Halbleiter-Ionenimplantationsanlagen

Ai300 Ionenimplanter (12 Zoll)

(1) ProduktübersichtDer Ai300 ist ein Ionenimplantationssystem mit mittlerem Strahl, das für die Verarbeitung von 12-Zoll-Wafern in der fortschrittlichen Halbleiterfertigung entwickelt wurde. Er wird hauptsächlich für Implantationsschritte mit mittlerer Dosis und mittlerer bis hoher Energie verwendet, einschließlich Wellenbildung, Kanal-Engineering und leicht dotierter Drain (LDD)-Strukturen in CMOS-Prozessen. Das System bietet eine präzise Steuerung der Dotierstofftiefe und Konzentrationsprofile durch stabile Strahlenlieferung und genaue Winkelsteuerung, was die Optimierung der elektrischen Eigenschaften des Geräts ermöglicht.

(2) Hauptspezifikationen Implantationsspezies: C, B, P, N, He, ArImplantationswinkel: 0°–45° (Genauigkeit ≤0,1°)Dosisbereich: 1E11–1E16 Ionen/cm²Gleichmäßigkeit/Wiederholbarkeit: ≤0,5%(3) Technische Merkmale und VorteileFortschrittliche Logikbausteine (CMOS, FinFET)1. Was ist Ionenimplantation und warum ist sie in der Halbleiterfertigung wichtig?2. Was ist der Unterschied zwischen Ionenimplantern mit mittlerem und hohem Strahl?Ionenimplanter mit mittlerem Strahl werden typischerweise für Präzisionsdotierungsanwendungen mit moderater Dosis und breiteren Energiebereichen verwendet, wie z. B. Wellenbildung und Kanal-Engineering. Ionenimplanter mit hohem Strahl hingegen sind für die Hochdosisimplantation mit höheren Strahlströmen optimiert und werden üblicherweise für die Quell-/Drain-Bildung und das Kontakt-Engineering verwendet.3. Wie wähle ich das richtige Ionenimplantationssystem für meinen Prozess aus? Materialtyp (Si vs. SiC)Zum Beispiel:Verwenden Sie Ai300 für fortschrittliche CMOS-PräzisionsdotierungVerwenden Sie Ai350HT für SiC-Hochtemperaturimplantation