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Einzelheiten zu den Produkten

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Saphirsubstrat
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Semiconductor-Grade 6-Inch Sapphire Wafer, High-Purity Low-Defect Sapphire Substrate for GaN Epitaxy

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Semiconductor-Grade 6-Inch Sapphire Wafer, High-Purity Low-Defect Sapphire Substrate for GaN Epitaxy
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Semiconductor-Grade 6-Inch Sapphire Wafer, High-Purity Low-Defect Sapphire Substrate for GaN Epitaxy

Markenbezeichnung: ZMSH
Modellnummer: Saphirwafer
MOQ: 10 Stk
Preis: 5usd
Verpackungsdetails: Vakuumverpackung
Zahlungsbedingungen: T/T
Ausführliche Information
Produkt-Beschreibung
Ausführliche Information
Herkunftsort:
China
Zertifizierung:
Rohs
Durchmesser:
150 ± 0,1 mm
Dicke:
350 ± 15 μm, 500 ± 15 μm, 1000 ± 15 μm
Rauheit:
Ra ≤ 0,2 nm
Kette:
≤ 15 μm
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
Von Fall zu Fall
Produkt-Beschreibung
Semiconductor-Grade 6-Inch Sapphire Wafer, High-Purity Low-Defect Sapphire Substrate for GaN Epitaxy Product Description: Our 6 inch sapphire wafer is made of high-purity single-crystal aluminum oxide (α-Al₂O₃), with standard C-plane (0001) orientation, and optional R-plane, A-plane and M-plane cuts. It is available in single-side polished (SSP) and double-side polished (DSP) finishes, with epi-ready surface quality. Standard thickness ranges from 430μm to 1300μm, with total
Tags: 

Saphiroblate  

Silikonsubstrat  

Saphirmaterial

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