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SiC-Keramik-Träger aus Siliziumkarbid Halbleiter-Esserei und Photovoltaik-Wafer-Handling
Produktdetails:
| Herkunftsort: | China |
| Markenname: | ZMSH |
| Modellnummer: | SiC Keramik-Tray |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 2 |
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| Preis: | 200 |
| Verpackung Informationen: | für die Verpackung |
| Lieferzeit: | 5-8 Arbeitstage |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | durch Fall |
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Detailinformationen |
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| Dichte: | 3.21 g/cm3 | Härte: | 2500 Vickers-Härte |
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| Größe des Körners: | 2 bis 10 μm | Chemische Reinheit: | 99.99995% |
| Wärmekapazität: | 640 J·kg-1 ·K-1 | Sublimationstemperatur: | 2700°C |
| Hervorheben: | Halbleiter-Etsch-Siliziumkarbid-Keramik-Tray,Keramik-Tray für die Bearbeitung von Photovoltaik-Wafern |
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Produkt-Beschreibung
Einführung des SIC-Keramik-Trays- Ich weiß.
- Ich weiß.
SIC Ceramic Tray (Silicon Carbide Ceramic Tray) ist ein hochleistungsfähiges industrielles Trägerwerkzeug auf Basis von Siliziumkarbid (SiC).PhotovoltaikSie werden durch die außergewöhnlichen Eigenschaften von SiC, wie z.B. hochtemperaturbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit,Sie dient als idealer Ersatz für traditionelle Materialien wie Graphit und Metalle in fortschrittlichen industriellen Szenarien..
GrundprinzipienSIC Keramikfach- Ich weiß.
(1) Materiale Eigenschaften
Hochtemperaturbeständigkeit: Schmelzpunkt bis zu 2700 °C, stabiler Betrieb bei 1800 °C, geeignet für Hochtemperaturverfahren (z. B. ICP-Eitze, MOCVD).
Hohe Wärmeleitfähigkeit: 140300 W/m·K (überlegen gegenüber Graphit und sintertem SiC), wodurch eine gleichmäßige Wärmeverteilung gewährleistet und thermisch belastete Verformungen minimiert werden.
Korrosionsbeständigkeit: Widerstandsfähig gegen starke Säuren (z. B. HF, H2SO4) und Alkalien, wodurch Kontamination oder strukturelle Beschädigungen vermieden werden.
Niedrige thermische Ausdehnung: Wärmeausdehnungskoeffizient (4,0×10−6/K) nahe dem Silizium, reduziert die Verformung bei Temperaturänderungen.
(2) Strukturentwurf
Hohe Reinheit und Dichte: SiC-Gehalt ≥99,3%, Porosität ≈0, gebildet durch Hochtemperatur-Sinterung (2250~2450°C) zur Verhinderung von Partikelvergießen.
Anpassbare Größen: Unterstützt große Durchmesser (z. B. φ600 mm) und integrierte Funktionen (Vakuumlöcher, Rillen) für Waferbehandlung und Vakuumsputtering
HauptanwendungenSIC Keramikfach- Ich weiß.
- Ich weiß.
(1) Halbleiterherstellung
Waferverarbeitung: Wird in der ICP-Etschung und CVD (Chemical Vapor Deposition) zur Stabilisierung der Waferposition verwendet.
MOCVD-Ausrüstung: Wirkt als Träger für GaN (Galliumnitrid) Wachstum in hochhelligen LEDs, die 1100 ∼ 1200 °C Temperaturen aushalten.
(2) Photovoltaik
Siliziumkristallwachstum: Ersetzt Quarzgusseln bei der Produktion von polykristallinem Silizium und verträgt Schmelztemperaturen von > 1420 °C.
(3) Laser- und Präzisionsbearbeitung
Ätzen/Schneiden: dient als Plattform für laserätschte Materialien und widersteht Hochenergiestrahlschlägen.
(4) Chemische und Umwelttechnik
Korrosionsbeständige Ausrüstung: In Rohrleitungen und Reaktoren für aggressives Flüssigkeitsmanagement verwendet
Fragen und Antworten SIC Keramikfach
- Ich weiß.
F1: Wie verhält sich SIC im Vergleich zu Graphit-Tays?
A: SIC hält höheren Temperaturen (1800°C vs. ~1000°C) stand und vermeidet Beschichtungsabbau.
F2: Können SIC-Träger wiederverwendet werden?
A: Ja, aber vermeiden Sie mechanische Auswirkungen und extreme Temperaturen.
F3: Häufige Ausfallmodi?
A: Riss durch thermischen Schock oder mechanische Belastung.
F4: Geeignet für Vakuumumgebungen?
A: Ja. Hohe Reinheit und geringe Ausgasung machen sie ideal für Vakuumspritzen und Halbleiter-Etschen.
F5: Wie wählen Sie Spezifikationen aus?
A: Berücksichtigen Sie die Prozesstemperatur, die Ladekapazität und die Kompatibilität (z. B. φ600mm-Tays für große Wafer)
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