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350um Dicke 4h-N 4H-SEMI SIC Siliziumkarbid Wafer für Epitaxial
Produktdetails:
| Herkunftsort: | China |
| Markenname: | ZMKJ |
| Modellnummer: | sic Oblaten 4inch |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 3PCS |
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| Preis: | by case |
| Verpackung Informationen: | einzelnes Oblatenpaket im Reinigungsraum mit 100 Graden |
| Lieferzeit: | 1-6weeks |
| Zahlungsbedingungen: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 1-50pcs/month |
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Detailinformationen |
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| Material: | Sic einzelnes Kristall-4h-N | Zulassung: | Erzeugungsklasse |
|---|---|---|---|
| Thicnkss: | 1.5 mm | Suraface: | DSP |
| Anwendung: | Epitaksiale | Durchmesser: | 4inch |
| Farbe: | Grün | MPD: | < 1 cm-2 |
| Hervorheben: | 4h-N SIC Oblate,4 H-N Silicon Carbide Wafer,1.5mm Silikon-Karbid-Oblate |
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Produkt-Beschreibung
Maßgeschneidert/2 Zoll / 3 Zoll / 4 Zoll / 6 Zoll 6H-N / 4H-SEMI / 4H-N SIC Ingots / Hohe Reinheit 4H-N 4 Zoll 6 Zoll Durchmesser 150 mm Siliziumkarbid Single
SiC-Wafer 4-Zoll-Prime-Forschungsmannequin Grade 4H-N/SEMI Standardgröße
Über Siliziumkarbid (SiC) Kristall
Siliziumcarbid (SiC), auch bekannt als Carborundum, ist ein Halbleiter, der Silizium und Kohlenstoff mit der chemischen Formel SiC enthält.SiC wird in Halbleiter-Elektronikgeräten verwendet, die bei hohen Temperaturen oder hohen Spannungen arbeiten, oder beides. SiC ist auch eine der wichtigen LED-Komponenten, es ist ein beliebtes Substrat für den Anbau von GaN-Geräten und dient auch als Wärmeverbreiter in Hochleistungs-LEDs.
| Eigentum | 4H-SiC, Einzelkristall | 6H-SiC, Einzelkristall |
| Gitterparameter | a=3,076 Å c=10,053 Å | a=3,073 Å c=15,117 Å |
| Abfolge der Stapelung | ABCB | ABCACB |
| Mohs-Härte | - 9 Jahre.2 | - 9 Jahre.2 |
| Dichte | 3.21 g/cm3 | 3.21 g/cm3 |
| Therm. Expansionskoeffizient | 4 bis 5 × 10 bis 6/K | 4 bis 5 × 10 bis 6/K |
| Brechungsindex @750 nm |
nicht = 2.61 |
nicht = 2.60 |
| Dielektrische Konstante | c~9.66 | c~9.66 |
| Wärmeleitfähigkeit (N-Typ, 0,02 Ohm.cm) |
a ~ 4,2 W/cm·K@298K |
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| Wärmeleitfähigkeit (Halbisolierung) |
a~4,9 W/cm·K@298K |
a~4,6 W/cm·K@298K |
| Band-Gap | 3.23 eV | 30,02 eV |
| Ein elektrisches Feld, das abbrechen kann | 3 bis 5 × 106 V/cm | 3 bis 5 × 106 V/cm |
| Geschwindigkeit der Sättigungsdrift | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
4H-N 4 Zoll Durchmesser Siliziumkarbid (SiC) Substratspezifikation
| 2 Zoll Durchmesser Siliziumkarbid (SiC) Substrat Spezifikation | ||||||||||
| Zulassung | Null MPD-Klasse | Produktionsgrad | Forschungsgrad | Schwachstelle | ||||||
| Durchmesser | 100. mm±0,5 mm | |||||||||
| Stärke | 350 μm±25 μm oder 500±25 μm oder andere maßgeschneiderte Dicke | |||||||||
| Waferorientierung | Außerhalb der Achse: 4,0° in Richtung < 1120> ± 0,5° für 4H-N/4H-SI | |||||||||
| Mikropipendichte | ≤ 0 cm-2 | ≤1cm-2 | ≤ 5 cm-2 | ≤ 10 cm2 | ||||||
| Widerstand | 4H-N | 00,015 bis 0,028 Ω•cm | ||||||||
| 6H-N | 00,02 bis 0,1 Ω•cm | |||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||||
| Primäre Wohnung | {10-10} ± 5,0° | |||||||||
| Primärflächige Länge | 18.5 mm±2.0 mm | |||||||||
| Sekundäre flache Länge | 10.0 mm±2,0 mm | |||||||||
| Sekundäre flache Ausrichtung | Silikon nach oben: 90° CW. von Prime flat ±5,0° | |||||||||
| Grenze ausgeschlossen | 1 mm | |||||||||
| TTV/Bow/Warp | ≤ 10 μm /≤ 10 μm /≤ 15 μm | |||||||||
| Grobheit | Polnische Ra≤1 nm | |||||||||
| CMP Ra≤0,5 nm | ||||||||||
| Risse durch hochintensives Licht | Keine | 1 zulässig, ≤ 2 mm | Kumulative Länge ≤ 10 mm, Einzellänge ≤ 2 mm | |||||||
| Hex-Platten mit hoher Lichtstärke | Kumulative Fläche ≤ 1% | Kumulative Fläche ≤ 1% | Kumulative Fläche ≤ 3% | |||||||
| Polytypbereiche nach Lichtstärke | Keine | Kumulative Fläche ≤ 2% | Kumulative Fläche ≤ 5% | |||||||
| Kratzer durch Licht mit hoher Intensität | 3 Kratzer bis 1 × Waferdurchmesser kumulative Länge | 5 Kratzer bis 1 × Waferdurchmesser kumulative Länge | 5 Kratzer bis 1 × Waferdurchmesser kumulative Länge | |||||||
| Kantenchip | Keine | 3 zulässig, jeweils ≤ 0,5 mm | 5 zulässig, jeweils ≤ 1 mm | |||||||
Produktionsausstellung
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4H-N-Typ / SiC-Wafer mit hoher Reinheit/Blöcke
2 Zoll 4H SiC-Wafer des Typs N/Blöcke
3 Zoll 4H SiC-Wafer des Typs N 4 Zoll 4H SiC-Wafer des Typs N/Blöcke 6 Zoll 4H SiC-Wafer des Typs N/Blöcke |
4H Halbdämmstoff / hohe ReinheitSiC-Wafer 2 Zoll 4H Halbisolierende SiC Wafer
3 Zoll 4H Halbisolierende SiC Wafer 4 Zoll 4H Halbisolier-SiC-Wafer 6 Zoll 4H Halbisolierende SiC-Wafer |
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6H SiC-Wafer des Typs N
2 Zoll 6H SiC-Wafer des Typs N/Ingot |
Maßgeschneiderte Größe für 2-6 Zoll
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SiC-Anwendungen
Anwendungsbereiche
- 1 Hochfrequenz- und Hochleistungselektronikgeräte Schottky-Dioden, JFET, BJT, PiN,
- Dioden, IGBT, MOSFET
- 2 optoelektronische Geräte: hauptsächlich in GaN/SiC-blauen LED-Substratmaterialien (GaN/SiC) verwendet
>Verpackung Logistik
Wir kümmern uns um jedes Detail der Verpackung, Reinigung, antistatische, Stoßbehandlung.
Je nach Menge und Form des Produktes nehmen wir einen anderen Verpackungsprozess! Fast durch einzelne Waferkassetten oder 25pcs Kassette in 100 Grad Reinigungsraum.
Nach der Menge.