Sapphire Wafer 12 Zoll AL2O3 Anpassung DSP SSP C-Ebene A-Ebene M-Ebene LED Sapphire Substrat

Saphir-Wafer 12 Zoll AL2O3 Anpassung DSP SSP C-Ebene A-Ebene M-Ebene LED Saphir-Substrat

Produktbeschreibung des 12-Zoll-Saphir-Wafers:

Saphir ist ein Material mit einer einzigartigen Kombination von physikalischen, chemischen und optischen Eigenschaften, die es beständig gegen hohe Temperaturen, thermische Schocks, Wasser- und Sanderosion sowie Kratzer machen. Es ist ein überlegenes Fenstermaterial für viele IR-Anwendungen von 3 µm bis 5 µm. C-Ebenen-Saphirsubstrate werden häufig für das Wachstum von III-V- und II-VI-Verbindungen wie GaN für blaue LEDs und Laserdioden verwendet, während R-Ebenen-Saphirsubstrate für die heteroepitaktische Abscheidung von Silizium für mikroelektronische IC-Anwendungen verwendet werden.

Die Charakteristik des 12-Zoll-Saphir-Wafers:

Saphir-Wafer sind ein gängiges Halbleitermaterial, das sich normalerweise auf Aluminiumoxid (Al2O3)-Kristalle bezieht. Hier sind einige der Eigenschaften von Saphir-Wafern:
1. Optische Eigenschaften:
Saphir-Wafer weisen eine ausgezeichnete optische Transparenz auf, insbesondere im sichtbaren und nahen Infrarot-Spektralbereich. Dies macht Saphir-Wafer weit verbreitet in optischen Sensoren, Lasern und optoelektronischen Geräten.
2. Härte und Verschleißfestigkeit:
Saphir-Wafer haben eine sehr hohe Härte, die nur von Diamant übertroffen wird, und daher eine gute Verschleißfestigkeit. Diese Eigenschaft macht Saphir-Wafer sehr nützlich in Anwendungen, die kratzfeste und verschleißfeste Oberflächen erfordern, wie z. B. Uhrenoberflächenbeschichtungen und optische Fenster.
3. Chemische Stabilität:
Saphir-Wafer weisen eine gute chemische Stabilität auf und können Säure- und Alkalikorrosion widerstehen. Dies macht sie vorteilhaft für den Einsatz in chemischen Sensoren, biomedizinischen Geräten und Umgebungen mit hohen Temperaturen/hohen Drücken.
4. Thermische Eigenschaften:
Saphir-Wafer haben eine hohe Wärmeleitfähigkeit und Wärmekapazität, was sie in Umgebungen mit hohen Temperaturen stabiler macht. Daher sind Saphir-Wafer eine ideale Materialwahl in Hochtemperatursensoren, Laserkühlsystemen und Hochtemperatur-Elektronikgeräten.

Parametertabelle des 12-Zoll-Saphir-Wafers:

 
Physisches Foto des 12-Zoll-Saphir-Wafers:

Anwendungen von  12-Zoll-Saphir-Wafer:

1. C-Ebenen-Saphir-Wafer werden ausgiebig für das Wachstum von Breitbandlücken-III-V- und II-VI-Halbleitermaterialien wie Galliumnitrid (GaN), Aluminiumnitrid (AlN), Indiumnitrid (InN), Zinkoxid (ZnO für UV-Lichtemission) und Zinnoxid (SnO2 für UV-Licht emittierende Materialien) verwendet.
 
2. Darüber hinaus finden Standard-C-Ebenen-(0001)-Saphir-Wafer breite Anwendung bei der Herstellung von LED-Weiß-, Blau-, UV- und Deep-UV-Epitaxialwafern durch Techniken wie metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD), Molekularstrahlepitaxie (MBE), plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (PECVD) und andere epitaktische Wachstumsverfahren.
 
3. Standard-Saphir-Wafer können auch als Substrate für Heterojunction-Bipolartransistoren (HBTs), Laserdioden (LDs), UV-Detektoren, Nanoröhren und als Wärmeableitungsmaterialien für Hochtemperatur-, Hochleistungs- und Hochfrequenz-Elektronikgeräte dienen.

12-Zoll-Saphir-Wafer of den Anwendungsfotos:

Anpassung  des 12-Zoll-Saphir-Wafers:

Wir bieten Anpassungsoptionen für Saphir-Substrate in verschiedenen Größen an, darunter 1 Zoll, 2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll, 5 Zoll, 6 Zoll, 8 Zoll und 12 Zoll Durchmesser. Unser Saphir-Wafer kann an Ihre spezifischen Anforderungen angepasst werden, mit einer Durchmesser-Toleranz von ≤3 %.
1. Verwendung von hochreinem Einkristall-Al2O3-Material in optischer Qualität mit 99,999 % Reinheit.
2. Spezielle CMP-Technologie (chemisch-mechanisches Polieren) wird eingesetzt, um seine kostengünstige Leistung zu gewährleisten.
3. Alle Kristallorientierungen weisen eine ausgezeichnete Oberflächenqualität auf (C-Ebenen-Oberflächenrauheit kleiner als 0,2 nm, A-Ebene, M-Ebene, R-Ebene usw. kleiner als 0,5 nm).
4. Gereinigt in einem Reinigungsbereich der Klasse 100 mit ultrareinem Wasser von über 18 MΩ*cm, um eine überlegene Sauberkeit auf jeder Waferoberfläche zu gewährleisten.
5. Verpackt in Kartons mit 25 Wafern oder Einzelwafer-Kartons, um die Flexibilität der Kundenforschung zu maximieren.
6. Jedem Wafer wird eine Produktseriennummer zur Rückverfolgbarkeit zugewiesen.
7. Eine rationale und kompakte Kartonverpackung gewährleistet einen sichereren Transport und Kosteneinsparungen.
8. Standard-Spezifikations-Wafer sind in der Regel auf Lager für eine schnelle Lieferung.

FAQ:

1. F: Was ist der Unterschied zwischen Saphir- und Silizium-Wafern?
    A: LEDs sind die beliebtesten Anwendungen für Saphir. Das Material ist transparent und ein ausgezeichneter Lichtleiter. Im Vergleich dazu ist Silizium opak und ermöglicht keine effiziente Lichteinleitung. Das Halbleitermaterial ist ideal für LEDs, da es sowohl billig als auch transparent ist.
2. F: Was ist Saphir in der Halbleitertechnik?
    A: Hochreiner Einkristall (AI2O3), Saphir ist ideal für die präzisen und anspruchsvollen Anforderungen der Halbleiterfertigung und bietet eine transparente, aber langlebige, partikelfreie und kostengünstige Lösung in aggressiven Umgebungen, die für Materialien mit geringerer Technologie zu herausfordernd sind.
3. F: Warum gibt es Silizium auf Saphir?
    A: SOS ist Teil der Silizium-auf-Isolator (SOI)-Familie von CMOS (Complementary MOS)-Technologien. ) auf erwärmten Saphirsubstraten. Der Vorteil von Saphir ist, dass es ein ausgezeichneter elektrischer Isolator ist und verhindert, dass sich Streuströme, die durch Strahlung verursacht werden, auf benachbarte Schaltungselemente ausbreiten.

Produktempfehlung:

1. 0,1 mm dicke Saphir-Wafer 

2.2-Zoll A-Ebene Einkristall-Saphir-Wafer-Substrate Al2O3 monokristallin