das epitaxiale Wachstum
Randprofil Schaum / abgerundeter Rand Zur Verhinderung von Splittern beim Umgang
Orientierungsgenauigkeit ±0,5° Sorgt für ein ordnungsgemäßes Wachstum der Epitaxialschicht
Defektdichte < 10 cm2 Mit optischer Inspektion gemessen
Flachheit ≤ 2 μm / 100 mm Sorgt für einheitliche Lithographie und Epitaxialwachstum
Reinheit Klasse 100 Klasse 1000 Kompatibel mit Reinraum
Optische Übertragung > 85% (UV-IR) Je nach Wellenlänge und Dicke

 

 

12 Zoll Saphir Wafer FAQ

F1: Was ist die Standarddicke eines 12 Zoll großen Saphirwafers?
A: Die Standarddicke liegt zwischen 430 μm und 500 μm. Maßgeschneiderte Dicken können auch nach Kundenwünschen hergestellt werden.

 

F2: Welche Kristallorientierungen sind für 12 Zoll Saphirwafer verfügbar?
A: Wir bieten C-Ebene (0001), A-Ebene (11-20), und R-Ebene (1-102) Orientierungen.

 

F3: Was ist die Gesamtdickenvariation (TTV) der Wafer?
A: Unsere 12-Zoll-Saphir-Wafer haben in der Regel eine TTV ≤10 μm, was die Einheitlichkeit der gesamten Waferoberfläche für eine hochwertige Gerätefertigung gewährleistet.

 

 

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