Silikonkarbidwafer 3C-N Typ 5*5 10*10mm Zoll Durchmesser Dicke 350 μm±25 μm

Produkt-Beschreibung

Siliziumkarbidwafer 3C-N Typ 5*5 & 10*10mm Zoll Durchmesser Dicke 350 μm±25 μm

Silikonkarbid Wafer 3C-N-Typ Abstrakt

Diese Zusammenfassung stellt Wafer des Typs Silicon Carbide (SiC) 3C-N vor, die in 5x5 mm und 10x10 mm mit einer Dicke von 350 μm ± 25 μm erhältlich sind.Diese Wafer sind so konzipiert, dass sie den präzisen Anforderungen von Hochleistungsanwendungen in der Optoelektronik gerecht werden.Durch ihre überlegene Wärmeleitfähigkeit, mechanische Festigkeit und elektrische Eigenschaften bieten SiC-3C-N-Wafer eine verbesserte Haltbarkeit und Wärmeabsorption.Sie sind daher ideal für Geräte geeignet, die eine hohe thermische Stabilität und ein effizientes Energiemanagement erfordernDie angegebenen Abmessungen und Dicken sorgen für Kompatibilität in einer Vielzahl von fortschrittlichen Industrie- und Forschungsanwendungen.

Silikonkarbid Wafer 3C-N-Typ Schaufenster

Eigenschaften und Datendiagramm von Siliziumkarbid-Wafern des Typs 3C-N

Art des Materials: 3C-N Siliziumkarbid (SiC)

Diese kristalline Form weist hervorragende mechanische und thermische Eigenschaften auf, die für Hochleistungsanwendungen geeignet sind.

Größe:

Erhältlich in zwei Standardgrößen: 5x5mm und 10x10mm.

Stärke:

Stärke: 350 μm ± 25 μm

Die präzise gesteuerte Dicke sorgt für mechanische Stabilität und Kompatibilität mit verschiedenen Anforderungen an die Vorrichtung.

Wärmeleitfähigkeit:

SiC weist eine überlegene Wärmeleitfähigkeit auf und ermöglicht eine effiziente Wärmeableitung, was es ideal für Anwendungen macht, die ein thermisches Management erfordern, wie AR-Gläser und Leistungselektronik.

Mechanische Festigkeit:

SiC weist eine hohe Härte und mechanische Festigkeit auf und bietet damit eine hohe Haltbarkeit und Widerstandsfähigkeit gegen Verschleiß und Verformung, was für anspruchsvolle Umgebungen unerlässlich ist.

Elektrische Eigenschaften:

SiC-Wafer verfügen über eine hohe elektrische Abbruchspannung und eine geringe thermische Expansion, die für Hochleistungs- und Hochfrequenzgeräte von entscheidender Bedeutung sind.

Optische Klarheit:

SiC weist in bestimmten optischen Wellenlängen eine hervorragende Transparenz auf und eignet sich somit für den Einsatz in optoelektronischen und AR-Technologien.

Hohe Stabilität:

Die Widerstandsfähigkeit von SiC gegen thermische und chemische Belastungen gewährleistet eine langfristige Zuverlässigkeit unter rauen Bedingungen.

Diese Eigenschaften machen SiC 3C-N-Wafer für den Einsatz in fortschrittlichen elektronischen und optoelektronischen Geräten sowie in AR-Technologien der nächsten Generation sehr vielseitig.

5*5 & 10*10mm Inch SiC Zellplattenproduktstandard

5*5 & 10 × 10 mm Zoll Durchmesser SilikonVerwirrung Karbid (SiC)

Anmerkungen:

※Die Fehlergrenzwerte gelten für die gesamte Waferoberfläche mit Ausnahme des Rand-Ausgrenzungsbereichs.

Anwendungen von Siliconcarbide Wafers 3C-N-Typ

Siliconcarbide (SiC) -Wafer, speziell 3C-N-Typ, sind eine Variante von SiC, die aufgrund ihrer kubischen Kristallstruktur (3C-SiC) einzigartige Eigenschaften besitzt.Diese Wafer werden aufgrund ihrer hervorragenden Eigenschaften hauptsächlich für verschiedene Hochleistungs- und Spezialanwendungen verwendetEinige wichtige Anwendungen von SiC-Wafern des Typs 3C-N sind:

1.Elektroelektronik

• Hochspannungsgeräte: SiC-Wafer eignen sich hervorragend für die Herstellung von Stromgeräten wie MOSFETs, Schottky-Dioden und IGBTs. Diese Geräte werden in Hochspannungs- und Hochtemperaturumgebungen verwendet,wie Elektrofahrzeuge (EV), Hybrid-Elektrofahrzeuge (HEV) und Systeme für erneuerbare Energien (wie Solarumrichter).
• Effiziente Energieumwandlung: SiC ermöglicht höhere Effizienz und geringere Energieverluste in Leistungsumwandlungssystemen wie Gleichspannungs-Gleichspannungsumwandlern und Motorantrieben.

2.Hochfrequenzgeräte

• Funkanwendungen: 3C-SiC ist aufgrund seiner hohen Elektronenmobilität für HF- und Mikrowellenanwendungen geeignet, einschließlich Radarsysteme, Satellitenkommunikation und 5G-Technologie.
• Hochfrequenzverstärker: Geräte, die im GHz-Frequenzbereich arbeiten, profitieren von der geringen Leistungsauslösung und der hohen thermischen Stabilität von 3C-SiC.

3.Sensoren für hohe Temperaturen und raue Umgebungen

• Temperatursensoren: SiC-Wafer können in Geräten für extreme Temperaturumgebungen wie Luft- und Raumfahrt, Automobil- und Industrieprozesse verwendet werden.
• Drucksensoren: 3C-SiC wird in Drucksensoren eingesetzt, die in extremen Umgebungen wie Tiefseeforschung oder Vakuumkammern arbeiten müssen.
• Chemische Sensoren: 3C-N SiC ist chemisch inert, weshalb es in Gas- oder chemischen Sensoren für die Überwachung in korrosiven Umgebungen nützlich ist.

4.LEDs und Optoelektronik

• Blaue und UV-LED: Die große Bandbreite von 3C-SiC macht es ideal für die Herstellung von blauen und ultravioletten Leuchtdioden (LEDs), die in Anzeigetechnologien, Datenspeicherung (Blu-ray) und Sterilisationsverfahren eingesetzt werden.
• mit einer Leistung von mehr als 10 W: SiC-Wafer können in ultravioletten (UV) -Fotodetektoren für verschiedene Anwendungen verwendet werden, einschließlich Flammdetektion, Umweltüberwachung und Astronomie.

5.Quantenrechner und Forschung

• Quantengeräte: 3C-SiC wird in der Quantencomputing für die Entwicklung von Spintronik und anderen quantenbasierten Geräten aufgrund seiner einzigartigen Defekteigenschaften, die die Speicherung und Verarbeitung von Quanteninformationen ermöglichen, untersucht.
• Materialforschung: Da 3C-SiC ein relativ seltener verbreiteter Polytyp von SiC ist, wird er in der Forschung verwendet, um seine potenziellen Vorteile gegenüber anderen SiC-Typen (wie 4H-SiC oder 6H-SiC) zu erforschen.

6.Luft- und Raumfahrt

• Elektrotechnik für schwierige Umgebungen: SiC-Geräte sind in der Luft- und Raumfahrtindustrie und in der Verteidigungsindustrie für Anwendungen wie Leistungsmodule, Radarsysteme und Satellitenkommunikation von entscheidender Bedeutung, wo extreme Bedingungen und Zuverlässigkeit entscheidend sind.
• Elektrotechnik mit robustem Aufbau: Die Fähigkeit von SiC, hohen Strahlungswerten standzuhalten, macht es ideal für den Einsatz in Raumfahrtmissionen und militärischer Ausrüstung.

Zusammenfassend werden SiC-Wafer des Typs 3C-N hauptsächlich in der Leistungselektronik, Hochfrequenzgeräten, Sensoren für raue Umgebungen, Optoelektronik, Quantengeräten und Luft- und Raumfahrtanwendungen verwendet.wo ihre einzigartigen Eigenschaften wie breite Bandgap, thermische Stabilität und hohe Elektronenmobilität bieten erhebliche Vorteile gegenüber herkömmlichen Silizium-basierten Materialien.

Fragen und Antworten

Was ist 3C Siliziumkarbid?

3C-Siliziumkarbid (3C-SiC)ist einer der Polytypen von Siliziumcarbid, der durch seine kubische Kristallstruktur gekennzeichnet ist, die ihn von den häufigeren hexagonalen Formen wie 4H-SiC und 6H-SiC unterscheidet.Das kubische Gitter aus 3C-SiC bietet mehrere bemerkenswerte Vorteile.

Erstens, 3C-SiC-Exponatehöhere Elektronenmobilität, so dass es für Hochfrequenz- und Leistungselektronikvorrichtungen vorteilhaft ist, insbesondere in Anwendungen, die ein schnelles Schalten erfordern.Bandgapist im Vergleich zu anderen SiC-Polytypen niedriger (rund 2,36 eV), funktioniert es immer noch gut in Hochspannungs- und Hochleistungsumgebungen.

Zusätzlich behält 3C-SiC diehohe Wärmeleitfähigkeitundmechanische FestigkeitDas ist ein typisches Merkmal von Siliziumkarbid, das es ermöglicht, unter extremen Bedingungen wie hohen Temperaturen und hohen Belastungen zu arbeiten.optische Transparenz, so dass sie für optoelektronische Anwendungen wie LEDs und Photodetektoren geeignet ist.

Daher wird 3C-SiC in derLeistungselektronik,Hochfrequenzgeräte,Optoelektronik, undSensoren, insbesondere bei hohen Temperaturen und hohen Frequenzen, wo seine einzigartigen Eigenschaften erhebliche Vorteile bieten.