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Detailinformationen |
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| Material: | Siliziumkarbid | Durchmesser: | 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll |
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| Particle: | Free/Low Particle | Resistivity: | High/Low Resistivity |
| Stärke: | 350um | Surface Finish: | Single/Double Side Polished |
| Zulassung: | Produktions-Forschungs-Attrappe | Type: | 4H/6H-P |
| Hervorheben: | DSP SiC Wafer,4H/6H-P SiC-Wafer,6 Zoll SiC Wafer |
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Produkt-Beschreibung
6 Zoll SiC-Wafer 4H/6H-P Siliziumkarbid Substrat DSP (111) Halbleiter RF Mikrowellen-LED-Laser
Beschreibung der SiC-Wafer:
Die 6-Zoll-P-Type Silicon Carbide (SiC) Wafer in entweder 4H oder 6H Polytyp. Es hat ähnliche Eigenschaften wie die N-Type Silicon Carbide (SiC) Wafer, wie hochtemperaturbeständige,hohe Wärmeleitfähigkeit, hohe elektrische Leitfähigkeit usw. Das P-Typen-SiC-Substrat wird im Allgemeinen für die Herstellung von Stromgeräten verwendet, insbesondere für die Herstellung von Isolierten Gate Bipolar Transistoren (IGBT).Die Konstruktion von IGBT beinhaltet häufig P-N-Kreuzungen, wobei P-Typen SiC für die Steuerung des Verhaltens der Geräte von Vorteil sein können.
Der Charakter von SiC-Wafer:
1Strahlungsbeständigkeit:
Siliziumcarbid ist sehr beständig gegen Strahlenschäden, was 4H/6H-P SiC-Wafer ideal für den Einsatz in Raumfahrt- und Kerntechnikanwendungen macht, in denen die Strahlenexposition erheblich ist.
2Weite Bandbreite:
4H-SiC: Die Bandlücke beträgt etwa 3,26 eV.
6H-SiC: Die Bandlücke ist etwas niedriger, bei etwa 3,0 eV.
Diese breiten Bandbreiten ermöglichen es SiC-Wafern, bei höheren Temperaturen und Spannungen im Vergleich zu Silizium-basierten Materialien zu arbeiten, was sie ideal für Leistungselektronik und extreme Umweltbedingungen macht.
3Hochentzündungs-Elektrfeld:
SiC-Wafer haben ein viel höheres Aufbruch-Elektrfeld (etwa 10-mal das von Silizium). Dies ermöglicht das Design kleinerer, effizienterer Leistungseinrichtungen, die mit hohen Spannungen umgehen können.
4. Hohe Wärmeleitfähigkeit:
SiC hat eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit (etwa 3-4 mal höher als Silizium), so dass aus diesen Wafern hergestellte Geräte ohne Überhitzung mit hoher Leistung arbeiten können.Dies macht sie ideal für Anwendungen mit hoher Leistung, bei denen die Wärmeableitung kritisch ist.
5. Hohe Elektronenmobilität:
4H-SiC hat eine höhere Elektronenmobilität (~ 950 cm2/Vs) im Vergleich zu 6H-SiC (~ 400 cm2/Vs), was bedeutet, dass 4H-SiC für Hochfrequenzanwendungen geeigneter ist.
Diese hohe Elektronenmobilität ermöglicht eine schnellere Schaltgeschwindigkeit in elektronischen Geräten, wodurch 4H-SiC für HF- und Mikrowellenanwendungen bevorzugt ist.
6Temperaturstabilität:
SiC-Wafer können bei Temperaturen weit über 300 °C arbeiten, viel höher als Silizium-basierte Geräte, die typischerweise auf 150 °C begrenzt sind.wie zum Beispiel im Automobilbereich, Luft- und Raumfahrt und industrielle Systeme.
7. Hohe mechanische Festigkeit:
SiC-Wafer sind mechanisch robust, mit ausgezeichneter Härte und Widerstandsfähigkeit gegen mechanische Belastungen geeignet für den Einsatz in Umgebungen, in denen die physikalische Haltbarkeit unerlässlich ist.
Form der SiC-Wafer:
| 6 Zoll Durchmesser Siliziumkarbid (SiC) Substrat Spezifikation | |||||
| Zulassung | Null MPD-Produktion Klasse (Klasse Z) |
Standardproduktion Klasse (Klasse P) |
Schwachstelle (Grad D) |
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| Durchmesser | 145.5 mm bis 150,0 mm | ||||
| Stärke | 350 μm ± 25 μm | ||||
| Waferorientierung | Außerhalb der Achse: 2,0°-4,0° nach [1120] ± 0,5° für 4H/6H-P, auf der Achse: 111°± 0,5° für 3C-N | ||||
| Mikropipendichte | 0 cm bis 2 | ||||
| Widerstand | P-Typ 4H/6H-P | ≤ 0,1 Ω.cm | ≤ 0,3 Ω.cm | ||
| Primäre flache Orientierung | P-Typ 4H/6H-P | {1010} ± 5,0° | |||
| Primärflächige Länge | 32.5 mm ± 2,0 mm | ||||
| Sekundäre flache Länge | 18.0 mm ± 2,0 mm | ||||
| Sekundäre flache Ausrichtung | Silikon nach oben: 90° CW. von Prime flat ± 5,0° | ||||
| Grenze ausgeschlossen | 3 mm | 6 mm | |||
| LTV/TTV/Bow/Warp | Bei der Verwendung von Zylindersäulen ist die Zylindersäule zu verwenden. | Bei der Verwendung von Folien mit einem Durchmesser von ≤ 10 μm/≤ 15 μm/≤ 25 μm/≤ 40 μm | |||
| Grobheit | Polnische Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra≤0,5 nm | ||||
| Randspalten durch hochintensives Licht | Keine | Gesamtlänge ≤ 10 mm, Einzellänge ≤ 2 mm | |||
| Hex-Platten durch hochintensives Licht | Kumulative Fläche ≤ 0,05% | Kumulative Fläche ≤ 0,1% | |||
| Polytypische Bereiche durch Licht mit hoher Intensität | Keine | Kumulative Fläche ≤ 3% | |||
| Sichtbare Kohlenstoffinklusionen | Kumulative Fläche ≤ 0,05% | Kumulative Fläche ≤ 3% | |||
| Silikon-Oberflächenkratzungen durch hochintensives Licht | Keine | Kumulative Länge ≤ 1 × Waferdurchmesser | |||
| Edge-Chips mit hoher Lichtintensität | Keine zulässig Breite und Tiefe ≥ 0,2 mm | 5 zulässig, jeweils ≤ 1 mm | |||
| Silikonbodenverschmutzung durch hohe Intensität | Keine | ||||
| Verpackung | Mehrfachwafer-Kassette oder Einfachwaferbehälter | ||||
Anwendung von SiC-Wafer:
Leistungselektronik:
Wird in Dioden, MOSFETs und IGBTs für Hochspannungs- und Hochtemperaturanwendungen wie Elektrofahrzeuge, Stromnetze und erneuerbare Energiesysteme verwendet.
HF- und Mikrowellengeräte:
Ideal für Hochfrequenzgeräte wie HF-Verstärker und Radarsysteme.
LEDs und Laser:
SiC wird auch als Substratmaterial für die Herstellung von GaN-basierten LEDs und Lasern verwendet.
Automobil-Elektronik
Verwendung in Komponenten des Antriebsstrangs von Elektrofahrzeugen und Ladesystemen.
Luft- und Raumfahrt:
Aufgrund ihrer Strahlungshärte und thermischen Stabilität werden SiC-Wafer in Satelliten, militärischen Radaren und anderen Verteidigungssystemen verwendet.
Industrieanwendungen:
Verwendet in industriellen Stromversorgungen, Motorantrieben und anderen leistungsstarken, hocheffizienten elektronischen Systemen.
Anwendungsbild von SiC-Wafer:
Anpassung:
Die Anpassung von Silicon Carbide (SiC) -Wafern ist unerlässlich, um die spezifischen Bedürfnisse verschiedener fortschrittlicher elektronischer, industrieller und wissenschaftlicher Anwendungen zu erfüllen.Wir können eine Reihe von anpassbaren Parametern anbieten, um sicherzustellen, dass die Wafer für bestimmte Geräteanforderungen optimiert sind. Im Folgenden sind die wichtigsten Aspekte der SiC-Wafer-Anpassung aufgeführt:Kristallorientierung; Durchmesser und Dicke; Dopingart und -konzentration; Oberflächenpolierung und Oberflächenveredelung; Widerstandsfähigkeit; Epitaxialschicht; Orientierungsflächen und -notches;SiC-on-Si und andere Substratkombinationen.
Verpackung und Versand:
Häufige Fragen:
1.F: Was ist 4H und 6H SiC?
A: 4H-SiC und 6H-SiC stellen hexagonale Kristallstrukturen dar, wobei "H" die hexagonale Symmetrie und die Zahlen 4 und 6 die Schichten in ihren Einheitszellen darstellen.Diese Strukturvariation beeinflusst die elektronische Bandstruktur des Materials, was ein entscheidender Faktor für die Leistung eines Halbleitergeräts ist.
2.F: Was ist ein P-Substrat?
A: P-Typ-Material ist ein Halbleiter, der einen positiven Ladungsträger hat, der als Loch bekannt ist.die ein Valenz-Elektron weniger hat als die Halbleiteratome.
Produktempfehlung:
1.SiC Siliziumkarbid Wafer 4H-N Typ für MOS-Gerät 2 Zoll Durchmesser 50,6 mm
2.SiC-Substrat Siliziumkarbid Subatrte 3C-N 5×5 10×10 mm