3C-N SiC Wafer 4 Zoll Siliziumkarbid Prime Grade Dummy Grade Hohe Elektronenmobilität RF LED

3C-N SiC Wafer 4 Zoll Siliziumkarbid Prime Grade Dummy Grade Hohe Elektronenmobilität RF LED

Beschreibung der 3C-N SiC-Wafer:

Wir können 4 Zoll 3C-N Siliziumkarbid Wafer mit N-Typ SiC Substraten anbieten.Es hat eine Kristallstruktur aus Siliziumkarbid, wobei das Silizium und die Kohlenstoffatome in einem kubischen Gitter mit einer diamantähnlichen Struktur angeordnet sindEs verfügt über mehrere überlegene Eigenschaften gegenüber dem weit verbreiteten 4H-SiC, wie eine höhere Elektronenmobilität und Sättigungsgeschwindigkeit.und leichter zu fertigen als die derzeit üblichen 4H-SiC-WaferEs eignet sich außergewöhnlich gut für Leistungselektronik.

Der Charakter der 3C-N SiC-Wafer:

1Weite Bandbreite
Hochspannung: 3C-N SiC-Wafer haben eine große Bandbreite (~ 3,0 eV), was einen Hochspannungsbetrieb ermöglicht und sie für Leistungselektronik geeignet macht.
2. Hohe Wärmeleitfähigkeit
Effiziente Wärmeverteilung: Mit einer Wärmeleitfähigkeit von etwa 3,0 W/cm·K können diese Wafer die Wärme effektiv abführen, so dass Geräte ohne Überhitzung mit höheren Leistungsniveaus arbeiten können.
3. Hohe Elektronenmobilität
Verbesserte Leistung: Die hohe Elektronenmobilität (~ 1000 cm2/V·s) führt zu schnelleren Schaltgeschwindigkeiten, wodurch 3C-N SiC für Hochfrequenzanwendungen ideal ist.
4Mechanische Festigkeit
Haltbarkeit: 3C-N SiC-Wafer weisen ausgezeichnete mechanische Eigenschaften auf, einschließlich hoher Härte und Verschleißfestigkeit, was ihre Zuverlässigkeit in verschiedenen Anwendungen erhöht.
5Chemische Stabilität
Korrosionsbeständigkeit: Das Material ist chemisch stabil und oxidierungsbeständig und eignet sich daher für raue Umgebungen.
6. Niedrige Leckströme
Effizienz: Der geringe Leckstrom in Geräten, die aus 3C-N SiC-Wafern hergestellt werden, trägt zu einer verbesserten Effizienz in der Leistungselektronik bei.

Form von 3C-N SiC-Wafer:

Vergleich der Eigenschaften von SiC:

Physikalisches Foto von 3C-N SiC Wafer:

Anwendungen von 3C-N SiC-Wafer:

1. Leistungselektronik
Hochleistungsgeräte: Verwendet bei MOSFETs und IGBTs aufgrund ihrer hohen Abbruchspannung und Wärmeleitfähigkeit.
Schaltgeräte: Ideal für Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad, wie z. B. Gleichspannungsumrichter und Wechselrichter.
2. HF- und Mikrowellengeräte
Hochfrequenztransistoren: In HF-Verstärkern und Mikrowellengeräten verwendet, die von der hohen Elektronenmobilität profitieren.
Radar- und Kommunikationssysteme: Für Satellitenkommunikation und Radartechnik zur Verbesserung der Leistung verwendet.
3. LED-Technologie
Blaue und ultraviolette LEDs: 3C-SiC kann bei der Herstellung von Leuchtdioden verwendet werden, insbesondere für Blau- und UV-Lichtanwendungen.
4. Hochtemperaturanwendungen
Sensoren: geeignet für Hochtemperatursensoren in der Automobilindustrie und in der Industrie.
Luft- und Raumfahrt: In Komponenten eingesetzt, die in extremen Umgebungen effektiv arbeiten müssen.

Anwendungsbild der 3C-N SiC-Wafer:

Verpackung und Versand von 3C-N SiC-Wafer:

Anpassungen:

SiC-Kristallprodukte können individuell angepasst werden, um die besonderen Anforderungen und Spezifikationen des Kunden zu erfüllen.

Produktempfehlung:

1.2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll Sic Wafer 4H-N/Semi Typ

2.6 Zoll SiC Wafer 4H/6H-P