• Ein-Achsen-Gallium-Nitrid-Oblate HVPE freier stehender Chip Template 5x5/10x10/5x10 Millimeter
Ein-Achsen-Gallium-Nitrid-Oblate HVPE freier stehender Chip Template 5x5/10x10/5x10 Millimeter

Ein-Achsen-Gallium-Nitrid-Oblate HVPE freier stehender Chip Template 5x5/10x10/5x10 Millimeter

Produktdetails:

Herkunftsort: CHINA
Markenname: zmkj
Modellnummer: GaN-FS-M-N-S5*10-DSP

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 10pcs
Preis: 1200~2500usd/pc
Verpackung Informationen: einzelner Oblatenkasten durch Vakuumverpackung
Lieferzeit: 1-5weeks
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 50pcs pro Monat
Bestpreis Kontakt

Detailinformationen

Material: Einzelner Kristall GaN Größe: mmt 10x10/5x5/5x10
Stärke: 0.35mm Art: N-artig
Anwendung: Halbleiterbauelement
Markieren:

Eine Achsen-Gallium-Nitrid-Oblate

,

Nitrid-Oblate des Gallium-5x5

,

Freie Stellung Chip Template GaN Wafer

Produkt-Beschreibung

Substratschablone 2inch GaN, GaN-Oblate für LeD, Halbleitergallium-Nitrid-Oblate für ld, GaN-Schablone, mocvd GaN Wafer, freistehender GaN Substrates durch kundengebundene Größe, kleine GaN-Oblate für LED, mocvd-Gallium-Nitridoblate 10x10mm, 5x5mm, 10x5mm GaN Oblate, apolarer freistehender GaN Substrates (Einfläche und Mfläche)

 

 

GaN Wafer Characteristic

Produkt Substrate des Galliumnitrids (GaN)
Produkt-Beschreibung:

Schablone Saphhire GaN wird Methode der Epitxial-Hydrid-Dampfphasen-Epitaxie (HVPE) dargestellt. Im HVPE-Prozess

die Säure produzierte durch die Reaktion GaCl, die der Reihe nach mit Ammoniak reagiert wird, um Galliumnitridschmelze zu produzieren. Epitaxial- GaN-Schablone ist eine kosteneffektive Weise, Galliumnitrideinzelnes Kristallsubstrat zu ersetzen.

Technische Parameter:
Größe 2" Runde; 50mm ± 2mm
Produktpositionierung C-Achse <0001> ± 1,0.
Leitfähigkeitsart N-artig u. P-artig
Widerstandskraft R <0>
Oberflächenbehandlung (GA-Gesicht) WIE gewachsen
Effektivwert <1nm>
Nutzflächebereich > 90%
Spezifikationen:

 

Epitaxial- Film GaN (c-Fläche), N-artig, 2" * 30 Mikrometer, Saphir;

Epitaxial- Film GaN (c-Fläche), N-artig, 2" * 5 Mikrometer Saphir;

Epitaxial- Film GaN (r-Fläche), N-artig, 2" * 5 Mikrometer Saphir;

Epitaxial- Film GaN (M Plane), N-artig, 2" * 5 Mikrometer Saphir.

AL2O3- + GaN-Film (N-artiges lackiertes Si); AL2O3- + GaN-Film (P-artiges lackiertes Magnesium)

Anmerkung: entsprechend spezieller Steckerorientierung und -größe der Kundennachfrage.

Standardverpacken: saubere Tasche 1000 Reinraum, 100 oder einzelnes Kastenverpacken
 

Ein-Achsen-Gallium-Nitrid-Oblate HVPE freier stehender Chip Template 5x5/10x10/5x10 Millimeter 0

 

Anwendung

GaN kann in vielen Bereichen wie LED-Anzeige, energiereicher Entdeckung und Darstellung verwendet werden,
Laser-Projektions-Anzeige, Starkstromgerät, etc.

  • Laser-Projektions-Anzeige, Starkstromgerät, etc.
  • Datumsspeicher
  • Energiesparende Beleuchtung
  • Farbenreiche fla Anzeige
  • Laser Projecttions
  • Hoch- Leistungsfähigkeits-elektronische Geräte
  • Hochfrequenzmikrowellen-Geräte
  • Energiereiche Entdeckung und sich vorstellen
  • Neue Energie solor Wasserstofftechnologie
  • Umwelt-Entdeckung und biologische Medizin
  • Lichtquelle terahertz Band


Ein-Achsen-Gallium-Nitrid-Oblate HVPE freier stehender Chip Template 5x5/10x10/5x10 Millimeter 1

Spezifikationen:

  Apolarer freistehender GaN Substrates (Einfläche und Mfläche)
Einzelteil GaN-Rumpfstation-ein GaN-Rumpfstation-m
Maße 5.0mm×5.5mm
5.0mm×10.0mm
5.0mm×20.0mm
Kundengebundene Größe
Stärke 350 ± 25 µm
Orientierung Einfläche ± 1° Mfläche ± 1°
TTV µm ≤15
BOGEN µm ≤20
Leitungs-Art N-artig
Widerstandskraft (300K) < 0="">
Versetzungsdichte Kleiner als cm2 5x106
Verwendbare Fläche > 90%
Polnisch Front Surface: Ra < 0="">
Hintere Oberfläche: Feiner Boden
Paket Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, in den einzelnen Oblatenbehältern, unter einer Stickstoffatmosphäre.

Ein-Achsen-Gallium-Nitrid-Oblate HVPE freier stehender Chip Template 5x5/10x10/5x10 Millimeter 2

Ein-Achsen-Gallium-Nitrid-Oblate HVPE freier stehender Chip Template 5x5/10x10/5x10 Millimeter 3

FAQ

Q: Was ist Ihre minimale Auftragsanforderung?
: MOQ: 10-teilig

Q: Wie lang nimmt es, um meinen Auftrag und Lieferung durchzuführen es?
: nach der Bestätigung der Zahlung und der Lieferung in 5days bestätigen Sie den Auftrag 1days, wenn auf Aktien.

Q: Können Sie Garantie Ihrer Produkte geben?
: Wir versprechen die Qualität, wenn die Qualität irgendwelche Probleme hat, wir produzieren neues produzieren oder zurückbringen Sie Geld.

Q: Wie man zahlt?
: T/T, Paypal, Westverband, Banküberweisung.

Q: WIE über die Fracht?
: wir können Ihnen helfen, für die Gebühr zu zahlen, wenn Sie nicht Konto haben,

wenn der Auftrag über 10000usd ist, können wir Lieferung durch CIF.

Möchten Sie mehr über dieses Produkt erfahren?
Ich bin daran interessiert Ein-Achsen-Gallium-Nitrid-Oblate HVPE freier stehender Chip Template 5x5/10x10/5x10 Millimeter Könnten Sie mir weitere Details wie Typ, Größe, Menge, Material usw. senden?
Vielen Dank!
Auf deine Antwort wartend.