Ein-Achsen-Gallium-Nitrid-Oblate HVPE freier stehender Chip Template 5x5/10x10/5x10 Millimeter
Produktdetails:
Herkunftsort: | CHINA |
Markenname: | zmkj |
Modellnummer: | GaN-FS-M-N-S5*10-DSP |
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: | 10pcs |
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Preis: | 1200~2500usd/pc |
Verpackung Informationen: | einzelner Oblatenkasten durch Vakuumverpackung |
Lieferzeit: | 1-5weeks |
Zahlungsbedingungen: | T/T |
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 50pcs pro Monat |
Detailinformationen |
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Material: | Einzelner Kristall GaN | Größe: | mmt 10x10/5x5/5x10 |
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Stärke: | 0.35mm | Art: | N-artig |
Anwendung: | Halbleiterbauelement | ||
Hervorheben: | Eine Achsen-Gallium-Nitrid-Oblate,Nitrid-Oblate des Gallium-5x5,Freie Stellung Chip Template GaN Wafer |
Produkt-Beschreibung
Substratschablone 2inch GaN, GaN-Oblate für LeD, Halbleitergallium-Nitrid-Oblate für ld, GaN-Schablone, mocvd GaN Wafer, freistehender GaN Substrates durch kundengebundene Größe, kleine GaN-Oblate für LED, mocvd-Gallium-Nitridoblate 10x10mm, 5x5mm, 10x5mm GaN Oblate, apolarer freistehender GaN Substrates (Einfläche und Mfläche)
GaN Wafer Characteristic
Produkt | Substrate des Galliumnitrids (GaN) | ||||||||||||||
Produkt-Beschreibung: |
Schablone Saphhire GaN wird Methode der Epitxial-Hydrid-Dampfphasen-Epitaxie (HVPE) dargestellt. Im HVPE-Prozess die Säure produzierte durch die Reaktion GaCl, die der Reihe nach mit Ammoniak reagiert wird, um Galliumnitridschmelze zu produzieren. Epitaxial- GaN-Schablone ist eine kosteneffektive Weise, Galliumnitrideinzelnes Kristallsubstrat zu ersetzen. |
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Technische Parameter: |
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Spezifikationen: |
Epitaxial- Film GaN (c-Fläche), N-artig, 2" * 30 Mikrometer, Saphir; Epitaxial- Film GaN (c-Fläche), N-artig, 2" * 5 Mikrometer Saphir; Epitaxial- Film GaN (r-Fläche), N-artig, 2" * 5 Mikrometer Saphir; Epitaxial- Film GaN (M Plane), N-artig, 2" * 5 Mikrometer Saphir. AL2O3- + GaN-Film (N-artiges lackiertes Si); AL2O3- + GaN-Film (P-artiges lackiertes Magnesium) Anmerkung: entsprechend spezieller Steckerorientierung und -größe der Kundennachfrage. |
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Standardverpacken: | saubere Tasche 1000 Reinraum, 100 oder einzelnes Kastenverpacken |
Anwendung
GaN kann in vielen Bereichen wie LED-Anzeige, energiereicher Entdeckung und Darstellung verwendet werden,
Laser-Projektions-Anzeige, Starkstromgerät, etc.
- Laser-Projektions-Anzeige, Starkstromgerät, etc.
- Datumsspeicher
- Energiesparende Beleuchtung
- Farbenreiche fla Anzeige
- Laser Projecttions
- Hoch- Leistungsfähigkeits-elektronische Geräte
- Hochfrequenzmikrowellen-Geräte
- Energiereiche Entdeckung und sich vorstellen
- Neue Energie solor Wasserstofftechnologie
- Umwelt-Entdeckung und biologische Medizin
- Lichtquelle terahertz Band
Spezifikationen:
Apolarer freistehender GaN Substrates (Einfläche und Mfläche) | ||
Einzelteil | GaN-Rumpfstation-ein | GaN-Rumpfstation-m |
Maße | 5.0mm×5.5mm | |
5.0mm×10.0mm | ||
5.0mm×20.0mm | ||
Kundengebundene Größe | ||
Stärke | 350 ± 25 µm | |
Orientierung | Einfläche ± 1° | Mfläche ± 1° |
TTV | µm ≤15 | |
BOGEN | µm ≤20 | |
Leitungs-Art | N-artig | |
Widerstandskraft (300K) | < 0=""> | |
Versetzungsdichte | Kleiner als cm2 5x106 | |
Verwendbare Fläche | > 90% | |
Polnisch | Front Surface: Ra < 0=""> | |
Hintere Oberfläche: Feiner Boden | ||
Paket | Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, in den einzelnen Oblatenbehältern, unter einer Stickstoffatmosphäre. |
Q: Was ist Ihre minimale Auftragsanforderung?
: MOQ: 10-teilig
Q: Wie lang nimmt es, um meinen Auftrag und Lieferung durchzuführen es?
: nach der Bestätigung der Zahlung und der Lieferung in 5days bestätigen Sie den Auftrag 1days, wenn auf Aktien.
Q: Können Sie Garantie Ihrer Produkte geben?
: Wir versprechen die Qualität, wenn die Qualität irgendwelche Probleme hat, wir produzieren neues produzieren oder zurückbringen Sie Geld.
Q: Wie man zahlt?
: T/T, Paypal, Westverband, Banküberweisung.
Q: WIE über die Fracht?
: wir können Ihnen helfen, für die Gebühr zu zahlen, wenn Sie nicht Konto haben,
wenn der Auftrag über 10000usd ist, können wir Lieferung durch CIF.