Markenbezeichnung: | ZMSH |
SIC quadratisches Substrat 5×5 10×10 350um Abseits der Achse: 2,0°-4,0° nach vorne
Die Quadratsubstrate aus Siliziumcarbid (SiC) sind kritische Materialien in fortgeschrittenen Halbleitergeräten, insbesondere in Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen.hohe Abbruchspannung, und breite Bandbreite machen es zu einer idealen Wahl für Leistungselektronik der nächsten Generation, insbesondere in rauen Umgebungen.Die quadratische Form dieser Substrate erleichtert eine effiziente Verwendung bei der Herstellung von Geräten und gewährleistet die Kompatibilität mit verschiedenen VerarbeitungsanlagenDarüber hinaus werden SiC-Substrate mit Winkeln außerhalb der Achse von 2,0° bis 4,0° weit verbreitet zur Verbesserung der Qualität der epitaxialen Schicht eingesetzt, indem Defekte wie Mikropippen und Verwerfungen reduziert werden.Diese Substrate spielen auch eine zentrale Rolle bei der Entwicklung von Hochleistungsdioden, Transistoren und andere elektronische Komponenten, bei denen hohe Effizienz und Zuverlässigkeit von größter Bedeutung sind.SiC-Quadratsubstrate bieten vielversprechende Lösungen in Sektoren wie ElektrofahrzeugenDie laufende Forschung konzentriert sich auf die Optimierung der Produktion von SiC-Substraten, um Kosten zu senken und die Materialleistung zu verbessern.Diese Zusammenfassung beschreibt die Bedeutung von SiC-Quadratsubstraten und unterstreicht ihre Rolle bei der Weiterentwicklung moderner Halbleitertechnologien.
Die Eigenschaften eines Quadratsubstrats aus Siliziumcarbid (SiC) sind für seine Leistung in Halbleiteranwendungen von entscheidender Bedeutung.
Breite Bandbreite (3,26 eV): SiC hat eine viel größere Bandbreite als Silizium, so dass es bei höheren Temperaturen, Spannungen und Frequenzen funktionieren kann, ohne die Leistung zu beeinträchtigen.
Hohe Wärmeleitfähigkeit (3,7 W/cm·K): Die hervorragende Wärmeleitfähigkeit von SiC ermöglicht eine wirksame Wärmeableitung und macht es ideal für Anwendungen mit hoher Leistung.
Elektrofeld mit hoher Auflösung (3 MV/cm): SiC kann höheren elektrischen Feldern standhalten als Silizium, was für Hochspannungsgeräte von entscheidender Bedeutung ist, wodurch das Ausfallrisiko verringert und die Effizienz verbessert wird.
Hohe Elektronenmobilität (950 cm2/V·s): Obwohl SiC etwas niedriger als Silizium ist, bietet es immer noch eine gute Elektronenmobilität und ermöglicht so schnellere Schaltgeschwindigkeiten in elektronischen Geräten.
Mechanische Härte: SiC ist ein extrem hartes Material mit einer Mohs-Härte von etwa 9.5, wodurch es sehr verschleißbeständig und in der Lage ist, die strukturelle Integrität unter extremen Bedingungen zu bewahren.
Chemische Stabilität: SiC ist chemisch inert, oxidations- und korrosionsbeständig und daher für harte chemische und ökologische Bedingungen geeignet.
Winkel außerhalb der Achse: Viele SiC-Substrate haben einen Abschnitt (z. B. 2,0°-4,0°) zur Verbesserung des Wachstums der epitaxialen Schicht und zur Verringerung von Defekten wie Mikropippen und Verwerfungen in der Kristallstruktur.
Niedrige Defektdichte: SiC-Substrate von hoher Qualität weisen eine geringe Dichte an Kristallfehlern auf, was die Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit elektronischer Geräte verbessert.
Diese Eigenschaften machen SiC-Quadratsubstrate ideal für Anwendungen in der Leistungselektronik, Elektrofahrzeugen, Telekommunikation und erneuerbaren Energiesystemen.bei denen hohe Effizienz und Langlebigkeit unerlässlich sind.
Die wichtigsten Leistungsparameter | |
Produktbezeichnung
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Silikonkarbid-Substrat, Silikonkarbid-Wafer, SiC-Wafer, SiC-Substrat
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Wachstumsmethode
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MOCVD
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Kristallstruktur
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6h, 4h
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Gitterparameter
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6H ((a=3,073 Å c=15,117 Å),
4H ((a=3,076 Å c=10,053 Å) |
Abfolge der Stapelung
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6H: ABCACB,
4H: ABCB |
Zulassung
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Produktions- und Forschungsqualität, Dummyqualität
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Leitungstyp
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N-Typ oder halbisolierend |
Band-Gap
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3.23 eV
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Härte
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9.2 (Mohs)
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Wärmeleitfähigkeit @300K
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3.2 bis 4.9 W/cm.K
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Dielektrische Konstanten
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Das ist ein sehr schwieriges Problem.33
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Widerstand
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4H-SiC-N: 0,015 bis 0,028 Ω·cm, 6H-SiC-N: 0,02 bis 0,1 Ω·cm, 4H/6H-SiC-SI: > 1E7 Ω·cm |
Verpackung
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Klasse 100 saubere Tasche, in Klasse 1000 saubere Raum
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Quadratische Substrate aus Siliziumcarbid (SiC) haben in verschiedenen Hightech-Industrien Anwendungen in der realen Welt gefunden, hauptsächlich aufgrund ihrer außergewöhnlichen thermischen, elektrischen und mechanischen Eigenschaften.Einige der wichtigsten Anwendungen sind:
Diese Anwendungen zeigen die Vielseitigkeit und Wirkung von SiC-Quadrat-Substraten bei der Bereitstellung leistungsstarker, energieeffizienter Lösungen in verschiedenen Branchen.
F: Was sind SiC-Substrate?
A:SiC-Wafer und -Substrate sindSpezialmaterialien aus Siliziumcarbid, die in der Halbleitertechnik verwendet werden, eine Verbindung, die für ihre hohe Wärmeleitfähigkeit, ihre ausgezeichnete mechanische Festigkeit und ihre große Bandbreite bekannt ist.