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Detailinformationen |
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| EPD: | 5500 cm2 | Dopingkonzentration: | Konzentration des Doping-Elements 1 × 10^16 - 1 × 10^18 Cm^-3 |
|---|---|---|---|
| Stärke: | 350 + 10um | Defektdichte: | ≤ 500 Cm^-2 |
| Durchmesser: | 2-6 Zoll | Doping-Element: | Ein Element, das zur Dopingverwendung verwendet wird, sind Antimon (Sb), Indium (In), Phosphor (P), |
| Polstert: | DSP SSP | Mobilität: | 1200 bis 2000 |
| Hervorheben: | SSP-Indiumphosphatwafer,InP-Halbleiterwafer mit hoher Reinheit,4' InP-Wafer |
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Produkt-Beschreibung
Beschreibung des Produkts:
UnsereInP(Indiumphosphat) Halbleiterwafer, die für ihre außergewöhnlichen elektronischen und optoelektronischen Eigenschaften bekannt sind, finden in der Kommunikation, Optik und Elektronik weitreichende Anwendungen.Nutzung fortschrittlicher Wachstums- und Verarbeitungstechnologien, gewährleisten wir die hohe Reinheit und Gleichmäßigkeit unserer Wafer, bieten eine hervorragende Elektronenmobilität und eine geringe Defektdichte, um den strengen Anforderungen von High-End-Anwendungen gerecht zu werden.Die Wafer sind in Durchmessern von 2 bis 4 Zoll erhältlich, mit einer Dicke und Oberflächenrauheit, die je nach Kundenbedarf angepasst werden können.Wir bieten eine umfassende Qualitätssicherung und technische Unterstützung, um sicherzustellen, dass jede Wafer den Erwartungen unserer Kunden entsprichtOb für die Herstellung von Hochgeschwindigkeits-Faseroptik-Kommunikationskomponenten oder als Substrat für Solarzellen und Sensoren, unsereInPWaffeln sind Ihre ideale Wahl.
Eigenschaften:
- Hohe Elektronenmobilität:InPhat eine außergewöhnlich hohe Elektronenmobilität, was bedeutet, dass sich Elektronen mit extrem hoher Geschwindigkeit durch das Material bewegen können.Diese Eigenschaft macht InP ideal für Hochgeschwindigkeitsgeräte und Hochfrequenzanwendungen geeignet.
- Direkte Bandbreite:InPist ein direkter Bandgap-Halbleiter, was bedeutet, dass er Photonen direkt zwischen dem Leitband und dem Valenzband umwandeln kann.Dies führt zu einer sehr hohen Effizienz von Laserdioden und Photodetektoren.
- Außergewöhnliche optische Eigenschaften:InPSie hat eine ausgezeichnete optische Transparenz, insbesondere im Infrarotbereich, weshalb sie in Infrarotoptik und Glasfaserkommunikationssystemen weit verbreitet ist.
- Hochwärmeleitfähigkeit:InPEr weist eine relativ hohe Wärmeleitfähigkeit auf und trägt zur effektiven Wärmeableitung in elektronischen Geräten bei.
- Chemische Stabilität:InPist chemisch stabil und sehr widerstandsfähig gegen viele chemische Stoffe in der Umwelt.
- Kompatibilität:InPkann mit anderen Materialien der Gruppe III-V wie GaAs und InGaAs Heterostrukturen bilden, was bei der Herstellung leistungsstarker optoelektronischer und mikroelektronischer Geräte von entscheidender Bedeutung ist.
- Mechanische Festigkeit: Obwohl brüchiger als Silizium,InPnoch genügend mechanische Festigkeit besitzt, um den Druck der Herstellungs- und Verpackungsprozesse zu widerstehen.
- Strahlungsbeständigkeit:InPhat eine hohe Strahlungsbeständigkeit, was ihn für den Einsatz in rauen Umgebungen wie Raumfahrtanwendungen geeignet macht.
- Insgesamt sind diese Merkmale vonInPBeitrag zur hervorragenden Leistung in Hochgeschwindigkeits-, Hochfrequenz- und Hochleistungsoptoelektronik.
Technische Parameter:
| Parameter | Wert |
|---|---|
| Stärke | 350 ± 10um |
| Dopingkonzentration | 1 × 10 ^ 16 - 1 × 10 ^ 18 Cm ^ 3 |
| EPD | 5500 cm2 |
| Defektdichte | ≤ 500 Cm^-2 |
| Mobilität | 1200 bis 2000 |
| Verpackung | Vakuumverpackung, mit Stickstoff zurückgefüllt |
| Lagerbedingungen | Temperatur 20-25°C, Luftfeuchtigkeit ≤ 60% |
| Durchmesser | 2-6 Zoll |
| Doping-Element | Antimon (Sb), Indium (In), Phosphor (P), usw. |
| Leitungstyp | N- oder P-Typ |
Anwendungen:
- Glasfaserkommunikation:InPist ein unverzichtbares Material für die Herstellung von Hochgeschwindigkeits-Faseroptik-Kommunikationsgeräten wie Laserdioden und optischen Verstärkern.Datenübertragungsmöglichkeiten mit großer Bandbreite, was sie zu einem wesentlichen Bestandteil des Aufbaus moderner Kommunikationsnetze macht.
- mit einer Breite von mehr als 20 mm;InPDiese Technologie kann zur Herstellung von Photodetektoren verwendet werden, die optische Signale in elektrische Signale umwandeln.
- Solarzellen: Die hohe Elektronenmobilität und die direkten Bandbreiteneigenschaften vonInPSie ist ein ideales Material für die Herstellung effizienter Solarzellen, insbesondere für Raumfahrtanwendungen und konzentrierte Photovoltaikanlagen.
- Lasern:InPverwendet wird, um verschiedene Arten von Halbleiterlasern herzustellen, einschließlich solcher, die für die Kommunikation mit bestimmten optischen Wellenlängen verwendet werden, und Laser, die in medizinischen Anwendungen verwendet werden.
- Hochgeschwindigkeitsgeräte: Aufgrund ihrer hohen ElektronenmobilitätInPist das Material der Wahl für die Herstellung von Hochgeschwindigkeitstransistoren und integrierten Schaltungen, die für Radar, Kommunikation und Rechen entscheidend sind.
- Infrarotoptik:InPist im Infrarot-Wellenlängenbereich transparent und somit geeignet für die Herstellung von Infrarot-optischen Komponenten wie Linsen und Fenstern.
Anpassung:
ZMSH bietet kundenspezifische Dienstleistungen für Galliumnitrid-Wafer mit Qualitätsgarantie.Einige der Funktionen unserer Galliumnitrid Wafer umfassen:
- Markenbezeichnung: ZMSH
- Modellnummer:InP
- Herkunftsort: China
- Verpackung: Vakuumverpackung, mit Stickstoff zurückgefüllt
- Dopingelement: Antimon (Sb), Indium (In), Phosphor (P) usw.
- Fehlerdichte: ≤ 500 cm^-2
- Durchmesser: 2-6 Zoll
- Aufbewahrungsbedingungen: Temperatur 20-25°C, Luftfeuchtigkeit ≤ 60%
Unsere Galliumnitrid-Wafer verfügen auch über hohe Qualität und Zuverlässigkeit, mit strenger Qualitätskontrolle während des Herstellungsprozesses.Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unsere anpassbare Galliumnitrid-Wafer zu erfahren!
Unterstützung und Dienstleistungen:
Bei XYZ Company bieten wir technische Unterstützung und Service für unsere Galliumnitrid-Wafer-Produkte.Unser Team von erfahrenen Ingenieuren und Technikern ist bereit, alle Fragen zu beantworten, die Sie über Ihr Produkt haben könnenWir sind auch zur Verfügung, um bei der Fehlerbehebung zu helfen, Ersatzteile zu liefern und Routinewartungsdienste anzubieten.
Wir bieten Unterstützung über unser Online-Kundenserviceportal, E-Mail oder Telefon. Unser Kundenservice-Team ist rund um die Uhr zur Verfügung, um alle Fragen zu beantworten und Hilfe zu leisten.Wir helfen Ihnen gerne und werden unser Bestes tun, um sicherzustellen, dass Ihr Produkt ordnungsgemäß funktioniert.
Wenn Sie mehr technische Unterstützung benötigen, bieten wir Ihnen ein zusätzliches Servicepaket an, das detaillierte technische Dokumente, Zugang zu unserem Ingenieursteam und eine Garantieerweiterung für Ihr Produkt umfasst.Unser technisches Supportteam ist hier, um Ihnen zu helfen und kann alle Fragen beantworten, die Sie haben..
Wir sind stolz auf die Qualität unserer Produkte und Dienstleistungen und bemühen uns, sicherzustellen, dass unsere Kunden mit ihrem Kauf zufrieden sind.Bitte zögern Sie nicht, uns zu kontaktieren..
Verpackung und Versand:
Verpackung und Versand von Galliumnitridwafer:
Galliumnitrid (GaN) -Wafer werden in der Regel in vakuumverschlossenen Behältern oder mit Stickstoffgas versiegelt.und HerstellungsdatumWährend der Beförderung sollten die Container in Blasenfolie oder Styropor verpackt werden, um zusätzliche Polsterung zu gewährleisten.
Häufige Fragen:
- - Was ist das?Was ist der Markenname von Galliumnitrid Wafer?
A:Der Markenname von Galliumnitridwafer ist ZMSH. - - Was ist das?Wie lautet die Modellnummer der Galliumnitridwafer?
A:Die Modellnummer der Galliumnitridwafer ist InP. - - Was ist das?Wo wird Galliumnitrid-Wafer hergestellt?
A:Die Galliumnitridwafer werden in China hergestellt. - - Was ist das?Welche Verwendung findet Galliumnitrid Wafer?
A:Galliumnitrid Wafer wird für verschiedene Anwendungen wie Strom- und Hochfrequenzelektronik, Optoelektronik und Mikrowellengeräte verwendet. - - Was ist das?Was sind die Vorteile von Galliumnitrid-Wafer?
A:Galliumnitrid-Wafer hat viele Vorteile, darunter eine höhere Abbruchspannung, eine hohe thermische und elektrische Leitfähigkeit und einen hohen Temperaturbetrieb.