8 Zoll 12 Zoll 4H-N Typ SiC Wafer Dicke 500±25um n doped Dummy Primärforschungsgrad

8 Zoll 12 Zoll 4H-N Typ SiC Wafer Abstract

In dieser Studie wird die Charakterisierung einer für Halbleiteranwendungen bestimmten 8-Zoll-Wafer aus Siliziumcarbid (SiC) des 12-Zoll-H-N-Typs dargestellt.wurde mit Hilfe modernster Techniken hergestellt und mit Verunreinigungen des Typs n bestückt- Charakterisierungstechniken einschließlich Röntgendiffraktion (XRD), Scanning-Elektronenmikroskopie (SEM) und Messungen des Hall-Effekts wurden eingesetzt, um die Kristallqualität, die Oberflächenmorphologie, dieund elektrische Eigenschaften der WaferDie XRD-Analyse bestätigte die 4H-Polytypstruktur der SiC-Wafer, während die SEM-Bildgebung eine einheitliche und fehlerfreie Oberflächenmorphologie ergab.Messungen des Hall-Effekts zeigten einen konsistenten und kontrollierbaren N-Typ-Doping-Spiegel auf der Waferoberfläche.Die Ergebnisse deuten darauf hin, daß die 8-Zoll-SiC-Wafer des Typs 4H-N vielversprechende Eigenschaften für den Einsatz in Hochleistungs-Halbleitergeräten aufweist.insbesondere bei Anwendungen, die eine hohe Leistung und einen hohen Temperaturbetrieb erfordernWeitere Optimierungs- und Geräteintegrationsstudien sind erforderlich, um das Potenzial dieser Materialplattform voll auszuschöpfen.

Eigenschaften der SiC-Wafer des Typ 4H-N

1. Kristallstruktur: zeigt eine sechseckige Kristallstruktur mit einem 4H-Polytyp, die günstige elektronische Eigenschaften für Halbleiteranwendungen bietet.

2. Waferdurchmesser: 8 Zoll, die eine große Oberfläche für die Herstellung und Skalierbarkeit von Geräten bieten.

3. Waferdicke: Typischerweise 500 ± 25 μm, die mechanische Stabilität und Kompatibilität mit Halbleiterherstellungsprozessen gewährleistet.

4. Doping: N-Typ-Doping, bei dem Stickstoffatome absichtlich als Verunreinigungen eingeführt werden, um einen Überschuss an freien Elektronen im Kristallgitter zu erzeugen.

5. Elektrische Eigenschaften:

   • Hohe Elektronenmobilität ermöglicht einen effizienten Ladungstransport.
   • Niedriger elektrischer Widerstand, erleichtert die elektrische Leitung.
   • Kontrolliertes und einheitliches Dopingprofil auf der Waferoberfläche.

6. Materialreinheit: SiC-Material mit hoher Reinheit mit geringen Verunreinigungen und Defekten, das eine zuverlässige Leistung und Langlebigkeit des Geräts gewährleistet.

7. Oberflächenmorphologie: Glatte und fehlerfreie Oberflächenmorphologie, geeignet für das epitaxiale Wachstum und die Herstellung von Geräten.

8. Thermische Eigenschaften: Hohe Wärmeleitfähigkeit und Stabilität bei erhöhten Temperaturen, so dass es für Hochleistungs- und Hochtemperaturanwendungen geeignet ist.

9. Optische Eigenschaften: Breite Bandbreite an Energie und Transparenz im sichtbaren und Infrarotspektrum, die die Integration optoelektronischer Geräte ermöglichen.

10. Mechanische Eigenschaften:

    • Hohe mechanische Festigkeit und Härte, die bei der Handhabung und Verarbeitung Haltbarkeit und Widerstandsfähigkeit bietet.
    • Niedriger Wärmeausdehnungskoeffizient, wodurch das Risiko eines durch thermische Belastung verursachten Rissens während des Temperaturzyklus verringert wird.

      Zahl	Artikel 1	Einheit	Produktion	Forschung	Du Dummkopf.
      1	Polytyp		4H	4H	4H
      2	Oberflächenorientierung	- Nein.	< 11-20> 4 ± 0.5	< 11-20> 4 ± 0.5	< 11-20> 4 ± 0.5
      3	Dopant		Stickstoff des Typs n	Stickstoff des Typs n	Stickstoff des Typs n
      4	Widerstandskraft	Ohm · cm	0.015 ~ 0.025	0.01 bis 0.03
      5	Durchmesser	mm	200±0,2 300	200±0,2 300	200±0,2 300
      6	Stärke	μm	500 ± 25 1000 ± 50	500 ± 251000 ± 50	500 ± 251000 ± 50
      7	Ausrichtung der Kerbe	- Nein.	[1- 100]±5	[1- 100]±5	[1- 100]±5
      8	Notch Tiefe	mm	Ein bis eins.5	Ein bis eins.5	Ein bis eins.5
      9	LTV	μm	≤ 5 mm × 10 mm	≤ 5 mm × 10 mm	≤ 10 mm × 10 mm
      10	TTV	μm	≤ 10	≤ 10	≤ 15
      11	Verbeugen	μm	25 bis 25	45 bis 45	65 bis 65
      12	Warpgeschwindigkeit	μm	≤ 30	≤ 50	≤ 70

8 Zoll 12 Zoll 4H-N Typ SiC Wafer Bild

8 Zoll 12 Zoll 4H-N Typ SiC Wafer Anwendung

Elektroelektronik: SiC-Wafer werden häufig bei der Herstellung von Leistungsgeräten wie Schottky-Dioden, MOSFETs (Metall-Oxid-Halbleitungs-Feldwirkungstransistoren) verwendet.und IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors)Diese Geräte profitieren von der hohen Abbruchspannung, dem geringen Betriebswiderstand und der hohen Temperaturleistung von SiC, was sie für Anwendungen in Elektrofahrzeugen geeignet macht.Systeme für erneuerbare Energien, und Stromverteilungssysteme.

HF- und Mikrowellengeräte: SiC-Wafer werden aufgrund ihrer hohen Elektronenmobilität und Wärmeleitfähigkeit bei der Entwicklung von Hochfrequenz-HF (Radio Frequency) und Mikrowellengeräten eingesetzt.Anwendungen sind Hochleistungsverstärker, HF-Schalter und Radarsysteme, bei denen die Leistungsvorteile von SiC eine effiziente Leistungsabwicklung und einen Hochfrequenzbetrieb ermöglichen.

Optoelektronik: SiC-Wafer werden bei der Herstellung von optoelektronischen Geräten wie UV-Fotodetektoren, Leuchtdioden und Laserdioden verwendet.Die große Bandbreite von SiC und die optische Transparenz im UV-Bereich machen es für Anwendungen in der UV-Sensing geeignet, UV-Sterilisation und hochhellige UV-LEDs.

Hochtemperaturelektronik: SiC-Wafer werden für elektronische Systeme bevorzugt, die in rauen Umgebungen oder bei erhöhten Temperaturen betrieben werden.und Motorsteuerungssysteme für Fahrzeuge, wobei die thermische Stabilität und Zuverlässigkeit von SiC den Betrieb unter extremen Bedingungen ermöglicht.

Sensortechnologie: SiC-Wafer werden bei der Entwicklung leistungsstarker Sensoren für Anwendungen wie Temperaturmessung, Druckmessung und Gasmessung verwendet.SiC-basierte Sensoren bieten Vorteile wie hohe Empfindlichkeit, schnelle Reaktionszeiten und Kompatibilität mit rauen Umgebungen, so dass sie für industrielle, automobile und Luftfahrtanwendungen geeignet sind.