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Detailinformationen |
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| Durchmesser: | 2 Zoll | Partikel: | Freier/niedriger Partikel |
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| Material: | Siliziumkarbid | Typ: | 4H-N/ 6H-N/4/6H-SI |
| Orientierung: | Auf-Achse/Aus-Achse | Widerstand: | Hoch- niedrige Widerstandskraft |
| Verunreinigung: | Freie/niedrige Verunreinigung | Oberflächenrauheit: | ≤1.2nm |
| Hervorheben: | 50.8mm-Silikonkarbidwafer,Wafer aus Siliziumkarbid der P-Klasse,Doppelseitig polierte Sic-Wafer |
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Produkt-Beschreibung
2-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer Durchmesser 50,8 mm P-Grad R-Grad D-Grad Doppelseitig poliert
Beschreibung des Produkts:
Die Siliziumkarbidwafer ist ein Hochleistungsmaterial, das bei der Herstellung elektronischer Geräte verwendet wird.Es besteht aus einer Silikonkarbidschicht auf einer Silikonwafer und ist in verschiedenen Sorten erhältlichDie Wafer hat eine Flachheit von Lambda/10, was sicherstellt, dass die aus der Wafer hergestellten elektronischen Geräte von höchster Qualität und Leistung sind.Die Silicon Carbide Wafer ist ein ideales Material für den Einsatz in der LeistungselektronikWir liefern hochwertige SiC-Wafer ((Siliciumkarbid)) für die elektronische und optoelektronische Industrie.
Charakter:
SIC (Silicon Carbide) Wafer ist eine Art Halbleiterwafer auf Basis von Siliziumkarbidmaterial.
1. Höhere Wärmeleitfähigkeit: SIC-Wafer haben eine viel höhere Wärmeleitfähigkeit als Silizium, was bedeutet, dass SIC-Wafer die Wärme effektiv abführen können und für den Betrieb in Hochtemperaturumgebungen geeignet sind.
2. Höhere Elektronenmobilität:SIC-Wafer haben eine höhere Elektronenmobilität als Silizium, so dass SIC-Geräte mit höheren Geschwindigkeiten arbeiten können.
3. Höhere Abbruchspannung:Das SIC-Wafermaterial weist eine höhere Abbruchspannung auf und eignet sich daher zur Herstellung von Hochspannungs-Halbleitergeräten.
4. Höhere chemische Stabilität:Die SIC-Wafer weisen eine höhere Beständigkeit gegen chemische Korrosion auf, was zu einer verbesserten Zuverlässigkeit und Langlebigkeit der Geräte beiträgt.
5Weitere Bandbreite:SIC-Wafer haben eine größere Bandlücke als Silizium, so dass SIC-Geräte bei hohen Temperaturen besser und stabiler arbeiten können.
6Bessere Strahlungsbeständigkeit:SIC-Wafer haben eine stärkere Strahlungsbeständigkeit und eignen sich daher für den Einsatz in Strahlungsumgebungen
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert,
7Höhere Härte:SIC-Wafer ist härter als Silizium, was die Haltbarkeit der Wafer während der Verarbeitung erhöht.
8Die niedrigere Dielektrikkonstante:SIC-Wafer haben eine niedrigere Dielektrikkonstante als Silizium, was dazu beiträgt, die parasitäre Kapazität in Geräten zu reduzieren und die Hochfrequenzleistung zu verbessern.
9. Höhere Sättigungs-Elektrondriftgeschwindigkeit:SIC-Wafer haben eine höhere Sättigungs-Elektrondriftgeschwindigkeit als Silizium, was SIC-Geräten einen Vorteil bei Hochfrequenzanwendungen gibt.
10- Höhere Leistungsdichte:Mit den vorgenannten Eigenschaften können SIC-Wafer-Geräte bei kleineren Größen eine höhere Leistung erzielen.
| Zulassung | Produktionsgrad | Forschungsgrad | Schwachstelle | ||
| Durchmesser | 500,8 mm±0,38 mm | ||||
| Stärke | 330 μm±25 μm | ||||
| Waferorientierung | Auf der Achse: <0001>±0,5° für 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI |
Außerhalb der Achse:40,0° in Richtung 1120±0,5° für 4H-N/4H-SI | |||
| Mikropipe-Drientation ((cm-2) | ≤ 5 | ≤ 15 | ≤ 50 | ||
| Widerstandsfähigkeit (Ω·cm) | 4H-N | 00,015 bis 0,028 Ω·cm | |||
| 6H-N | 0.02 bis 0.1 | ||||
| 4/6H-SI | > 1E5 | (90%) > 1E5 | |||
| Primäre flache Orientierung | {10-10} ± 5,0° | ||||
| Primärflächenlänge (mm) | 15.9 ± 1.7 | ||||
| Sekundärflächige Länge ((mm) | 8.0 ± 1.7 | ||||
| Sekundäre flache Ausrichtung | Silikon nach oben: 90° CW. von Prime flat ±5,0° | ||||
| Grenze ausgeschlossen | 1 mm | ||||
| TTV/Bow/Warp (um) | ≤15 /≤25 /≤25 | ||||
| Grobheit | Polnische Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,5 nm | |||||
| Randspalten durch hochintensives Licht | Keine | Keine | 1 zulässig, ≤ 1 mm | ||
| Hex-Platten durch hochintensives Licht | Kumulative Fläche ≤ 1 % | Kumulative Fläche ≤ 1 % | Kumulative Fläche ≤ 3 % | ||
Anwendungen:
1. Leistungselektronik: SiC-Wafer werden häufig in Leistungselektronikgeräten wie Leistungsumwandlern, Wechselrichtern,und Hochspannungsschalter aufgrund ihrer hohen Abbruchspannung und ihrer geringen Leistungsverluste.
Elektrofahrzeuge: SiC-Wafer werden in der Leistungselektronik von Elektrofahrzeugen verwendet, um die Effizienz zu verbessern und das Gewicht zu reduzieren, wodurch ein schnelleres Laden und eine längere Reichweite ermöglicht werden.
2Erneuerbare Energien: SiC-Wafer spielen eine entscheidende Rolle bei Anwendungen erneuerbarer Energien wie Solarumrichter und Windkraftanlagen und verbessern die Effizienz und Zuverlässigkeit der Energieumwandlung.
3Luft- und Raumfahrt und Verteidigung: SiC-Wafer sind in der Luft- und Raumfahrt- und Verteidigungsindustrie für Anwendungen mit hoher Temperatur, hoher Leistung und Strahlungsbeständigkeit unerlässlich.einschließlich Flugzeugtriebwerke und Radarsysteme.
4. Industrielle Motorantriebe: SiC-Wafer werden in industriellen Motorantrieben eingesetzt, um die Energieeffizienz zu erhöhen, die Wärmeabgabe zu reduzieren und die Lebensdauer von Geräten zu erhöhen.
5. Drahtlose Kommunikation: SiC-Wafer werden in HF-Leistungsverstärkern und Hochfrequenzanwendungen in drahtlosen Kommunikationssystemen verwendet, die eine höhere Leistungsdichte und eine verbesserte Leistung bieten.
6. Hochtemperaturelektronik: SiC-Wafer eignen sich für Hochtemperaturelektronikanwendungen, bei denen herkömmliche Siliziumgeräte möglicherweise nicht zuverlässig arbeiten,mit einer Breite von mehr als 20 mm,.
7. Medizinische Geräte: SiC-Wafer finden aufgrund ihrer Haltbarkeit, hoher Wärmeleitfähigkeit und Strahlungsbeständigkeit Anwendungen in medizinischen Geräten wie MRT-Maschinen und Röntgengeräten.
8Forschung und Entwicklung:SiC-Wafer werden in Forschungslaboratorien und akademischen Einrichtungen zur Entwicklung fortschrittlicher Halbleitergeräte und zur Erforschung neuer Technologien im Bereich der Elektronik eingesetzt.
9. Andere Anwendungen: SiC-Wafer werden aufgrund ihrer einzigartigen Eigenschaften und Leistungsvorteile auch in Bereichen wie Sensoren für raue Umgebungen, Hochleistungslasern und Quantencomputer eingesetzt.
Anpassung:
Wir bieten Anpassungsdienste für Partikel, Material, Qualität, Ausrichtung und Durchmesser an.Unsere Silicon Carbide Wafer kommt mit On-Achse oder Off-Achse Ausrichtung je nach Ihren AnforderungenSie können auch den Durchmesser der Silicon Carbide Wafer, die Sie benötigen.
Die Silicon Carbide Wafer ist in verschiedenen Sorten erhältlich, darunter Produktion, Forschung und Dummy.Die Produktion-Grad-Wafer wird in der Produktion von elektronischen Geräten verwendet und ist von höchster Qualität. Die Forschungswafer wird für Forschungszwecke verwendet, während die Dummy-Wafer für Test- und Kalibrierungszwecke verwendet wird.einschließlich 4H, der am häufigsten in elektronischen Geräten verwendet wird.
Häufige Fragen:
F: Wie macht man eine SiC-Wafer?
A: Der Prozess beinhaltet die Umwandlung von Rohstoffen wie Kieselsand in reines Silizium.,und die Reinigung und Vorbereitung der Wafer für die Verwendung in Halbleitergeräten.
F: Wie wird SiC hergestellt?
A:Siliziumkarbidherstellungsverfahren - GAB Neumann.Der einfachste Herstellungsprozess zur Herstellung von Siliziumkarbid besteht darin, Siliziumsand und Kohlenstoff in einem Acheson-Graphit-Elektrorezistenzöfen bei hoher Temperatur zu kombinieren, zwischen 1600°C (2910°F) und 2500°C (4530°F).
F: Welche Anwendungen gibt es für Siliziumkarbidwafer?
A: In der Elektronik werden SiC-Materialien in Lichtdioden (LEDs) und Detektoren verwendet.SiC-Wafer werden in elektronischen Geräten verwendet, die bei hohen Temperaturen arbeiten, hohe Spannungen oder beides.
Produktempfehlung:
2.2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll SiC Substrat 330um Dicke 4H-N Typ Produktionsgrad