| Markenbezeichnung: | ZMSH |
| MOQ: | 2 |
| Preis: | by case |
| Verpackungsdetails: | benutzerdefinierte Kartons |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
12-Zoll-Saphir-Wafer sind ultra-große Diameter-Einkristall-Saphir-Substrate, die für fortgeschrittene Halbleiter- und optoelektronische Anwendungen hergestellt werden.Verglichen mit traditionellen 2 ′′ 6 Zoll Saphir-Wafern, 12-Zoll-Saphir-Wafer verbessern die Produktionseffizienz, die Materialnutzung und die Einheitlichkeit der Geräte erheblich, was sie zu einer idealen Wahl für LED, Leistungselektronik,und fortschrittliche Verpackungstechnologien.
Unsere 12-Zoll-Saphir-Wafer werden aus hochreinen Al2O3-Einzelkristallen hergestellt, die mit fortschrittlichen Kristallwachstumsmethoden angebaut werden, gefolgt von Präzisionsschneiden, Lappen, Polieren,und strenge QualitätskontrolleDie Wafer weisen eine ausgezeichnete Oberflächenflächigkeit, eine geringe Defektdichte und eine hohe optische und mechanische Stabilität auf und erfüllen somit die strengen Anforderungen der Fertigung von Geräten mit großer Fläche.
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Saphir (einkristallines Aluminiumoxid, Al2O3) ist bekannt für seine hervorragenden physikalischen und chemischen Eigenschaften.12 Zoll Saphir-Wafer erben alle Vorteile von Saphir-Material, während eine viel größere nutzbare Fläche.
Zu den wichtigsten Materialmerkmalen gehören:
Extrem hohe Härte und Verschleißfestigkeit
Ausgezeichnete thermische Stabilität und hoher Schmelzpunkt
Überlegene chemische Beständigkeit gegen Säuren und Alkalien
Hohe optische Transparenz von UV- bis IR-Wellenlängen
Ausgezeichnete elektrische Dämmungseigenschaften
Diese Eigenschaften machen 12-Zoll-Saphirwafer für harte Verarbeitungsumgebungen und Halbleiterherstellungsprozesse mit hoher Temperatur geeignet.
Die Herstellung von 12-Zoll-Saphirwafern erfordert fortschrittliches Kristallwachstum und hochpräzise Verarbeitungstechnologien.
Wachstum der einzelnen Kristalle
Hochreine Saphirkristalle werden mit fortschrittlichen Methoden wie KY oder anderen Technologien zum Wachstum von Kristallen mit großem Durchmesser angebaut, um eine einheitliche Kristallorientierung und eine geringe innere Belastung zu gewährleisten.
Kristallformen und Schneiden
Der Saphir-Ingot ist präzise geformt und mit hochpräzisen Schneidgeräten in 12-Zoll-Wafer geschnitten, um Untergrundschäden zu minimieren.
Lappung und Polieren
Dabei werden mehrstufige Lappen- und chemisch-mechanische Polierverfahren (CMP) angewendet, um eine hervorragende Oberflächenrauheit, Flachheit und Dickeuniformität zu erzielen.
Reinigung und Inspektion
Jede 12-Zoll-Saphir-Wafer wird gründlich gereinigt und streng überprüft, einschließlich Oberflächenqualität, TTV, Bogen, Warp und Defektanalyse.
12-Zoll-Saphirwafer werden in fortschrittlichen und aufstrebenden Technologien weit verbreitet, darunter:
LED-Substrate mit hoher Leistung und hoher Helligkeit
Auf GaN basierende Leistungsgeräte und HF-Geräte
Träger und Isolationssubstrate für Halbleitergeräte
Optische Fenster und optische Großflächenkomponenten
Advanced Semiconductor Packaging und spezielle Prozessträger
Der große Durchmesser ermöglicht bei der Massenproduktion einen höheren Durchsatz und eine verbesserte Kosteneffizienz.
Größere Nutzfläche für höhere Geräteleistung pro Wafer
Verbesserte Prozesskonsistenz und -einheitlichkeit
Verringerte Kosten pro Gerät bei der Produktion in großen Mengen
Ausgezeichnete mechanische Festigkeit für den Umgang mit großen Fahrzeugen
Anpassungsfähige Spezifikationen für verschiedene Anwendungen
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Wir bieten flexible Anpassungen für 12 Zoll Saphirwafer an, einschließlich:
Kristallorientierung (C-Ebene, A-Ebene, R-Ebene usw.)
Toleranz für Dicke und Durchmesser
Einseitige oder zweiseitige Polierung
Randprofil und Gestaltung des Schalters
Anforderungen an die Oberflächenrauheit und Flachheit
| Parameter | Spezifikation | Anmerkungen |
|---|---|---|
| Waferdurchmesser | 12 Zoll (300 mm) | Standard-Wafer mit großem Durchmesser |
| Material | Einkristalliner Saphir (Al2O3) | Hohe Reinheit, elektronische/optische Qualität |
| Kristallorientierung | C-Ebene (0001), A-Ebene (11-20), R-Ebene (1-102) | Optional verfügbare Orientierungen |
| Stärke | 430 ‰ 500 μm | Spezielle Dicke auf Anfrage verfügbar |
| Ausmaß der Abweichung | ± 10 μm | Geringe Toleranz für fortgeschrittene Geräte |
| Gesamtdickenvariation (TTV) | ≤ 10 μm | Gewährleistet eine einheitliche Verarbeitung der Wafer |
| Verbeugen | ≤ 50 μm | Gemessen auf dem gesamten Wafer |
| Warpgeschwindigkeit | ≤ 50 μm | Gemessen auf dem gesamten Wafer |
| Oberflächenbearbeitung | Einseitig poliert (SSP) / Doppelseitig poliert (DSP) | Oberfläche mit hoher optischer Qualität |
| Oberflächenrauheit (Ra) | ≤ 0,5 nm (poliert) | Glatzheit auf atomarer Ebene für das epitaxiale Wachstum |
| Randprofil | Schaum / abgerundeter Rand | Zur Verhinderung von Splittern beim Umgang |
| Orientierungsgenauigkeit | ±0,5° | Sorgt für ein ordnungsgemäßes Wachstum der Epitaxialschicht |
| Defektdichte | < 10 cm2 | Mit optischer Inspektion gemessen |
| Flachheit | ≤ 2 μm / 100 mm | Sorgt für einheitliche Lithographie und Epitaxialwachstum |
| Reinheit | Klasse 100 Klasse 1000 | Kompatibel mit Reinraum |
| Optische Übertragung | > 85% (UV-IR) | Je nach Wellenlänge und Dicke |
F1: Was ist die Standarddicke eines 12 Zoll großen Saphirwafers?
A: Die Standarddicke liegt zwischen 430 μm und 500 μm. Maßgeschneiderte Dicken können auch nach Kundenwünschen hergestellt werden.
F2: Welche Kristallorientierungen sind für 12 Zoll Saphirwafer verfügbar?
A: Wir bieten C-Ebene (0001), A-Ebene (11-20), und R-Ebene (1-102) Orientierungen.
F3: Was ist die Gesamtdickenvariation (TTV) der Wafer?
A: Unsere 12-Zoll-Saphir-Wafer haben in der Regel eine TTV ≤10 μm, was die Einheitlichkeit der gesamten Waferoberfläche für eine hochwertige Gerätefertigung gewährleistet.
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