SiC Wafer 4H N-Typ Siliziumkarbid 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll DSP angepasst

SiC Wafer 4H N-Typ Siliziumkarbid 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll DSP angepasst

Beschreibung der SiC-Wafer:

Die Siliziumkarbidwafer ist in einem 4H n-Typ erhältlich, der am häufigsten für Siliziumkarbidwafer verwendet wird.hohe Wärmeleitfähigkeit, und hohe chemische und mechanische Stabilität.

Die Silicon Carbide Wafer ist in drei verschiedenen Sorten erhältlich: Produktion, Forschung und Dummy.Die Wafer der Produktionsklasse ist für kommerzielle Anwendungen konzipiert und nach strengen Qualitätsstandards hergestellt.Die Research-Grade-Wafer sind für Forschungs- und Entwicklungsanwendungen konzipiert und werden nach noch höheren Qualitätsstandards hergestellt.Die Wafer-Dummy-Klasse ist für die Verwendung als Platzhalter im Herstellungsprozess ausgelegt.

Der Charakter von SiC Wafer:

Siliziumcarbid (SiC) -Wafer sind ein wichtiges Halbleitermaterial, das unter anderem in Hochleistungs- und Hochfrequenz-elektronischen Geräten eine wichtige Rolle spielt.Hier sind einige der Eigenschaften von SiC-Wafern:
 

1.Beschreibung der Breitbandlücke:
SiC hat eine breite Bandbreite, typischerweise zwischen 2,3 und 3,3 Elektronenvolt, was es für Anwendungen mit hoher Temperatur und hoher Leistung hervorragend macht.Diese Breitband-Lücke Eigenschaft hilft, den Leckstrom im Material zu reduzieren und die Leistung des Geräts zu verbessern.

2.Wärmeleitfähigkeit:
SiC hat eine sehr hohe Wärmeleitfähigkeit, mehrfach höher als herkömmliche Siliziumwafer.Diese hohe Wärmeleitfähigkeit erleichtert eine effiziente Wärmeableitung in leistungsstarken elektronischen Geräten und verbessert die Stabilität und Zuverlässigkeit des Geräts.

3.Mechanische Eigenschaften:
SiC hat eine hervorragende mechanische Festigkeit und Härte, die für Anwendungen in hohen Temperaturen und rauen Umgebungen wichtig ist.und Hochstrahlungsumgebungen, so dass sie für Anwendungen geeignet sind, die eine hohe Festigkeit und Langlebigkeit erfordern.

4Chemische Stabilität:
SiC hat eine hohe Beständigkeit gegen chemische Korrosion und kann dem Angriff vieler Chemikalien widerstehen, so dass es in einigen speziellen Umgebungen, in denen eine stabile Leistung erforderlich ist, gut funktioniert.

5Elektrische Eigenschaften:
SiC weist eine hohe Abbruchspannung und einen geringen Leckstrom auf, was es in Hochspannungs- und Hochfrequenzelektronikgeräten sehr nützlich macht.SiC-Wafer haben einen geringeren Widerstand und eine höhere Permittivität, was für HF-Anwendungen unerlässlich ist.

Im Allgemeinen haben SiC-Wafer aufgrund ihrer ausgezeichneten elektrischen, thermischen und mechanischen Eigenschaften breite Anwendungsmöglichkeiten in Hochleistungs-elektronischen Geräten, HF-Geräten und optoelektronischen Geräten.

Tabelle der Eigenschaften von SiC-Wafer:

Physisches Foto von SiC Wafer:

Anwendungen von SiC-Wafer:

1. Leistungselektronische Geräte:
SiC-Wafer haben eine breite Palette von Anwendungen im Bereich von Leistungselektronikgeräten wie Leistungs-MOSFETs (Metalloxid-Halbleiterfeldwirkungstransistoren) und SCHTKEY (Schottky-Schrankendioden).Die hohe Feldstärke und die hohe Elektronsättigungsgeschwindigkeit des SiC-Materials machen es zu einer idealen Wahl für Leistungswandler mit hoher Leistungsdichte und hoher Effizienz.

2. Funkfrequenzgeräte:
SiC-Wafer finden auch wichtige Anwendungen in HF-Geräten wie HF-Leistungsverstärkern und Mikrowellengeräten.Die hohe Elektronenmobilität und der geringe Verlust von SiC-Materialien machen sie hervorragend für Hochfrequenz- und Hochleistungsanwendungen.

3. Optoelektronische Geräte:
SiC-Wafer finden auch zunehmend Anwendungen in optoelektronischen Geräten wie Photodioden, Ultraviolettlichtdetektoren und Laserdioden.Die hervorragenden optischen Eigenschaften und die Stabilität des SiC-Materials machen es zu einem wichtigen Material für optoelektronische Geräte.

4. Hochtemperatursensor:
SiC-Wafer werden aufgrund ihrer hervorragenden mechanischen Eigenschaften und hohen Temperaturstabilität im Bereich der Hochtemperatursensoren weit verbreitet.Strahlung, und korrosive Umgebungen und eignen sich für die Luft- und Raumfahrt, Energie und Industrie.

5Strahlungsbeständige elektronische Geräte:
Die Strahlungsbeständigkeit von SiC-Wafern macht sie in der Kernenergie, der Luft- und Raumfahrt und anderen Bereichen, in denen Strahlungsbeständigkeit gefordert ist, weit verbreitet.SiC-Material hat eine hohe Stabilität gegenüber Strahlung und eignet sich für elektronische Geräte in einer stark strahlenden Umgebung.

Bild der Anwendung von SiC-Wafer:

Anpassung von SiC-Wafer:

Wir sind bestrebt, hochwertige und leistungsstarke, maßgeschneiderte SiC-Wafer-Lösungen bereitzustellen, um die unterschiedlichen Bedürfnisse unserer Kunden zu erfüllen.Unsere Fabrik kann SiC-Wafer verschiedener Spezifikationen anpassen., Dicken und Formen nach den spezifischen Anforderungen unserer Kunden.

Häufige Fragen:

1F: Was ist die größte Saphirwafer?
A:300mm (12 Zoll) Saphir ist jetzt die größte Wafer für Leuchtdioden (LEDs) und Unterhaltungselektronik.

2F: Welche Größe haben Saphirwafer?

A: Unsere Standardwafer-Durchmesser reichen von 25,4 mm (1 Zoll) bis 300 mm (11,8 Zoll) in der Größe;Wafer können in verschiedenen Dicken und Ausrichtungen mit polierten oder ungepolierten Seiten hergestellt werden und können Dopantien enthalten.

3F: Was ist der Unterschied zwischen Saphir- und Siliziumwafern?
A: LEDs sind die beliebtesten Anwendungen für Saphir. Das Material ist transparent und ein ausgezeichneter Lichtleiter.Silizium ist undurchsichtig und ermöglicht keine effiziente LichtentnahmeDas Halbleitermaterial ist jedoch ideal für LEDs, da es sowohl billig als auch transparent ist.

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