SiC-Substrat Siliziumkarbid-Subbatter 4H/6H-P 3C-N 5×5 10×10mm P-Klasse R-Klasse D-Klasse

4H/6H-P SiC Substrat 5×5 10×10mm Abstrakt

Das 4H/6H-P Silicon Carbide (SiC) -Substrat mit Abmessungen von 5 × 5 mm und 10 × 10 mm stellt einen entscheidenden Fortschritt in der Herstellung von Halbleitermaterialien dar.besonders für Anwendungen mit hoher Leistung und hoher TemperaturSiC, ein breitbandreicher Halbleiter, weist eine außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit, eine hohe Abbauelektrostärke und robuste mechanische Eigenschaften auf.so dass es eine bevorzugte Wahl für Leistungselektronik und optoelektronische Geräte der nächsten Generation istDiese Studie untersucht die Fertigungstechniken, die zur Herstellung hochwertiger 4H/6H-P SiC-Substrate verwendet werden, um gemeinsame Herausforderungen wie Defektminimierung und Wafergleichheit zu bewältigen.Das Papier beleuchtet die Anwendungen des Substrats in KraftgerätenDie Technologie ist in der Regel in der Lage, eine große Anzahl von Anwendungen für Hochfrequenzgeräte und andere Hochfrequenzanwendungen zu entwickeln.Die Ergebnisse deuten darauf hin, dass diese SiC-Substrate eine entscheidende Rolle bei der Entwicklung effizienterer und zuverlässigerer elektronischer Geräte spielen werden, die Durchbrüche in den Bereichen Leistung und Energieeffizienz ermöglichen.

4H/6H-P SiC Substrat 5×5 Eigenschaften von 10×10mm

das 4H/6H-P SiC-Substrat (Siliziumkarbid), insbesondere in den Abmessungen 5 × 5 mm und 10 × 10 mm,zeigt mehrere bemerkenswerte Eigenschaften, die es zu einer bevorzugten Wahl in Hochleistungs-Halbleiteranwendungen machen:

1. Weite Bandbreite:Die breite Bandbreite von SiC (etwa 3,26 eV für 4H und 3,02 eV für 6H) ermöglicht den Betrieb bei hohen Temperaturen und Spannungen, was für die Leistungselektronik von Vorteil ist.

2. Hochwärmeleitfähigkeit:SiC hat eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit von etwa 3,7 W/cm·K, was zur effizienten Wärmeableitung beiträgt und es für Hochleistungsgeräte geeignet macht.

3. Elektrofeld mit hoher Auflösung:SiC kann hohen elektrischen Feldern (bis zu 3 MV/cm) standhalten und ist somit ideal für Anlagen mit hoher Spannung.

4. Mechanische Festigkeit:SiC ist bekannt für seine mechanische Robustheit und bietet eine hohe Abnutzungsbeständigkeit, die für Geräte unter extremen Bedingungen von entscheidender Bedeutung ist.

5. Chemische Stabilität:SiC ist chemisch stabil, beständig gegen Oxidation und Korrosion, weshalb es für raue Umgebungen, einschließlich Luft- und Raumfahrt- und Automobilanwendungen, geeignet ist.

Diese Eigenschaften ermöglichen die Verwendung von 4H/6H-P SiC-Substraten in einer Vielzahl von Anwendungen, einschließlich Hochleistungstransistoren, HF-Geräten und Optoelektronik,wenn Leistung und Zuverlässigkeit entscheidend sind.

4H/6H-P SiC Substrat 5×5 10×10 mm Bild

4H/6H-P SiC Substrat 5×5 10×10mm Anwendungen

Das 4H/6H-P SiC (Silicon Carbide) Substrat, insbesondere in Größen von 5 × 5 mm und 10 × 10 mm, wird in verschiedenen leistungsstarken und anspruchsvollen Anwendungen in mehreren Branchen eingesetzt:

1. Leistungselektronik:SiC-Substrate werden häufig in Stromgeräten wie MOSFETs, IGBTs und Schottky-Dioden verwendet, die für Elektrofahrzeuge, erneuerbare Energiesysteme und Stromnetze unerlässlich sind.Die breite Bandbreite und die hohe Abbruchspannung von SiC ermöglichen eine effiziente Energieumwandlung und den Betrieb unter hohen Spannungen und Temperaturen.

2. HF- und Mikrowellengeräte:SiC ist ein hervorragendes Material für HF- und Mikrowellengeräte, die in Telekommunikation, Radarsystemen und Satellitenkommunikation eingesetzt werden.Seine Fähigkeit, bei hohen Frequenzen und Temperaturen mit geringem Signalverlust zu arbeiten, macht ihn für Hochleistungsverstärker und -schalter geeignet.

3. Optoelektronik:SiC-Substrate werden in LEDs und Laserdioden eingesetzt, insbesondere im UV- und Blauwellenlängenbereich.und Umweltüberwachung.

4. Luft- und Raumfahrt:Aufgrund seiner thermischen Stabilität und Widerstandsfähigkeit gegen raue Umgebungen wird SiC in Luft- und Raumfahrtsensoren, Antrieben und Leistungsmodulen verwendet, wo die Zuverlässigkeit unter extremen Bedingungen entscheidend ist.

Diese Anwendungen unterstreichen die Bedeutung von 4H/6H-P SiC-Substraten bei fortschrittlichen Technologien, die Effizienz, Langlebigkeit und einen leistungsstarken Betrieb erfordern.

Fragen und Antworten

Was ist 4H in 4H-SiC?

4H-SiC und 6H-SiC stellenHexagonale Kristallstrukturen, wobei "H" die hexagonale Symmetrie und die Zahlen 4 und 6 die Schichten in ihren Einheitszellen angeben.mit einer Breite von mehr als 20 mm,.