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8-Zoll SiC Epitaxial-Wafer Ausbeute und Effizienz skalierbare Leistungselektronik
Produktdetails:
| Herkunftsort: | China |
| Markenname: | ZMSH |
| Zertifizierung: | by case |
| Modellnummer: | 4 Zoll |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 10 |
|---|---|
| Preis: | 5 USD |
| Verpackung Informationen: | für die Verpackung |
| Lieferzeit: | 4-8 Wochen |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | durch Fall |
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Detailinformationen |
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| Grade: | Zero MPD Grade,Production Grade,Research Grade,Dummy Grade | Resistivity 4H-N: | 0.015~0.028 Ω•cm |
|---|---|---|---|
| Resistivity 4/6H-SI: | ≥1E7 Ω·cm | Primary Flat: | {10-10}±5.0° or round shape |
| TTV/Bow /Warp: | ≤10μm /≤10μm /≤15μm | Roughness: | Polish Ra≤1 nm / CMP Ra≤0.5 nm |
Produkt-Beschreibung
SiC-Epitaxialwaferübersicht
Die 8-Zoll-SiC-Epitaxial-Wafer entwickeln sich nun zum fortschrittlichsten Formfaktor in der SiC-Industrie.8 SiC-Epitaxialwafer bieten beispiellose Möglichkeiten zur Erhöhung der Produktion von Leistungsgeräten und zur Senkung der Kosten pro Gerät.
Da die Nachfrage nach Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energien und industrieller Leistungselektronik weltweit weiter steigt, ermöglichen 8 ̊-Wafer eine neue Generation von SiC-MOSFETs, Dioden,und integrierte Leistungsmodule mit höherem Durchsatz, bessere Erträge und geringere Herstellungskosten.
Mit breiten Bandbreiten, hoher Wärmeleitfähigkeit und außergewöhnlicher Abbruchspannung schaffen 8 ̊ SiC-Wafer neue Leistungs- und Effizienzniveaus in der fortschrittlichen Leistungselektronik.
Wie 8 ̊ SiC-Epitaxialwafer hergestellt werden
Die Herstellung von 8 ̊ SiC-Epitaxialwafern erfordert CVD-Reaktoren der nächsten Generation, eine präzise Kristallwachstumskontrolle und eine Ultra-Flachsubstrattechnologie:
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Herstellung von Substraten
Monokristalline SiC-Substrate werden mittels Hochtemperatur-Sublimationstechniken hergestellt und anschließend bis zu einer Subnanometer-Rohheit poliert. -
Herz-Kreislauf-Krankheit Epitaxial Wachstum
Fortgeschrittene großflächige CVD-Werkzeuge arbeiten bei ~ 1600 °C, um hochwertige SiC-Epitaxialschichten auf den 8 ̊-Substraten zu deponieren, wobei der Gasfluss und die Temperaturgleichheit für den Umgang mit der größeren Fläche optimiert sind. -
Maßgeschneiderter Doping
N- oder P-Dopingprofile werden mit einer hohen Gleichmäßigkeit auf der gesamten 300 mm-Wafer erstellt. -
Präzisionsmetrologie
Einheitlichkeitskontrolle, Überwachung von Kristallfehlern und In-situ-Prozessmanagement sorgen für Konsistenz von der Wafermitte bis zur Kante. -
Umfassende Qualitätssicherung
Jede Wafer wird über:-
AFM, Raman und XRD
-
Mapping von Fehlfunktionen der Vollwafer
-
Oberflächenrauheit und Warp-Analyse
-
Messungen der elektrischen Eigenschaften
-
Spezifikationen
| Zulassung | SiCSubstrat des Typs 8InchN | ||
| 1 | Polytyp | - Ich weiß nicht. | 4HSiC |
| 2 | LeitfähigkeitTyp | - Ich weiß nicht. | N |
| 3 | Durchmesser | mm | 200.00±0,5 mm |
| 4 | Stärke | Ich weiß nicht. | 700 ± 50 μm |
| 5 | Kristalloberflächenorientierungsachse | Grade | 40,0° nach ± 0,5° |
| 6 | Notchtiefe | mm | 1 bis 1,25 mm |
| 7 | Nichtorientierung | Grade | ± 5° |
| 8 | Widerstand ((Durchschnitt) | Ohm | NA |
| 9 | TTV | Ich weiß nicht. | NA |
| 10 | LTV | Ich weiß nicht. | NA |
| 11 | Verbeugen | Ich weiß nicht. | NA |
| 12 | Warpgeschwindigkeit | Ich weiß nicht. | NA |
| 13 | MPD | cm-2 | NA |
| 14 | TSD | cm-2 | NA |
| 15 | BPD | cm-2 | NA |
| 16 | TED | cm-2 | NA |
| 17 | EPD | cm-2 | NA |
| 18 | Ausländische Politiktypen | - Ich weiß nicht. | NA |
| 19 | SF ((BSF)))) Gridgröße 2x2 mm) | % | NA |
| 20 | TUA ((Gesamtverwendbare Fläche)) ((2x2mm Gridgröße) | % | NA |
| 21 | NominalEdgeExklusion | mm | NA |
| 22 | Bildschrauben | - Ich weiß nicht. | NA |
| 23 | Schablonenlänge ((SiOberfläche) | mm | NA |
| 24 | SiFace | - Ich weiß nicht. | CMPolierte |
| 25 | CFace | - Ich weiß nicht. | CMPolierte |
| 26 | Oberflächenrauheit (Siface) | m | NA |
| 27 | Oberflächenrauheit | m | NA |
| 28 | Lasermarkierung | - Ich weiß nicht. | C-Face, über dem Notch |
| 29 | Edgechip ((Vorder- und Rückseite Oberflächen) | - Ich weiß nicht. | NA |
| 30 | Hexplatten | - Ich weiß nicht. | NA |
| 31 | Risse | - Ich weiß nicht. | NA |
| 32 | Partikel ((≥ 0,3um) | - Ich weiß nicht. | NA |
| 33 | Kontamination des Gebiets (Flecken) | - Ich weiß nicht. | Keine: Beide Seiten |
| 34 | RestmetalleVerunreinigung (ICP-MS) | Atom/cm2 | NA |
| 35 | EdgeProfil | - Ich weiß nicht. | Chamfer, R-Form |
| 36 | Verpackung | - Ich weiß nicht. | Mehrfachwafer-Kassette oder Einzelwafer-Container |
Anwendungen
8 SiC-Epitaxialwafer ermöglichen die Massenproduktion zuverlässiger Leistungseinrichtungen in Sektoren wie:
-
Elektrofahrzeuge
Traktionsumrichter, Bordladegeräte und Gleichspannungs-/Gleichspannungsumrichter. -
Erneuerbare Energien
Solarstring-Wechselrichter, Windenergiewandler. -
Industrieantriebe
Effiziente Motorantriebe, Servosysteme. -
5G/RF-Infrastruktur
Leistungsverstärker und HF-Schalter. -
Verbraucherelektronik
Kompakte, hocheffiziente Stromversorgungen.
Häufig gestellte Fragen (FAQ)
1Was ist der Nutzen von 8 ̊ SiC-Wafern?
Sie reduzieren die Produktionskosten pro Chip durch erhöhte Waferfläche und Prozessertrag erheblich.
2Wie reif ist die SiC-Produktion?
8 ¥ geht in die Pilotproduktion mit ausgewählten Branchenführern ein. Unsere Wafer sind nun für FuE und Volumen-Ramp zur Verfügung.
3- Können Doping und Dicke angepasst werden?
Ja, eine vollständige Anpassung des Dopingprofils und der Epi-Dicke ist verfügbar.
4Sind bestehende Fabriken mit 8 ̊ SiC-Wafern kompatibel?
Für eine vollständige 8 ̊-Kompatibilität sind geringfügige Ausrüstungserweiterungen erforderlich.
5Was ist die durchschnittliche Vorlaufzeit?
6~10 Wochen für erste Bestellungen; kürzer für wiederholte Mengen.
6Welche Branchen werden 8 ̊ SiC am schnellsten einsetzen?
Automobilindustrie, erneuerbare Energien und Netzinfrastruktur.
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