Fest SiC-Vakuum-Riegel Ultraflache Trägerplatte für die Verarbeitung von dünnen Wafern

Einführung des SiC-Vakuumschlauchs

Der ultraflache Keramik-Wafer-Vakuumschub ist mit einer hochreinen Siliziumkarbid- (SiC) -Beschichtung hergestellt, die für fortschrittliche Wafer-Handhabungsprozesse entwickelt wurde.Optimiert für den Einsatz in MOCVD und zusammengesetzten Halbleiterwachstumsausrüstungen, bietet eine hervorragende Wärme- und Korrosionsbeständigkeit und sorgt für eine außergewöhnliche Stabilität in extremen Verarbeitungsumgebungen.Dies trägt zur Verbesserung des Ertragsmanagements und der Zuverlässigkeit bei der Herstellung von Halbleiterwafern bei.

Die Konfiguration mit geringer Oberflächenkontakt hilft, die Kontamination durch Rückseitepartikel zu minimieren, was sie ideal für hochempfindliche Waferanwendungen macht, bei denen Sauberkeit und Präzision von entscheidender Bedeutung sind.

Diese Lösung vereint hohe Leistung mit Kosteneffizienz und unterstützt anspruchsvolle Produktionsumgebungen mit zuverlässiger und langlebiger Leistung.

ArbeitsprinzipVonSiC-Vakuumschlauch

In Hochtemperaturprozessen dient die SiC-Trägerplatte als Träger für Wafer- oder Dünnschichtmaterialien.Verbesserung der Prozessstabilität und -einheitlichkeitAußerdem bewahrt die Platte aufgrund ihrer Härte und chemischen Trägheit auch in korrosiven Umgebungen ihre Strukturintegrität und gewährleistet so die Reinheit des Produkts und die Sicherheit der Ausrüstung.

Parameter des Wafer-Vakuumschals

Eigenschaften des Wafer-Vakuumschals

● Ultraflache Fähigkeiten

● Spiegelpolster

● Außergewöhnlich leicht

● Hohe Steifheit

● Niedrige thermische Expansion

● Φ 300 mm Durchmesser und darüber hinaus

● Extreme Verschleißfestigkeit

Anwendungen von SiC-porösen Vakuumschlägern

In der Halbleiter- und Optoelektronikindustrie werden ultradünne Wafer häufig auf poröse Siliziumkarbid (SiC) -Vakuumscheiben platziert.Ein negativer Druck wird ausgeübt, um die Wafer ohne mechanische Klemmen fest an Ort und Stelle zu halten.Dies ermöglicht eine präzise und stabile Verarbeitung in den folgenden Phasen:

• Wachsmontage

• Rückseite Ausdünnen (Schleifen oder Lappeln)

• Entwachsung

• Reinigung

• Schneiden / Sägen

Die Verwendung eines hochreinen, porösen SiC-Vakuumschubs gewährleistet eine ausgezeichnete thermische und chemische Stabilität während dieser Prozesse und minimiert gleichzeitig die Kontamination und die Flachheit der Wafer.Die überlegene mechanische Festigkeit und Wärmeleitfähigkeit verringern auch die Gefahr, daß die Wafer während der Verarbeitung zerbricht, insbesondere für zerbrechliche oder ultradünne Substrate wie GaAs, InP oder SiC.

Häufig gestellte Fragen (FAQ)

F1: Was ist der Hauptzweck eines porösen SiC-Vakuumschubs?
A:Es ist anSie halten dünne oder zerbrechliche Wafer festwährend kritischer Verarbeitungsschritte wie Wachsmontage, Ausdünnen, Reinigung und Zersplittern.Die Vakuumsuction durch das poröse SiC-Material sorgt für einheitliche und stabile Halte, ohne die Waferoberfläche zu beschädigen.

F2: Welche Materialien können mit einem SiC-Vakuumschub verarbeitet werden?
A:Es unterstützt eine Vielzahl von Halbleitermaterialien, darunter:

• Silizium (Si)

• Galliumarsenid (GaAs)

• Indiumphosphat (InP)

• Siliziumkarbid (SiC)

• Zäphir
  Diese sind typischerweisemit einer Dicke von nicht mehr als 20 mmdie eine stabile Handhabung während der Back-End-Verarbeitung erfordern.

F3: Welchen Vorteil hat die Verwendung von porösem SiC gegenüber Metall- oder Keramikschlägen?
A:Poröses SiC bietet mehrere Vorteile:

• Exausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit- Vermeidung von Wärmeansammlungen während der Verarbeitung

• Hohe mechanische Festigkeit die Verformungsgefahr minimiert

• Chemische Trägheit- Kompatibel mit aggressiven Reinigungsmitteln

• Niedrige Partikelproduktion- für Reinräume geeignet

• Stabile Vakuumverteilung- gleichmäßiges Saugen über die Waferoberfläche

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