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2 / Karbid-Oblate 4H-N des Silikon-3/4/6inch/schreiben halb sic die industriellen Barren

Produktdetails:

Herkunftsort: CHINA
Markenname: ZMKJ
Modellnummer: 4inch ist sic sperrig

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 3pcs
Preis: by case
Verpackung Informationen: einzelnes Oblatenpaket im Reinigungsraum mit 100 Graden
Lieferzeit: 2-5weeks
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1-50pcs/month
Bestpreis Kontakt

Detailinformationen

Material: SiC-Einkristall Härte: 9.4
Form: Besonders angefertigt Toleranz: ±0.1mm
Anwendung: Samenoblate, Reflektor Art: 4h-n
Durchmesser: 4inch 6inch 8inch Stärke: 5-15mm O.K.
Widerstandskraft: 0.015~0.028ohm.cm Farbe: Tee-grüne Farbe
Markieren:

Karbid-Oblate des Silikon-6inch

,

Industrielle sic Oblate

,

Karbid-Oblate des Silikon-4H-Semi

Produkt-Beschreibung

Silikon-auf-Isolator-Oblaten-SIC Silikon-Karbid-Oblaten der hohen Qualität fertigten hohe Präzision Dia.700mm der hohen Qualität Metall sic kugelförmigen Spiegels, das besonders an optischer Reflektor hohe Qualität Dia.500mm Silber-überzog Oblaten der Barren kugelförmiges des Reflektormetalloptische Reflektors 2inch/3inch/4inch/6inch/8inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC/des Silikonkarbids Durchmessers 150mm des hohen Reinheitsgrades 4H-N 4inch 6inch der Substrate des einzelnen Kristalles (sic) besonders anfertigte,

 

Produkt-Beschreibung
  

2 / Karbid-Oblate 4H-N des Silikon-3/4/6inch/schreiben halb sic die industriellen Barren 0

Produkt-Name
Metallplanspiegel
Material
Monokristallines Silikon
Durchmesser
500mm
Oberflächenbeschaffenheit
60-40
Oberflächengenauigkeit

PV: 1/4 Lambda;

Effektivwert: Lambda 1/30
Beschichtung

Reflectivity>90%

Beschichtender Film: @200-1100nm
Anwendung
Reflektierendes System
 
Beschreibung von SIC-Oblate
 
Eigentum 4H-SiC, einzelner Kristall 6H-SiC, einzelner Kristall
Gitter-Parameter a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Stapeln von Reihenfolge ABCB ABCACB
Mohs-Härte ≈9.2 ≈9.2
Dichte 3,21 g/cm3 3,21 g/cm3
Therm. Expansions-Koeffizient 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Brechungs-Index @750nm

keine = 2,61

Ne = 2,66

keine = 2,60

Ne = 2,65

Dielektrizitätskonstante c~9.66 c~9.66
(N-artiges, 0,02 ohm.cm) der Wärmeleitfähigkeit

a~4.2 W/cm·K@298K

c~3.7 W/cm·K@298K

 
Wärmeleitfähigkeit (Halb-Isolieren)

a~4.9 W/cm·K@298K

c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K

c~3.2 W/cm·K@298K

Bandlücke eV 3,23 eV 3,02
Zusammenbruch-elektrisches Feld 3-5×106V/cm 3-5×106V/cm
Sättigungs-Driftgeschwindigkeit 2.0×105m/s 2.0×105m/s

 

Katalog-allgemeine Größe
 

 

4 H-N Type/Oblate/Barren des hohen Reinheitsgrades sic
2 N-artiger sic Wafer/Barren des Zoll 4H
3 N-artiger sic Wafer des Zoll 4H
4 N-artiger sic Wafer/Barren des Zoll 4H
6 N-artiger sic Wafer/Barren des Zoll 4H

 

sic Halb-isolierendes 4H/Oblate des hohen Reinheitsgrades

2 Zoll 4H Wafer sic Halb-isolierend
3 Zoll 4H Wafer sic Halb-isolierend
4 Zoll 4H Wafer sic Halb-isolierend
6 Zoll 4H Wafer sic Halb-isolierend
 
 
N-artige sic Oblate 6H
2 N-artiger sic Wafer/Barren des Zoll 6H
 
Customzied-Größe für 2-6inch
 

 

Silikonkarbid (sic), alias Karborundum, ist ein Halbleiter, der sic Silikon und Kohlenstoff mit chemischer Formel enthält. Sic wird in den Halbleiterelektronikgeräten verwendet, die bei hohen Temperaturen oder hohe Spannungen funktionieren, oder both.SiC ist auch eins von
wichtige LED-Komponenten, ist es ein populäres Substrat für das Wachsen von GaN-Geräten, und es dient auch als Hitzespreizer in starkem
LED.

 

 

Eigenschaften Einheit Silikon Sic GaN
Bandlückebreite eV 1,12 3,26 3,41
Zusammenbruchfeld MV/cm 0,23 2,2 3,3
Elektronenbeweglichkeit cm^2/Vs 1400 950 1500
Antrieb valocity 10^7 cm/s 1 2,7 2,5
Wärmeleitfähigkeit W/cmK 1,5 3,8 1,3

 

 

 

Ungefähr sic Impfkristall-Barrendetail
2 / Karbid-Oblate 4H-N des Silikon-3/4/6inch/schreiben halb sic die industriellen Barren 12 / Karbid-Oblate 4H-N des Silikon-3/4/6inch/schreiben halb sic die industriellen Barren 22 / Karbid-Oblate 4H-N des Silikon-3/4/6inch/schreiben halb sic die industriellen Barren 32 / Karbid-Oblate 4H-N des Silikon-3/4/6inch/schreiben halb sic die industriellen Barren 4

Über ZMKJ Company

 

ZMKJ kann zur Verfügung stellt Oblate des einzelnen Kristalles der hohen Qualität sic (Silikon-Karbid) zur elektronischen und optoelektronischen Industrie. Sic ist Oblate ein Halbleitermaterial der nächsten Generation, mit einzigartigen elektrischen Eigenschaften und die ausgezeichneten thermischen Eigenschaften, verglichen mit Siliziumscheibe und GaAs-Oblate, sic Oblate ist für Gerätanwendung der hohen Temperatur und der hohen Leistung passender. Sic kann Wafer im Zoll des Durchmessers 2-6 sic geliefert werden, 4H und 6H, N-artiges, der Stickstoff, der lackiert werden, und die halb-isolierende verfügbare Art. Treten Sie mit uns bitte für mehr Produktinformation in Verbindung.

 

FAQ:

Q: Was ist die Weise des Verschiffens und der Kosten?

: (1) nehmen wir DHL, Fedex, EMS etc. an.

(2) ist es fein, wenn Sie Ihr eigenes Eilkonto haben, wenn nicht, wir Ihnen helfen könnten, sie zu versenden und

Fracht stimmt mit der tatsächlichen Regelung überein.

 

Q: Wie man zahlt?

: Ablagerung T/T 100% vor Lieferung.

 

Q: Was ist Ihr MOQ?

: (1) für Inventar, ist das MOQ 1pcs. wenn 2-5pcs es besser ist.

(2) für kundengebundene allgemeine Produkte, ist das MOQ 10pcs oben.

 

Q: Was ist die Lieferfrist?

: (1) für die Standardprodukte

Für Inventar: die Lieferung ist, 5 Arbeitstage nachdem Sie den Auftrag vergeben.

Für kundengebundene Produkte: die Lieferung ist 2 -4 Wochen nach Ihnen Auftragskontakt.

 

Q: Haben Sie Standardprodukte?

: Unsere Standardprodukte auf Lager. als gleiche Substrate 4inch 0.35mm.

 

Möchten Sie mehr über dieses Produkt erfahren?
Ich bin daran interessiert 2 / Karbid-Oblate 4H-N des Silikon-3/4/6inch/schreiben halb sic die industriellen Barren Könnten Sie mir weitere Details wie Typ, Größe, Menge, Material usw. senden?
Vielen Dank!
Auf deine Antwort wartend.