Markenbezeichnung:	ZMKJ
Modellnummer:	sic Oblaten 4inch
MOQ:	3PCS
Preis:	by case
Verpackungsdetails:	einzelnes Oblatenpaket im Reinigungsraum mit 100 Graden
Zahlungsbedingungen:	T/T, Western Union, MoneyGram

Ausführliche Information

Produkt-Beschreibung

Ausführliche Information

Herkunftsort:

China

Material:

Sic einzelnes Kristall-4h-N

Zulassung:

Erzeugungsklasse

Thicnkss:

1.5 mm

Suraface:

DSP

Anwendung:

Epitaksiale

Durchmesser:

4inch

Farbe:

Grün

MPD:

< 1 cm-2

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

1-50pcs/month

Hervorheben:

4h-N SIC Oblate

4 H-N Silicon Carbide Wafer

1.5mm Silikon-Karbid-Oblate

Produkt-Beschreibung

Maßgeschneidert/2 Zoll / 3 Zoll / 4 Zoll / 6 Zoll 6H-N / 4H-SEMI / 4H-N SIC Ingots / Hohe Reinheit 4H-N 4 Zoll 6 Zoll Durchmesser 150 mm Siliziumkarbid Single

SiC-Wafer 4-Zoll-Prime-Forschungsmannequin Grade 4H-N/SEMI Standardgröße

Über Siliziumkarbid (SiC) Kristall

Siliziumcarbid (SiC), auch bekannt als Carborundum, ist ein Halbleiter, der Silizium und Kohlenstoff mit der chemischen Formel SiC enthält.SiC wird in Halbleiter-Elektronikgeräten verwendet, die bei hohen Temperaturen oder hohen Spannungen arbeiten, oder beides. SiC ist auch eine der wichtigen LED-Komponenten, es ist ein beliebtes Substrat für den Anbau von GaN-Geräten und dient auch als Wärmeverbreiter in Hochleistungs-LEDs.

1Beschreibung.

Eigentum	4H-SiC, Einzelkristall	6H-SiC, Einzelkristall
Gitterparameter	a=3,076 Å c=10,053 Å	a=3,073 Å c=15,117 Å
Abfolge der Stapelung	ABCB	ABCACB
Mohs-Härte	- 9 Jahre.2	- 9 Jahre.2
Dichte	3.21 g/cm3	3.21 g/cm3
Therm. Expansionskoeffizient	4 bis 5 × 10 bis 6/K	4 bis 5 × 10 bis 6/K
Brechungsindex @750 nm	nicht = 2.61 Ne = 2.66	nicht = 2.60 Ne = 2.65
Dielektrische Konstante	c~9.66	c~9.66
Wärmeleitfähigkeit (N-Typ, 0,02 Ohm.cm)	a ~ 4,2 W/cm·K@298K c~3,7 W/cm·K@298K
Wärmeleitfähigkeit (Halbisolierung)	a~4,9 W/cm·K@298K c~3,9 W/cm·K@298K	a~4,6 W/cm·K@298K c~3,2 W/cm·K@298K
Band-Gap	3.23 eV	30,02 eV
Ein elektrisches Feld, das abbrechen kann	3 bis 5 × 106 V/cm	3 bis 5 × 106 V/cm
Geschwindigkeit der Sättigungsdrift	2.0×105m/s	2.0×105m/s

4H-N 4 Zoll Durchmesser Siliziumkarbid (SiC) Substratspezifikation

2 Zoll Durchmesser Siliziumkarbid (SiC) Substrat Spezifikation
Zulassung		Null MPD-Klasse	Produktionsgrad	Forschungsgrad	Schwachstelle

Durchmesser		100. mm±0,5 mm

Stärke		350 μm±25 μm oder 500±25 μm oder andere maßgeschneiderte Dicke

Waferorientierung		Außerhalb der Achse: 4,0° in Richtung < 1120> ± 0,5° für 4H-N/4H-SI

Mikropipendichte		≤ 0 cm-2	≤1cm-2	≤ 5 cm-2	≤ 10 cm2

Widerstand	4H-N	00,015 bis 0,028 Ω•cm

	6H-N	00,02 bis 0,1 Ω•cm

	4/6H-SI	≥1E5 Ω·cm

Primäre Wohnung		{10-10} ± 5,0°

Primärflächige Länge		18.5 mm±2.0 mm

Sekundäre flache Länge		10.0 mm±2,0 mm

Sekundäre flache Ausrichtung		Silikon nach oben: 90° CW. von Prime flat ±5,0°

Grenze ausgeschlossen		1 mm

TTV/Bow/Warp		≤ 10 μm /≤ 10 μm /≤ 15 μm

Grobheit		Polnische Ra≤1 nm

		CMP Ra≤0,5 nm

Risse durch hochintensives Licht		Keine		1 zulässig, ≤ 2 mm	Kumulative Länge ≤ 10 mm, Einzellänge ≤ 2 mm


Hex-Platten mit hoher Lichtstärke		Kumulative Fläche ≤ 1%		Kumulative Fläche ≤ 1%	Kumulative Fläche ≤ 3%

Polytypbereiche nach Lichtstärke		Keine		Kumulative Fläche ≤ 2%	Kumulative Fläche ≤ 5%


Kratzer durch Licht mit hoher Intensität		3 Kratzer bis 1 × Waferdurchmesser kumulative Länge		5 Kratzer bis 1 × Waferdurchmesser kumulative Länge	5 Kratzer bis 1 × Waferdurchmesser kumulative Länge


Kantenchip		Keine		3 zulässig, jeweils ≤ 0,5 mm	5 zulässig, jeweils ≤ 1 mm

Produktionsausstellung

KATALOG GELEBTE GrößeIn unserer Inventarliste

4H-N-Typ / SiC-Wafer mit hoher Reinheit/Blöcke 2 Zoll 4H SiC-Wafer des Typs N/Blöcke 3 Zoll 4H SiC-Wafer des Typs N 4 Zoll 4H SiC-Wafer des Typs N/Blöcke 6 Zoll 4H SiC-Wafer des Typs N/Blöcke	4H Halbdämmstoff / hohe ReinheitSiC-Wafer 2 Zoll 4H Halbisolierende SiC Wafer 3 Zoll 4H Halbisolierende SiC Wafer 4 Zoll 4H Halbisolier-SiC-Wafer 6 Zoll 4H Halbisolierende SiC-Wafer
6H SiC-Wafer des Typs N 2 Zoll 6H SiC-Wafer des Typs N/Ingot	Maßgeschneiderte Größe für 2-6 Zoll

SiC-Anwendungen

Anwendungsbereiche

1 Hochfrequenz- und Hochleistungselektronikgeräte Schottky-Dioden, JFET, BJT, PiN,
Dioden, IGBT, MOSFET
2 optoelektronische Geräte: hauptsächlich in GaN/SiC-blauen LED-Substratmaterialien (GaN/SiC) verwendet

>Verpackung Logistik
Wir kümmern uns um jedes Detail der Verpackung, Reinigung, antistatische, Stoßbehandlung.

Je nach Menge und Form des Produktes nehmen wir einen anderen Verpackungsprozess! Fast durch einzelne Waferkassetten oder 25pcs Kassette in 100 Grad Reinigungsraum.

Häufig gestellte Fragen

Sind Sie eine Fabrik?

A1. Ja, wir sind ein professioneller Hersteller von optischen Komponenten, wir haben mehr als 8 Jahre Erfahrung in Wafern und optischen Linsenprozess.

F2: Was ist die MOQ Ihrer Produkte?

A2. Keine MOQ für Kunden, wenn unser Produkt auf Lager ist, oder 1-10 Stück.

Q3: Kann ich die Produkte nach meiner Anforderung anpassen?

A3.Ja, wir können das Material, die Spezifikationen und die optische Beschichtung für Ihre optischen Komponenten nach Ihren Anforderungen anpassen.

Q4. Wie kann ich eine Probe von Ihnen bekommen?

A4: Senden Sie uns einfach Ihre Anforderungen, dann schicken wir entsprechend Proben.

F5: Wie viele Tage dauert es, bis die Proben fertig sind?

A5: Im Allgemeinen benötigen wir 1 ~ 2 Wochen, um die Probeproduktion zu beenden.

F6: Wie ist die Lieferzeit?

A6. (1) Für Lagerbestände beträgt die Lieferzeit 1-3 Werktage. (2) Für kundenspezifische Produkte beträgt die Lieferzeit 7 bis 25 Werktage.
Nach der Menge.

F7: Wie kontrollieren Sie die Qualität?

A7. Mehr als viermal Qualitätsprüfung während des Produktionsprozesses,wir können den Qualitätsprüfbericht zur Verfügung stellen.

F8: Wie sieht es mit Ihrer Produktionskapazität für optische Linsen pro Monat aus?

A8. Ungefähr 1.000 Stück/Monat. Je nach Detailanforderung.

Tags:

Saphirsubstrat

Saphir optisches Windows

Silikon-Karbid-Oblate

Sapphire Tube

Gallium-Nitrid-Oblate

Halbleiter-Substrat

Synthetischer Gem Stone

Teile aus Keramik

wissenschaftliche Laborausrüstung

Saphir-Kristall-Uhrgehäuse

Oblaten-Fördermaschinen-Kasten

Supraleitendes dünnes monokristallines Substrat