3C-N-Siliziumkarbid Wafer 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll oder 5 * 5 10 * 10 mm Größe Produktionsgrad Forschungsgrad

Produkt-Beschreibung

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Siliziumkarbid-Wafer vom Typ 3C-N, 2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll oder 5 x 5 und 10 x 10 mm, Forschungsqualität in Produktionsqualität

 

 

Beschreibung der Siliziumkarbid-Wafer vom Typ 3C-N

 

 

Siliziumkarbid-Wafer (SiC) vom Typ 3C-Nsind eine spezielle Variante von SiC-Wafern, die den kubischen 3C-Polytyp nutzen. Diese Wafer sind für ihre außergewöhnlichen thermischen, elektrischen und mechanischen Eigenschaften bekannt und so konzipiert, dass sie den strengen Anforderungen fortschrittlicher Technologien in der Elektronik, Optoelektronik und Leistungsgeräten gerecht werden.

Der3C-Polytypweist eine kubische Kristallstruktur auf, die gegenüber hexagonalen Polytypen wie 4H-SiC und 6H-SiC mehrere Vorteile bietet. Ein wesentlicher Vorteil von 3C-SiC isthöhere ElektronenmobilitätDies macht es ideal für Hochfrequenzanwendungen und Leistungselektronik, bei denen schnelles Schalten und geringer Energieverlust von entscheidender Bedeutung sind. Darüber hinaus verfügen 3C-N-SiC-Wafer über einegeringere Bandlücke(ca. 2,36 eV), wodurch sie dennoch hohe Leistungen und Spannungen effizient verarbeiten können.

 

Diese Wafer sind in Standardgrößen erhältlich, z5x5mmUnd10x10mm, mit einemDicke von 350 μm ± 25 μmDies gewährleistet eine präzise Kompatibilität für verschiedene Geräteherstellungsprozesse. Sie eignen sich gut für den Einsatz inhohe LeistungUndHochfrequenzgeräteB. MOSFETs, Schottky-Dioden und andere Halbleiterkomponenten, die unter extremen Bedingungen zuverlässige Leistung bieten.

DerWärmeleitfähigkeitvon 3C-N-SiC-Wafern ermöglicht eine effiziente Wärmeableitung, ein entscheidendes Merkmal für Geräte, die mit hohen Leistungsdichten arbeiten. Darüber hinaus machen sie ihre mechanische Festigkeit und Beständigkeit gegenüber thermischer und chemischer Beanspruchung auch in anspruchsvollen Umgebungen langlebig und verbessern so ihren Einsatz inLeistungselektronik,AR-Technologien, UndHochtemperatursensoren.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass SiC-Wafer vom Typ 3C-N überlegene elektronische, thermische und mechanische Eigenschaften vereinen, was sie für elektronische Geräte und Hochleistungsanwendungen der nächsten Generation unverzichtbar macht.

 

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Fotos von Siliziumkarbidwafern vom Typ 3C-N

 

 

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Eigenschaften von Siliziumkarbidwafern vom Typ 3C-N

 

Kristallstruktur:

Kubische (3C) Polytyp-Struktur, die im Vergleich zu hexagonalen SiC-Polytypen wie 4H-SiC und 6H-SiC eine höhere Elektronenmobilität bietet und sich daher für Hochfrequenzanwendungen eignet.

 

Größenoptionen:

Erhältlich in den Abmessungen 5 x 5 mm und 10 x 10 mm, was Flexibilität für verschiedene Anwendungen bietet.

 

Dicke:

Präzise kontrollierte Dicke von 350 μm ± 25 μm, die mechanische Stabilität und Kompatibilität mit einer Vielzahl von Herstellungsprozessen gewährleistet.

 

Hohe Elektronenmobilität:

Die kubische Kristallstruktur führt zu einem verbesserten Elektronentransport und ist daher vorteilhaft für Anwendungen mit hoher Geschwindigkeit und geringem Energieverlust in der Leistungselektronik und HF-Geräten.

 

Wärmeleitfähigkeit:

Die hervorragende Wärmeleitfähigkeit ermöglicht eine effiziente Wärmeableitung, was für Geräte mit hoher Leistungsdichte von entscheidender Bedeutung ist. Sie trägt dazu bei, Überhitzung zu verhindern und die Lebensdauer der Geräte zu erhöhen.

 

Bandlücke:

Eine geringere Bandlücke von etwa 2,36 eV, geeignet für Hochspannungs- und Hochleistungsanwendungen bei gleichzeitig effizientem Betrieb in extremen Umgebungen.

 

Mechanische Festigkeit:

3C-N-SiC-Wafer zeichnen sich durch eine hohe mechanische Haltbarkeit aus, bieten Verschleiß- und Verformungsbeständigkeit und gewährleisten eine langfristige Zuverlässigkeit unter rauen Bedingungen.

 

Optische Transparenz:

Gute optische Eigenschaften, insbesondere für optoelektronische Anwendungen wie LEDs und Fotodetektoren, dank seiner Transparenz für bestimmte Wellenlängen.

 

Chemische und thermische Stabilität:

Hohe Beständigkeit gegenüber thermischer und chemischer Belastung, wodurch es für den Einsatz in extremen Umgebungen wie Hochtemperaturelektronik und Sensoren geeignet ist.

 

Aufgrund dieser Eigenschaften eignen sich 3C-N-SiC-Wafer ideal für eine Vielzahl fortschrittlicher Anwendungen, darunter Leistungselektronik, Hochfrequenzgeräte, Optoelektronik und Sensoren.

 

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Datentabelle für Siliziumkarbidwafer vom Typ 3C-N

 

晶格领域 2 英寸 SiC 晶片产品标准

2 Zoll Durchmesser SilikonHartmetall (SiC)-Substrat Spezifikation

 

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等级 Note			工业级 Produktionsqualität (P-Klasse)	研究级 Forschungsgrad (R-Klasse)	试片级 Dummy-Note (D-Klasse)
直径 Durchmesser			50,8 mm ± 0,38 mm
厚度 Dicke			350 μm ± 25 μm
晶片方向 Wafer-Ausrichtung			Außerhalb der Achse: 2,0°-4,0° in Richtung [112			0] ± 0,5° für 4H/6H-P, Auf der Achse:〈111〉± 0,5° für 3C-N
微管密度 Micropipe Density			0 cm-2
电阻率 ※Widerstand	4H/6H-P		≤0,1 Ω.cm
	3C-N		≤0,8 mΩ·cm
主定位边方向 Primäre flache Ausrichtung		4H/6H-P	{10-10} ±5,0°
		3C-N	{1-10} ±5,0°
主定位边长度 Primäre flache Länge			15,9 mm ±1,7 mm
次定位边长度 Sekundäre flache Länge			8,0 mm ±1,7 mm
次定位边方向 Secondary Flat Orientation			Silikonseite nach oben: 90° CW. von Prime Flat ±5,0°
边缘去除 Kantenausschluss			3 mm		3 mm
总厚度变化/弯曲度/翘曲度 TTV/Bow/Warp			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm
表面粗糙度※ Rauheit			Polnisch Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0,2 nm
Kantenrisse durch hochintensives Licht			Keiner		1 erlaubt, ≤1 mm
六方空洞(强光灯观测) ※ Hex-Platten durch hochintensives Licht			Kumulierte Fläche ≤ 1 %		Kumulierte Fläche ≤ 3 %
多型(强光灯观测) ※ Polytypiebereiche durch hochintensives Licht			Keiner	Kumulierte Fläche≤2 %	Kumulierte Fläche ≤ 5 %
Si 面划痕(强光灯观测)# Kratzer auf der Siliziumoberfläche durch hochintensives Licht			3 Kratzer auf 1×Wafer Durchmesser kumulative Länge	5 Kratzer auf 1×Wafer Durchmesser kumulative Länge	8 Kratzer bis 1×Waferdurchmesser Gesamtlänge
崩边(强光灯观测) Edge Chips High By Intensity Light Licht			Keiner	3 zulässig, jeweils ≤0,5 mm	5 zulässig, jeweils ≤1 mm
硅面污染物(强光灯观测) Kontamination der Siliziumoberfläche durch hohe Intensität			Keiner
Mehr Verpackung			Multi-Wafer-Kassette oder Einzelwafer-Behälter

 

 

 

Hinweise:

 

 

 

※Fehlergrenzen gelten für die gesamte Waferoberfläche mit Ausnahme des Randausschlussbereichs. # Die Kratzer sollten nur auf der Si-Oberfläche überprüft werden.

 

 

 

 

 

 

 

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Anwendungen für Siliziumkarbidwafer vom Typ 3C-N

 

 

 

 

 

 

 

Anwendungen von Siliziumkarbidwafern (SiC) vom Typ 3C-N in der Halbleiter- und Mikroelektronikindustrie

 

 

 

Siliziumkarbidwafer vom Typ 3C-N spielen eine entscheidende Rolle in der Halbleiter- und Mikroelektronikindustrie und bieten einzigartige Eigenschaften, die die Leistung und Effizienz verschiedener Geräte verbessern.

 

 

 

 

 

 

 

Leistungselektronik:

 

 

 

In der Leistungselektronik werden 3C-N-SiC-Wafer häufig in Hochleistungsgeräten wie zMOSFETs,Schottky-Dioden, UndLeistungstransistoren. Ihre hohe Wärmeleitfähigkeit und Elektronenmobilität ermöglichen diesen Geräten einen effizienten Betrieb bei hohen Spannungen und Temperaturen bei gleichzeitiger Minimierung von Energieverlusten. Dies macht 3C-N SiC ideal für den Einsatz inEnergieumwandlungssysteme,Elektrofahrzeuge (EVs), Underneuerbare Energiesysteme, wo effizientes Energiemanagement von entscheidender Bedeutung ist.

 

 

 

 

 

 

 

Hochfrequenzgeräte:

 

 

 

Die hervorragende Elektronenmobilität von 3C-N-SiC-Wafern macht sie geeignet fürRadiofrequenz (RF)UndMikrowellenanwendungen, wie zum BeispielVerstärker,Oszillatoren, UndFilter. Diese Wafer ermöglichen den Betrieb von Geräten bei höheren Frequenzen mit geringerem Signalverlust und verbessern so die Leistung von drahtlosen Kommunikationssystemen, Satellitentechnologie und Radarsystemen.

 

 

 

 

 

 

 

Hochtemperaturelektronik:

 

 

 

3C-N-SiC-Wafer werden auch in Halbleitergeräten verwendet, die in extremen Umgebungen betrieben werden, wie zHochtemperatursensorenUndAktoren. Die mechanische Festigkeit, chemische Stabilität und thermische Beständigkeit des Materials ermöglichen einen zuverlässigen Betrieb dieser Geräte in Branchen wie Luft- und Raumfahrt, Automobil sowie Öl und Gas, wo Geräte rauen Betriebsbedingungen standhalten müssen.

 

 

 

 

 

 

 

Mikroelektromechanische Systeme (MEMS):

 

 

 

In der Mikroelektronikindustrie werden 3C-N-SiC-Wafer eingesetztMEMS-Geräte, die Materialien mit hoher mechanischer Festigkeit und thermischer Stabilität erfordern. Zu diesen Geräten gehörenDrucksensoren,Beschleunigungsmesser, UndGyroskope, die von der Haltbarkeit und Leistung von SiC bei wechselnden Temperaturen und mechanischer Beanspruchung profitieren.

 

 

 

 

 

 

 

Optoelektronik:

 

 

 

3C-N-SiC-Wafer werden ebenfalls verwendetLEDs,Fotodetektoren, und andere optoelektronische Geräte aufgrund ihrer optischen Transparenz und Fähigkeit, hohe Leistungen zu verarbeiten und effiziente Lichtemissions- und Erkennungsfunktionen bereitzustellen.

 

 

 

 

 

 

 

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass SiC-Wafer vom Typ 3C-N in der Halbleiter- und Mikroelektronikindustrie unverzichtbar sind, insbesondere in Anwendungen, die hohe Leistung, Haltbarkeit und Effizienz unter extremen Bedingungen erfordern.