|
Detailinformationen |
|||
| Bogen/Verzerrung: | ≤ 50 μm | Durchmesser: | 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll |
|---|---|---|---|
| Orientierung: | Auf-Achse/Aus-Achse | Widerstand: | Hoch- niedrige Widerstandskraft |
| Zulassung: | Produktions-Forschungs-Attrappe | Flachheit: | Lambda/10 |
| Dielektrische Konstante: | c~9.66 | Wärmeleitfähigkeit: | 3 bis 5 W/cm·K@298K |
| Ein elektrisches Feld, das abbrechen kann: | 2-5×106V/cm | Geschwindigkeit der Sättigungsdrift: | 2.0 × 105 m/s/2.7 × 107 m/s |
| Hervorheben: | 6 Zoll SiC Einzelkristall,4 Zoll SiC Einzelkristall,2 Zoll SiC Einzelkristall |
||
Produkt-Beschreibung
2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 4H P Typ 6H P Typ 3C N Typ SiC Wafer Silicon Carbide Wafer Halbleiter
Beschreibung der SiC-Wafer:
4H-P-Type SiC: Dies bezieht sich auf ein Einzelkristall Siliziumkarbid-Wafer mit einer 4H-Kristallstruktur, die mit Akzeptorverunreinigungen bestückt ist, was es zu einem Halbleitermaterial des P-Typs macht. 6H-P-Type SiC:- Genauso.3C-N-Type SiC:Dies stellt eine einkristalline Siliziumkarbid-Wafer mit einer 3C-Kristallstruktur dar, die mit Spenderverunreinigungen bestückt ist, was zu einem N-Typ-Halbleiterverhalten führt.
Der Charakter von SiC-Wafer:
4H P-Typ SiC:
Kristallstruktur: 4H bezeichnet die hexagonale Kristallstruktur von Siliziumkarbid.
Dopingtyp: P-Typ zeigt an, dass das Material mit Akzeptorverunreinigungen doppiert ist.
Eigenschaften:
Hohe Elektronenmobilität.
geeignet für Hochleistungs- und Hochfrequenzgeräte.
Gute Wärmeleitfähigkeit.
Ideal für Anwendungen, die einen hohtemperaturbetrieb erfordern.
6H P-Typ SiC:
Kristallstruktur: 6H steht für die sechsseitige Kristallstruktur von Siliziumcarbid.
Dopingart: Dopingart P mit Akzeptorverunreinigungen.
Eigenschaften:
Gute mechanische Festigkeit.
Hohe Wärmeleitfähigkeit.
Verwendet bei hoher Leistung und hohen Temperaturen.
Geeignet für elektronische Geräte in rauen Umgebungen.
3C N-Typ SiC:
Kristallstruktur: 3C bezieht sich auf die kubische Kristallstruktur von Siliziumcarbid.
Dopingtyp: N-Typ zeigt Doping mit Spenderverunreinigungen an.
Eigenschaften:
Vielseitiges Material für Elektronik und Optoelektronik.
Gute Kompatibilität mit Silizium-Technologie.
Geeignet für integrierte Schaltungen.
Bietet Möglichkeiten für breitbandfähige Elektronik.
Diese verschiedenen Arten von Siliziumcarbidwafern weisen aufgrund ihrer Kristallstrukturen und Dopingarten spezifische Eigenschaften auf.Jede Variante ist für verschiedene Anwendungen in der Elektronik optimiert, Stromgeräte, Sensoren und andere Bereiche, in denen die einzigartigen Eigenschaften von Siliziumcarbid, wie hohe Wärmeleitfähigkeit, hohe Auflösespannung und breite Bandbreite, von Vorteil sind.
Die Formaus SiC-Wafer:
| Eigentum | P-Typ 4H-SiC | P-Typ 6H-SiC | N-Typ 3C-SiC |
| Gitterparameter | a=3,082 Å c=10,092 Å |
a=3,09 Å c=15,084 Å |
a=4,349 Å |
| Abfolge der Stapelung | ABCB | Die Ausgabe ist abgeschrieben. | Abk |
| Mohs-Härte | - 9 Jahre.2 | - 9 Jahre.2 | - 9 Jahre.2 |
| Dichte | 3.23 g/cm3 | 30,0 g/cm3 | 20,36 g/cm3 |
| Therm. Ausdehnung Koeffizient |
4.3×10-6/K (→C-Achse) 4.7×10-6/K (C-Achse) |
4.3×10-6/K (→C-Achse) 4.7×10-6/K (C-Achse) |
3.8×10-6/K |
| Brechungsindex @750nm |
nicht = 2.621 Ne = 2.671 |
Nein = 2.612 Ne=2.651 |
Nein = 2.612 |
Das physische Fotoaus SiC-Wafer:
Die Anwendungaus SiC-Wafer:
Diese Arten von SiC spielen eine größere Rolle im Bereich III-V, Nitriddeposition, Optoelektronikgeräte, Hochleistungsgeräte, Hochtemperaturgeräte, Hochfrequenz-Leistungsgeräte.
1. 4H P-Typ SiC:
High-Power-Elektronik: Wird aufgrund seiner hohen Elektronenmobilität und Wärmeleitfähigkeit in leistungsstarken elektronischen Geräten wie Power-Dioden, MOSFETs und Hochspannungsgleichrichter eingesetzt.
HF- und Mikrowellengeräte: Geeignet für Funkfrequenz- und Mikrowellenanwendungen, die einen Hochfrequenzbetrieb und eine effiziente Energieverwendung erfordern.
Hochtemperaturumgebungen: Ideal für Anwendungen in rauen Umgebungen, die einen hochtemperaturen Betrieb und eine hohe Zuverlässigkeit erfordern, wie z. B. Luftfahrt- und Automobilsysteme.
2. 6H P-Typ SiC:
Leistungselektronik: Wird in Leistungshalbleitergeräten wie Schottky-Dioden, Leistungs-MOSFETs,mit einer Leistung von mehr als 50 W und einer Leistung von mehr als 50 W,.
Hochtemperaturelektronik: Wird in Hochtemperaturelektronik für Industriezweige wie Luft- und Raumfahrt, Verteidigung und Energie angewendet, bei denen die Zuverlässigkeit unter extremen Bedingungen entscheidend ist.
3.3C N-Typ SiC:
Integrierte Schaltungen: Geeignet für integrierte Schaltungen und mikroelektromechanische Systeme (MEMS) aufgrund ihrer Kompatibilität mit Siliziumtechnologie und ihres Potenzials für Breitbandelektronik.
Optoelektronik: In optoelektronischen Geräten wie LEDs, Photodetektoren und Sensoren verwendet, bei denen die kubische Kristallstruktur Vorteile für Lichtemissions- und Detektionsanwendungen bietet.
Biomedizinische Sensoren: Wird aufgrund ihrer Biokompatibilität, Stabilität und Empfindlichkeit in biomedizinischen Sensoren für verschiedene Sensoranwendungen eingesetzt.
Die Anwendungsbilderaus SiC-Wafer:
Anpassung:
SiC-Kristallprodukte können individuell angepasst werden, um die besonderen Anforderungen und Spezifikationen des Kunden zu erfüllen.
Häufige Fragen:
1.F: Was ist der Unterschied zwischen 4H-SiC und 6H-SiC?
A: Alle anderen SiC-Polytypen sind eine Mischung aus der Zink-Blende- und Wurtzit-Bindung.6H-SiC besteht zu zwei Dritteln aus kubischen Bindungen und zu einem Dritteln aus sechseckigen Bindungen mit einer Stapelfolge von ABCACB.
2F: Was ist der Unterschied zwischen 3C und 4H SiC?
A: Im Allgemeinen ist 3C-SiC als niedertemperaturstabiler Polytyp bekannt, während 4H- und 6H-SiC als hochtemperaturstabile Polytyp bekannt sind, die eine relativ hohe Temperatur benötigen, um... ... die Oberflächenrauheit und die Anzahl der Defekte der Epitaxialschicht korrelieren mit dem Cl/Si-Verhältnis.
Produktempfehlung:
1.6 Zoll Dia153mm 0,5mm monokristalline SiC Siliziumkarbid Kristall Samen Wafer oder Ingot
2.4H-N/Semi-Type SiC Ingot und Substrat Industrie-Dummy 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll