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Detailinformationen |
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| Durchmesser: | 150 ± 0,2 mm | Polytype: | 4H |
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| Widerstand: | 0.015-0.025ohm ·cm | Schicht-Stärke: | ≥ 0,4 μm |
| LÜCKE: | ≤5ea/Wafer (2mm>D>0,5mm) | Roughness der Vorderseite (Si-Fläche): | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) |
| Grenzschnitte, Kratzer, Risse (visuelle Inspektion): | Keine | TTV: | ≤3μm |
| Hervorheben: | 6 Zoll N-Typ leitfähiges SiC-Substrat,MBE-N-Typ leitfähiges SiC-Substrat,Epitaxy-N-Typ-leitendes SiC-Substrat |
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Produkt-Beschreibung
N-Typ leitfähiges SiC-Substrat Verbundsubstrat 6 Zoll für Epitaxy MBE CVD LPE
N-Typ leitfähiges SiC-Substrat
Dieses leitfähige SiC-Substrat des N-Typs verfügt über einen Durchmesser von 150 mm mit einer Genauigkeit von ± 0,2 mm und verwendet den 4H-Polytyp für überlegene elektrische Eigenschaften.Das Substrat weist einen Widerstand von 0 aufEs verfügt über eine robuste Übertragungsschicht mit einer Dicke von mindestens 0,4 μm, was seine strukturelle Integrität erhöht.Die Qualitätskontrolle beschränkt die Leere auf ≤ 5 pro WaferDiese Eigenschaften machen das SiC-Substrat ideal für Hochleistungsanwendungen in Leistungselektronik und Halbleitergeräten.Gewährleistung von Zuverlässigkeit und Effizienz.
Spezifikationen und schematisches Diagramm für leitfähige SiC-Substrate des Typs N
| Artikel 2 | Spezifikation | Artikel 2 | Spezifikation |
| Durchmesser | 150 ± 0,2 mm |
Roughness der Vorderseite (Si-Fläche) |
Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) |
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Polytyp Widerstand |
4H 0.015-0.025ohm ·cm |
EdgeChip, Scratch und Crack. (Aussicht) TTV |
Keine ≤ 3 μm |
| Übertragungsschichtdicke | ≥ 0,4 μm | Warpgeschwindigkeit | ≤ 35 μm |
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Nichtig |
≤5ea/Wafer (2mm>D>0,5mm) |
Stärke |
350 ± 25 μm |
Eigenschaften eines leitfähigen SiC-Substrats des Typs N
N-Typ leitfähige Siliziumkarbid (SiC) Substrate werden aufgrund ihrer einzigartigen Eigenschaften in verschiedenen elektronischen und optoelektronischen Anwendungen weit verbreitet.Hier sind einige wichtige Eigenschaften von N-Typ leitfähigen SiC-Substraten:
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Elektrische Eigenschaften:
- Hohe Elektronenmobilität:SiC weist eine hohe Elektronenmobilität auf, was einen effizienten Stromfluss und schnelle elektronische Geräte ermöglicht.
- Niedrige intrinsische Trägerkonzentration:SiC hält auch bei hohen Temperaturen eine niedrige intrinsische Trägerkonzentration aufrecht, was es für Anwendungen bei hohen Temperaturen geeignet macht.
- Hochspannung:SiC kann hohen elektrischen Feldern standhalten, ohne abzubauen, was die Herstellung von Hochspannungsgeräten ermöglicht.
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Thermische Eigenschaften:
- Hochwärmeleitfähigkeit:SiC besitzt eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit, die dazu beiträgt, die Wärme von Hochleistungsgeräten effizient abzuleiten.
- Thermische Stabilität:SiC bleibt bei hohen Temperaturen stabil und behält seine strukturelle Integrität und elektronische Eigenschaften.
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Mechanische Eigenschaften:
- Härte:SiC ist ein sehr hartes Material, das langlebig und widerstandsfähig gegen mechanischen Verschleiß ist.
- Chemische Trägheit:SiC ist chemisch inert und resistent gegen die meisten Säuren und Basen, was für raue Betriebsumgebungen von Vorteil ist.
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Dopingmerkmale:
- Kontrollierter N-Doping:N-Typ SiC wird typischerweise mit Stickstoff doppiert, um überschüssige Elektronen als Ladungsträger einzuführen.
Foto eines leitfähigen SiC-Substrats des Typs N
Fragen und Antworten
F: Was ist SiC-Epitaxie?
A:SiC-Epitaxie ist der Prozess, bei dem eine dünne, kristalline Schicht aus Siliziumcarbid (SiC) auf einem SiC-Substrat angebaut wird.wobei gasförmige Vorläufer bei hohen Temperaturen zersetzen und die SiC-Schicht bildenDie Epitaxialschicht entspricht der Kristallorientierung des Substrats und kann präzise doppiert und in der Dicke gesteuert werden, um die gewünschten elektrischen Eigenschaften zu erreichen.Dieses Verfahren ist für die Herstellung leistungsstarker SiC-Geräte in der Leistungselektronik von wesentlicher Bedeutung, Optoelektronik und Hochfrequenzanwendungen, die Vorteile wie hohe Effizienz, thermische Stabilität und Zuverlässigkeit bieten.