SiC Epitaxial Wafer Übersicht

8-Zoll (200 mm) SiC Epitaxial Wafer entwickeln sich derzeit zur fortschrittlichsten Form im SiC-Bereich. Als Inbegriff von Materialwissenschaft und Fertigungskompetenz bieten 8” SiC Epitaxial Wafer beispiellose Möglichkeiten zur Skalierung der Leistungshalbleiterproduktion und zur Senkung der Kosten pro Bauelement.

Da die Nachfrage nach Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energien und industrieller Leistungselektronik weltweit weiter steigt, ermöglichen 8” Wafer eine neue Generation von SiC-MOSFETs, Dioden und integrierten Leistungsmodulen mit höherem Durchsatz, besserer Ausbeute und geringeren Herstellungskosten.

Mit Wide-Bandgap-Eigenschaften, hoher Wärmeleitfähigkeit und außergewöhnlicher Durchbruchspannung erschließen 8” SiC Wafer neue Leistungs- und Effizienzniveaus in der fortschrittlichen Leistungselektronik.

Wie 8” SiC Epitaxial Wafer hergestellt werden

Die Herstellung von 8” SiC Epitaxial Wafern erfordert CVD-Reaktoren der nächsten Generation, präzise Kristallwachstumskontrolle und Ultra-Flach-Substrattechnologie:

1. Substrat Herstellung
   Monokristalline 8” SiC-Substrate werden durch Hochtemperatur-Sublimationstechniken hergestellt und anschließend auf Sub-Nanometer-Rauheit poliert.

2. CVD Epitaxie
   Moderne großtechnische CVD-Werkzeuge arbeiten bei ~1600 °C, um hochwertige SiC-Epitaxieschichten auf die 8”-Substrate abzuscheiden, mit optimiertem Gasfluss und Temperaturhomogenität zur Handhabung der größeren Fläche.

3. Maßgeschneiderte Dotierung
   N-Typ- oder P-Typ-Dotierungsprofile werden mit hoher Gleichmäßigkeit über den gesamten 300-mm-Wafer erzeugt.

4. Präzisionsmesstechnik
   Gleichmäßigkeitskontrolle, Kristallfehlerüberwachung und In-situ-Prozessmanagement gewährleisten Konsistenz von der Wafermitte bis zum Rand.

5. Umfassende Qualitätssicherung
   Jeder Wafer wird validiert durch:

   • AFM, Raman und XRD

   • Fehlerkartierung des gesamten Wafers

   • Oberflächenrauheits- und Verformungsanalyse

   • Messungen der elektrischen Eigenschaften

Spezifikationen

Anwendungen

8” SiC Epitaxial Wafer ermöglichen die Massenproduktion zuverlässiger Leistungshalbleiter in Bereichen wie:

• Elektrofahrzeuge (EVs)
  Traktionswechselrichter, Onboard-Ladegeräte und DC/DC-Wandler.

• Erneuerbare Energien
  Solar-String-Wechselrichter, Windkraftwandler.

• Industrieantriebe
  Effiziente Motorantriebe, Servosysteme.

• 5G / RF-Infrastruktur
  Leistungsverstärker und HF-Schalter.

• Unterhaltungselektronik
  Kompakte, hocheffiziente Netzteile.

Häufig gestellte Fragen (FAQ)

1. Was ist der Vorteil von 8” SiC Wafern?
Sie reduzieren die Produktionskosten pro Chip erheblich durch eine größere Waferfläche und eine höhere Prozessausbeute.

2. Wie ausgereift ist die 8” SiC-Produktion?
8” geht in die Pilotproduktion mit ausgewählten Branchenführern ein – unsere Wafer sind jetzt für F&E und Volumensteigerung verfügbar.

3. Können Dotierung und Dicke angepasst werden?
Ja, eine vollständige Anpassung des Dotierungsprofils und der Epitaxiedicke ist möglich.

4. Sind bestehende Fabriken mit 8” SiC Wafern kompatibel?
Für die volle 8”-Kompatibilität sind geringfügige Geräte-Upgrades erforderlich.

5. Wie ist die typische Vorlaufzeit?
6–10 Wochen für Erstbestellungen; kürzer für Wiederholungsaufträge.

6. Welche Branchen werden 8” SiC am schnellsten übernehmen?
Automobil-, erneuerbare Energien und Netzinfrastruktur.

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