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Karbid-Substrat des Silikon-4Inch, hoher Reinheitsgrad-Hauptattrappe ordnen halb ultra sic Oblaten 4H-
Produktdetails:
| Herkunftsort: | China |
| Markenname: | ZMKJ |
| Modellnummer: | e-hoh Reinheit 4inch |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 1pcs |
|---|---|
| Preis: | 600-1500usd/pcs by FOB |
| Verpackung Informationen: | einzelnes Oblatenpaket im Reinigungsraum mit 100 Graden |
| Lieferzeit: | 1-6weeks |
| Zahlungsbedingungen: | T / T, Western Union, MoneyGram |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 1-50pcs/month |
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Detailinformationen |
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| Material: | Sic einzelne Kristall-Art 4H-N | Zulassung: | Dummy/Forschung/Produktionsqualität |
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| Thicnkss: | 350um oder 500um | Suraface: | CMP/MP |
| Anwendung: | Geräthersteller-Poliertest | Durchmesser: | 100 ± 0,3 mm |
| Hervorheben: | Silikonkarbidsubstrat,Silikon auf Saphiroblaten |
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Produkt-Beschreibung
Hochreine 4H-N 4 Zoll 6 Zoll Durchmesser 150 mm Siliziumkarbid Einzelkristall (sic) Substrate Wafer, sic Kristallbarrenmit einer Dicke von mehr als 10 mm,Silikonkarbid-Kristallwafer/ nach Maßgeschmack geschnittene Silikonwafer
Über Siliziumkarbid (SiC) Kristall
Siliziumcarbid (SiC), auch bekannt als Carborundum, ist ein Halbleiter, der Silizium und Kohlenstoff mit der chemischen Formel SiC enthält.SiC wird in Halbleiter-Elektronikgeräten verwendet, die bei hohen Temperaturen oder hohen Spannungen arbeiten, oder beides. SiC ist auch eine der wichtigen LED-Komponenten, es ist ein beliebtes Substrat für den Anbau von GaN-Geräten und dient auch als Wärmeverbreiter in Hochleistungs-LEDs.
Das 4-Zoll-Siliziumkarbid (SiC) -Substrat, hergestellt aus hochreinen Prime-Dummy-Ultra-Grade-4H-SiC-Wafern, ist für fortschrittliche Halbleiteranwendungen konzipiert.Diese Wafer bieten hervorragende elektrische und thermische EigenschaftenDer 4H-SiC-Polytyp bietet eine breite Bandbreite, eine hohe Abbruchspannung und eine überlegene Wärmeleitfähigkeit.die eine effiziente Leistung des Geräts unter extremen Bedingungen ermöglichtDiese Substrate sind unerlässlich für die Herstellung hochwertiger, zuverlässiger Halbleiter, die in der Leistungselektronik, in erneuerbaren Energiesystemen und in Elektrofahrzeugen eingesetzt werden.wenn Präzision und Haltbarkeit von entscheidender Bedeutung sindDie hochwertige Qualität gewährleistet minimale Defekte, unterstützt das Wachstum der epitaxialen Schichten und verbessert die Herstellung von Geräten.
Eigenschaften von 4H-SiC-Einkristall
- Gitterparameter: a=3.073Å c=10.053Å
- Aufstapelung: ABCB
- Mohs-Härte: ≈9.2
- Dichte: 3,21 g/cm3
- Wärmeweiterungskoeffizient: 4-5×10-6/K
- Brechungsindex: no= 2,61 ne= 2.66
- Dielektrische Konstante: 9.6
- Wärmeleitfähigkeit: a~4,2 W/cm·K@298K
- (N-Typ, 0,02 Ohm.cm) c~3,7 W/cm·K@298K
- Wärmeleitfähigkeit: a~4,9 W/cm·K@298K
- (Halbdämmstoff) c~3,9 W/cm·K@298K
- Band-Lücke: 3,23 eV Band-Lücke: 3,02 eV
- Ein elektrisches Feld bei Abbruch: 3-5×10 6V/m
- Sättigungsdriftgeschwindigkeit: 2,0 × 105 m/
Hochreine 4 Zoll Durchmesser Siliziumkarbid (SiC) Substrat Spezifikation
4 Zoll Durchmesser Hohe Reinheit 4H Siliziumkarbid Substrat Spezifikationen
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Substrat-Eigenschaft |
Produktionsgrad |
Forschungsgrad |
Schwachstelle |
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Durchmesser |
100.0 mm+0.0/-0,5 mm |
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Oberflächenorientierung |
{0001} ±0,2° |
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Primäre flache Orientierung |
< 11-20> ± 5,0 ̊ |
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Sekundäre flache Ausrichtung |
90.0 ̊ CW von Primär ± 5.0 ̊, Silizium nach oben |
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Primärflächige Länge |
32.5 mm ± 2,0 mm |
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Sekundäre flache Länge |
18.0 mm ±2.0 mm |
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Waferrand |
Schaum |
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Mikropipendichte |
≤ 5 Mikroreifen/cm2 |
≤10 Mikroreifen/cm2 |
≤ 50Mikropiobe/cm2 |
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Polytypbereiche nach Lichtstärke |
Nicht zulässig |
≤10% Fläche |
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Widerstand |
≥1E5Ohm·cm |
(Fläche 75%)≥1E5Ohm·cm |
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Stärke |
350.0 μm ± 25,0 μmoder 500.0 μm ± 25,0 μm |
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TTV |
- Ich weiß.10 μm |
- Ich weiß.15 μm |
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Verbeugen(Absoluter Wert) |
- Ich weiß.25 μm |
- Ich weiß.30 μm |
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Warpgeschwindigkeit |
- Ich weiß.45μm |
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Oberflächenbearbeitung |
Doppelseitiges Polish, Si-Gesicht CMP(chemische Polierung) |
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Oberflächenrauheit |
CMP Si Gesichtsra≤0,5 nm |
N/A |
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Risse durch hochintensives Licht |
Nicht zulässig |
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Grenzschnitte/Eindrücke durch diffuse Beleuchtung |
Nicht zulässig |
Wie viel?2<1.0 mm Breite und Tiefe |
Wie viel?2<1.0 mm Breite und Tiefe |
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Gesamtnutzbare Fläche |
≥ 90% |
≥ 80% |
N/A |
*Die übrigen Spezifikationen können je nach Kunden angepasst werden- Ich weiß.s Anforderungen
6 Zoll hochreine, halbisolierende 4H-SiC-Substrate Spezifikationen
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Eigentum |
U (Ultra) -Klasse |
P(Produktion)Zulassung |
R(Forschung)Zulassung |
D(Du Dummkopf.)Zulassung |
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Durchmesser |
1500,0 mm±0,25 mm |
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Oberflächenorientierung |
{0001} ± 0,2° |
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Primäre flache Orientierung |
Der Wert des Wassers wird in der Tabelle 1 angegeben. |
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Sekundäre flache Ausrichtung |
N/A |
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Primärflächige Länge |
47.5 mm ± 1,5 mm |
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Sekundärflächenlänge |
Keine |
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Waferrand |
Schaum |
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Mikropipendichte |
≤ 1 /cm2 |
≤ 5 /cm2 |
≤ 10 /cm2 |
≤ 50 /cm2 |
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Polytypbereich nach Licht mit hoher Intensität |
Keine |
≤ 10% |
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Widerstand |
≥1E7 Ω·cm |
(Fläche 75%)≥1E7 Ω·cm |
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Stärke |
350.0 μm ± 25,0 μm oder 500,0 μm ± 25,0 μm |
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TTV |
- Ich weiß.10 μm |
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Bogen (absoluter Wert) |
- Ich weiß.40 μm |
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Warpgeschwindigkeit |
- Ich weiß.60 μm |
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Oberflächenbearbeitung |
C-Seite: optisch poliert, Si-Seite: CMP |
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Rauheit ((10)μm×10μm) |
CMP Si-Gesicht Ra<0.5 nm |
N/A |
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Riss durch Licht mit hoher Intensität |
Keine |
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Grenzspalten/Eindrücke durch Diffusebeleuchtung |
Keine |
Qty≤2, die Länge und Breite jedes<1 mm |
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Wirkungsbereich |
≥ 90% |
≥ 80% |
N/A |
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* Die Fehlergrenzwerte gelten für die gesamte Oberfläche der Wafer mit Ausnahme des Rand-Ausschließungsbereichs.
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4H-N-Typ / SiC-Wafer mit hoher Reinheit/Blöcke
2 Zoll 4H SiC-Wafer des Typs N/Blöcke
3 Zoll 4H SiC-Wafer des Typs N 4 Zoll 4H SiC-Wafer des Typs N/Blöcke 6 Zoll 4H SiC-Wafer des Typs N/Blöcke |
4H Halbdämmstoff / hohe ReinheitSiC-Wafer 2 Zoll 4H Halbisolierende SiC Wafer
3 Zoll 4H Halbisolierende SiC Wafer 4 Zoll 4H Halbisolier-SiC-Wafer 6 Zoll 4H Halbisolierende SiC-Wafer |
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6H SiC-Wafer des Typs N
2 Zoll 6H SiC-Wafer des Typs N/Ingot |
Maßgeschneiderte Größe für 2-6 Zoll
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Vertrieb und Kundenservice
Materialkauf
Die Abteilung für Materialbeschaffung ist dafür verantwortlich, alle Rohstoffe zu sammeln, die zur Herstellung Ihres Produkts benötigt werden.einschließlich chemischer und physikalischer Analysen sind immer verfügbar.
Qualität
Während und nach der Herstellung oder Bearbeitung Ihrer Produkte sorgt die Abteilung Qualitätskontrolle dafür, dass alle Materialien und Toleranzen Ihre Spezifikationen erfüllen oder übertreffen.
Dienstleistungen
Wir sind stolz darauf, Vertriebstechniker mit mehr als 5 Jahren Erfahrung in der Halbleiterindustrie zu haben.Sie sind ausgebildet, um technische Fragen zu beantworten und rechtzeitig Angebote für Ihre Bedürfnisse zu machen.
Wir stehen Ihnen jederzeit zur Seite, wenn Sie Probleme haben, und lösen sie in 10 Stunden.