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SiC Epitaxie-Wafer – 4H/6H SiC-Substrate Kundenspezifische Dicke Dotierung
Produktdetails:
| Herkunftsort: | China |
| Markenname: | ZMSH |
| Modellnummer: | 4 Zoll |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 10 |
|---|---|
| Preis: | 5 USD |
| Verpackung Informationen: | für die Verpackung |
| Lieferzeit: | 4-8 Wochen |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | durch Fall |
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Detailinformationen |
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| Grade: | Zero MPD Grade,Production Grade,Research Grade,Dummy Grade | Resistivity 4H-N: | 0.015~0.028 Ω•cm |
|---|---|---|---|
| Resistivity 4/6H-SI: | ≥1E7 Ω·cm | Primary Flat: | {10-10}±5.0° or round shape |
| TTV/Bow /Warp: | ≤10μm /≤10μm /≤15μm | Roughness: | Polish Ra≤1 nm / CMP Ra≤0.5 nm |
Produkt-Beschreibung
SiC-Epitaxialwaferübersicht
SiC-Epitaxialwafer mit einer Breite von 100 mm spielen weiterhin eine wichtige Rolle auf dem Halbleitermarkt.als hochmoderne und zuverlässige Plattform für Hersteller von Leistungselektronik und HF-Geräten weltweitDie Wafergröße von 4 ′′ bietet ein ausgezeichnetes Gleichgewicht zwischen Leistung, Verfügbarkeit und Wirtschaftlichkeit.
SiC-Epitaxialwafer bestehen aus einer dünnen, präzise kontrollierten Schicht aus Siliziumcarbid, die auf einem hochwertigen monokristallinen SiC-Substrat abgelagert ist.hervorragende kristalline QualitätMit einem breiten Bandbruch (3,2 eV), einem hohen kritischen elektrischen Feld (~ 3 MV/cm) und einer hohen Wärmeleitfähigkeit4 ¢ SiC-Epitaxialwafer ermöglichen Geräte, die Silizium bei hoher Spannung übertreffen, Hochfrequenz- und Hochtemperaturanwendungen.
Viele Industriezweige, von Elektrofahrzeugen über Solarenergie bis hin zu industriellen Antrieben, setzen weiterhin auf 4 SiC-Epitaxialwafer, um effiziente, robuste und kompakte Leistungselektronik herzustellen.
Herstellungsprinzip
Bei der Herstellung von 4 ̊ SiC-Epitaxialwafern wird ein streng kontrolliertes Verfahren durchgeführt.Chemische Dampfdeposition (CVD)Verfahren:
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Substratvorbereitung
Hochreine 4 ̊ 4H-SiC- oder 6H-SiC-Substrate werden einer fortgeschrittenen chemisch-mechanischen Polierung (CMP) unterzogen, um atomisch glatte Oberflächen zu erzeugen und Defekte während des epitaxialen Wachstums zu minimieren. -
Wachstum der Epitaxialschicht
In CVD-Reaktoren werden Gase wie Silan (SiH4) und Propan (C3H8) bei hohen Temperaturen (~ 1600~1700 °C) eingeführt.Bildung einer neuen kristallinen SiC-Schicht. -
Kontrollierter Doping
Dopantien wie Stickstoff (N-Typ) oder Aluminium (P-Typ) werden sorgfältig eingesetzt, um elektrische Eigenschaften wie Widerstandsfähigkeit und Trägerkonzentration einzustellen. -
Präzisionsüberwachung
Die Echtzeitüberwachung sorgt für eine strenge Kontrolle der Dickeuniformität und der Dopingprofile über die gesamte 4 ̊ Wafer. -
Qualitätskontrolle nach der Verarbeitung
Die fertigen Wafer werden strengen Prüfungen unterzogen:-
Atomkraftmikroskopie (AFM) für die Oberflächenrauheit
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Raman-Spektroskopie auf Spannungen und Defekte
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Röntgendiffraktion (XRD) für die kristallographische Qualität
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Fotolumineszenz zur Fehlerkartierung
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Bogen-/Worp-Messungen
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Spezifikationen
| 4 Zoll Durchmesser Siliziumkarbid (SiC) Substrat Spezifikation | |||||||||
| Zulassung | Null MPD-Klasse | Produktionsgrad | Forschungsgrad | Schwachstelle | |||||
| Durchmesser | 100. mm±0,5 mm | ||||||||
| Stärke | 350 μm±25 μm oder 500±25 μm oder andere maßgeschneiderte Dicke | ||||||||
| Waferorientierung | Außerhalb der Achse: 4,0° in Richtung < 1120> ± 0,5° für 4H-N/4H-SI | ||||||||
| Mikropipendichte | ≤ 0 cm-2 | ≤1cm-2 | ≤ 5 cm-2 | ≤ 10 cm2 | |||||
| Widerstand | 4H-N | 00,015 bis 0,028 Ω•cm | |||||||
| 6H-N | 00,02 bis 0,1 Ω•cm | ||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | ||||||||
| Primäre Wohnung | {10-10} ± 5,0° | ||||||||
| Primärflächige Länge | 18.5 mm±2.0 mm | ||||||||
| Sekundäre flache Länge | 10.0 mm±2,0 mm | ||||||||
| Sekundäre flache Ausrichtung | Silikon nach oben: 90° CW. von Prime flat ±5,0° | ||||||||
| Grenze ausgeschlossen | 1 mm | ||||||||
| TTV/Bow/Warp | ≤ 10 μm /≤ 10 μm /≤ 15 μm | ||||||||
| Grobheit | Polnische Ra≤1 nm | ||||||||
| CMP Ra≤0,5 nm | |||||||||
| Risse durch hochintensives Licht | Keine | 1 zulässig, ≤ 2 mm | Kumulative Länge ≤ 10 mm, Einzellänge ≤ 2 mm | ||||||
| Hex-Platten mit hoher Lichtstärke | Kumulative Fläche ≤ 1% | Kumulative Fläche ≤ 1% | Kumulative Fläche ≤ 3% | ||||||
| Polytypbereiche nach Lichtstärke | Keine | Kumulative Fläche ≤ 2% | Kumulative Fläche ≤ 5% | ||||||
| Kratzer durch Licht mit hoher Intensität | 3 Kratzer bis 1 × Waferdurchmesser kumulative Länge | 5 Kratzer bis 1 × Waferdurchmesser kumulative Länge | 5 Kratzer bis 1 × Waferdurchmesser kumulative Länge | ||||||
| Kantenchip | Keine | 3 zulässig, jeweils ≤ 0,5 mm | 5 zulässig, jeweils ≤ 1 mm | ||||||
Anwendungen
4 SiC-Epitaxialwafer ermöglichen die Massenproduktion zuverlässiger Leistungseinrichtungen in Sektoren wie:
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Elektrofahrzeuge
Traktionsumrichter, Bordladegeräte und Gleichspannungs-/Gleichspannungsumrichter. -
Erneuerbare Energien
Solarstring-Wechselrichter, Windenergiewandler. -
Industrieantriebe
Effiziente Motorantriebe, Servosysteme. -
5G/RF-Infrastruktur
Leistungsverstärker und HF-Schalter. -
Verbraucherelektronik
Kompakte, hocheffiziente Stromversorgungen.
Häufig gestellte Fragen (FAQ)
1Warum wählen Sie SiC-Epitaxial-Wafer statt Silizium?
SiC bietet eine höhere Spannungs- und Temperaturverträglichkeit und ermöglicht kleinere, schnellere und effizientere Geräte.
2Was ist der häufigste SiC-Polytyp?
4H-SiC ist die bevorzugte Wahl für die meisten Hochleistungs- und HF-Anwendungen aufgrund seiner breiten Bandbreite und hoher Elektronenmobilität.
3Kann das Dopingprofil angepasst werden?
Ja, der Dopingspiegel, die Dicke und der Widerstand können vollständig an die Anwendungsbedürfnisse angepasst werden.
4- Typische Vorlaufzeit?
Die standardmäßige Lieferzeit beträgt 4-8 Wochen, abhängig von der Wafergröße und dem Auftragsvolumen.
5Welche Qualitätskontrollen werden durchgeführt?
Umfassende Prüfungen einschließlich AFM, XRD, Defektkartierung, Trägerkonzentrationsanalyse.
6Sind diese Wafer kompatibel mit Silizium-Fab-Geräten?
Meistens ja; aufgrund unterschiedlicher Materialhärte und thermischer Eigenschaften sind geringfügige Anpassungen erforderlich.
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