C-Ebene (0001), A-Ebene (11-20), R-Ebene (1-102) oder Benutzerdefiniert
Substratform:
Rund, quadratisch, rechteckig oder benutzerdefiniert
Metallisierungsprozess:
Sputtern, Verdampfen oder andere qualifizierte Prozesse
Haftschicht:
Ti, Cr oder andere spezifizierte Materialien
Barriereschicht:
Ni, Pt oder andere Materialien, je nach Design
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
Von Fall zu Fall
Hervorheben:
Metallized sapphire substrates for RF devices
,
Microwave microelectronic sapphire substrates
,
Sapphire substrates with metallized coating
Produkt-Beschreibung
Product Overview Metallized sapphire substrates are functional substrate materials manufactured by depositing metallic thin films onto high-purity single-crystal sapphire (Al₂O₃). By combining the excellent electrical insulation, high hardness, chemical stability, and thermal stability of sapphire with the functional properties of metal films, these substrates provide a versatile solution for advanced electronic devices, RF components, optoelectronic systems, and semiconducto