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Einzelheiten zu den Produkten

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Gallium-Nitrid-Oblate
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Si lackierte Undoped Laser-Gerät-Gallium-Nitrid-Oblate

Si lackierte Undoped Laser-Gerät-Gallium-Nitrid-Oblate

Markenbezeichnung: zmkj
Modellnummer: GaN-FS-SIN-D-C50-SSP 2inch
MOQ: 1PCS
Preis: 1000~2500usd/pc
Verpackungsdetails: einzelner Oblatenkasten durch Vakuumverpackung
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union
Ausführliche Information
Herkunftsort:
China
Material:
Einzelner Kristall GaN
Größe:
2inch
Stärke:
0.35mm
Art:
N-artig/undoped, lackiert,
Anwendung:
Laser-Projektions-Anzeige, Starkstromgerät
Wachstum:
HVPE
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
50pcs pro Monat
Hervorheben:

Laser-Gerät Gallium-Nitrid-Oblate

,

Undoped Gallium-Nitrid-Oblate

,

Undoped Gan-Oblate

Produkt-Beschreibung

 

 

Substratschablone 2inch GaN, GaN-Oblate für LeD, Halbleitergallium-Nitrid-Oblate für ld, GaN-Schablone, mocvd GaN Wafer, freistehender GaN Substrates durch kundengebundene Größe, kleine GaN-Oblate für LED, mocvd-Gallium-Nitridoblate 10x10mm, 5x5mm, 10x5mm GaN Oblate, apolarer freistehender GaN Substrates (Einfläche und Mfläche)

 

GaN Wafer Characteristic

  1. III-Nitrid (GaN, AlN, Gasthaus)

Gallium-Nitrid ist eine Art Verbindungshalbleiter BreitGaps. Substrat des Gallium-Nitrids (GaN) ist

ein hochwertiges Einzelkristallsubstrat. Es wird mit ursprünglicher HVPE-Methode und Verfahrenstechnik der Oblate gemacht, die ursprünglich für 10+years in China entwickelt worden ist. Die Eigenschaften sind hohe kristallene, gute Einheitlichkeit und überlegene Oberflächenbeschaffenheit. GaN-Substrate werden für viele Arten Anwendungen, für weiße LED benutzt und LD (violett, blau und grün) außerdem Entwicklung ist für Energie und Hochfrequenzanwendungen des elektronischen Geräts weitergekommen.

 

Die verbotene Bandbreite (lichtemittierend und Absorption) umfasst das ultraviolette, sichtbare Licht und das Infrarot.

 

Anwendungen

GaN kann in vielen Bereichen wie LED-Anzeige, energiereicher Entdeckung und Darstellung verwendet werden,
Laser-Projektions-Anzeige, Starkstromgerät, etc.

 

  • Hochfrequenzmikrowellen-Geräte energiereiche Entdeckung und sich vorstellen
  • Neue Energie solor Wasserstofftechnologie Umwelt-Entdeckung und biologische Medizin
  • Lichtquelle terahertz Band
  • Laser-Projektions-Anzeige, Starkstromgerät, etc.       Datumsspeicher
  • Energiesparende Beleuchtung                                        Farbenreiche fla Anzeige
  • Laser Projecttions                                                 Hoch- Leistungsfähigkeits-elektronische Geräte

Si lackierte Undoped Laser-Gerät-Gallium-Nitrid-Oblate 0

2 Zoll freistehender GaN Substrates Specification

Si lackierte Undoped Laser-Gerät-Gallium-Nitrid-Oblate 1

Unsere Factroy-Unternehmens-Vision
wir versehen GaN-Substrat der hohen Qualität und Anwendungstechnologie für die Industrie mit unserer Fabrik.
Hohe Qualität GaNmaterial ist der zurückhaltene Faktor für die III-Nitridanwendung, z.B. langes Leben
und hohe Stabilität LDs, hohe Leistung und hohe Zuverlässigkeitsmikrowellengeräte, hohe Helligkeit
und hohe Leistungsfähigkeit, energiesparende LED.

- FAQ –
Q: Was können Sie Logistik und Kosten liefern?
(1) nehmen wir DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF und etc. an.
(2) wenn Sie Ihre eigene Eilzahl haben, ist sie groß.
Wenn nicht, könnten wir Sie unterstützen, um zu liefern. Freight=USD25.0 (das erste Gewicht) + USD12.0/kg

Q: Was ist die Lieferfrist?
(1) für die Standardprodukte wie Oblate 2inch 0.33mm.
Für Inventar: die Lieferung ist 5 Arbeitstage nach Auftrag.
Für kundengebundene Produkte: die Lieferung ist 2 oder 4 Arbeitswochen nach Auftrag.

Q: Wie man zahlt?
100%T/T, Paypal, Westverband, MoneyGram, sichere Zahlung und Geschäftsversicherung.

Q: Was ist das MOQ?
(1) für Inventar, ist das MOQ 1pcs.
(2) für kundengebundene Produkte, ist das MOQ 5pcs-10pcs.
Es hängt von der Quantität und von den Techniken ab.

Q: Haben Sie Abnahmeprüfprotokoll für Material?
Wir können ROHS-Bericht liefern und Berichte für unsere Produkte erreichen.

 

Paket

 
Si lackierte Undoped Laser-Gerät-Gallium-Nitrid-Oblate 2