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Detailinformationen |
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| EPD: | ≤ 1E10/cm2 | Stärke: | 600 ± 50 μm |
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| Partikel: | Freier/niedriger Partikel | Rand-Ausschluss: | ≤ 50 μm |
| Oberflächenbearbeitung: | Einzelnes/doppeltes Seiten poliert | Typ: | 3C-N |
| Widerstand: | Hoch- niedrige Widerstandskraft | Durchmesser: | 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll |
| Hervorheben: | 8 Zoll Siliziumkarbid DSP,4 Zoll Siliziumkarbid DSP,6 Zoll Siliziumkarbid DSP |
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Produkt-Beschreibung
2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 3C-N SiC Wafer Siliziumkarbid Optoelektronische Hochleistungs-RF-LED
Beschreibung der 3C-N SiC-Wafer:
Im Vergleich zu 4H-Sic, obwohl der Bandgap von 3C Siliziumkarbid
(3C SiC)
Die chemischen Eigenschaften von 4H-SiC sind besser als die von 4H-SiC.die Defektdichte an der Schnittstelle zwischen dem isolierenden Oxyd qate und 3C-sic ist geringer. die für die Herstellung von Hochspannungseinrichtungen mit hoher Zuverlässigkeit und Langlebigkeit günstiger ist.3C-SiC-basierte Geräte werden hauptsächlich auf Si-Substraten hergestellt, bei denen ein großer Gitterunfall und ein Fehlverhältnis des Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen Si und 3C SiC eine hohe Defektdichte zur Folge haben., was sich auf die Leistung von Geräten auswirkt. Darüber hinaus werden kostengünstige 3C-SiC-Wafer eine erhebliche Substitutionswirkung auf dem Markt für Leistungseinrichtungen im Spannungsbereich 600-1200v haben,Beschleunigung des Fortschritts der gesamten IndustrieDaher ist die Entwicklung von 3C-SiC-Wafern in großen Mengen unvermeidlich.
Der Charakter der 3C-N SiC-Wafer:
1. Kristallstruktur: 3C-SiC hat eine kubische Kristallstruktur, im Gegensatz zu den häufigeren hexagonalen 4H-SiC- und 6H-SiC-Polytypen.
2Bandbreite: Die Bandbreite von 3C-SiC beträgt etwa 2,2 eV, was sie für Anwendungen in der Optoelektronik und Hochtemperaturelektronik geeignet macht.
3. Wärmeleitfähigkeit: 3C-SiC hat eine hohe Wärmeleitfähigkeit, die für Anwendungen, die eine effiziente Wärmeableitung erfordern, wichtig ist.
4Kompatibilität: Es ist mit den Standard-Silizium-Verarbeitungstechnologien kompatibel und kann so mit bestehenden Silizium-basierten Geräten integriert werden.
Form von 3C-N SiC-Wafer:
| Eigentum | N-Typ 3C-SiC, Einzelkristall |
| Gitterparameter | a=4,349 Å |
| Abfolge der Stapelung | Abk |
| Mohs-Härte | - 9 Jahre.2 |
| Therm. Expansionskoeffizient | 3.8×10-6/K |
| Dielektrische Konstante | c~9.66 |
| Band-Gap | 2.36 eV |
| Ein elektrisches Feld, das abbrechen kann | 2-5×106V/cm |
| Geschwindigkeit der Sättigungsdrift | 2.7 × 107 m/s |
| Zulassung | Null MPD-Produktionsstufe (Stufe Z) | Standardproduktionsstufe (P-Stufe) | Nicht-Fächer (D-Klasse) |
| Durchmesser | 145.5 mm bis 150,0 mm | ||
| Stärke | 350 μm ± 25 μm | ||
| Waferorientierung | Außerhalb der Achse: 2,0°-4,0° nach [1120] ± 0,5° für 4H/6H-P, auf der Achse: 111°± 0,5° für 3C-N | ||
| Mikropipendichte | 0 cm bis 2 | ||
| Widerstand | ≤ 0,8 mΩ·cm | ≤ 1 m Ω ̊cm | |
| Primäre flache Orientierung | {110} ± 5,0° | ||
| Primärflächige Länge | 32.5 mm ± 2,0 mm | ||
| Sekundäre flache Länge | 18.0 mm ± 2,0 mm | ||
| Sekundäre flache Ausrichtung | Silikon nach oben: 90° CW. von Prime flat ± 5,0° | ||
| Grenze ausgeschlossen | 3 mm | 6 mm | |
| LTV/TTV/Bow/Warp | Bei der Verwendung von Zylindersäulen ist die Zylindersäule zu verwenden. | Bei der Verwendung von Folien mit einem Durchmesser von ≤ 10 μm/≤ 15 μm/≤ 25 μm/≤ 40 μm | |
| Grobheit | Polnische Ra≤1 nm | ||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra≤0,5 nm | ||
| Randspalten durch hochintensives Licht | Keine | Gesamtlänge ≤ 10 mm, Einzellänge ≤ 2 mm | |
| Hex-Platten durch hochintensives Licht | Kumulative Fläche ≤ 0,05% | Kumulative Fläche ≤ 0,1% | |
| Polytypische Bereiche durch Licht mit hoher Intensität | Keine | Kumulative Fläche ≤ 3% | |
| Sichtbare Kohlenstoffinklusionen | Kumulative Fläche ≤ 0,05% | Kumulative Fläche ≤ 3% | |
| Silikon-Oberflächenkratzungen durch hochintensives Licht | Keine | Kumulative Länge ≤ 1 × Waferdurchmesser | |
| Edge-Chips mit hoher Lichtintensität | Keine zulässig Breite und Tiefe ≥ 0,2 mm | 5 zulässig, jeweils ≤ 1 mm | |
| Silikonbodenverschmutzung durch hohe Intensität | Keine | ||
| Verpackung | Mehrfachwafer-Kassette oder Einfachwaferbehälter | ||
Anwendungen von 3C-N SiC-Wafer:
1- Power Electronics:3C-SiC-Wafer werden in Hochleistungs-elektronischen Geräten wie MOSFETs (Metall-Oxid-Halbleiter-Feld-Effekt-Transistoren) und Schottky-Dioden aufgrund ihrer hohen Abbruchspannung verwendet, hohe Wärmeleitfähigkeit und geringer Widerstand.
2. HF- und Mikrowellengeräte: The high electron mobility and superior thermal conductivity of 3C-SiC make it suitable for applications in radio frequency (RF) and microwave devices like high-power amplifiers and high-frequency transistors.
3Optoelektronik: 3C-SiC-Wafer werden bei der Entwicklung optoelektronischer Geräte wie Lichtdioden (LED), Photodetektoren,und Laserdioden aufgrund ihrer breiten Bandbreite und ihrer hervorragenden thermischen Eigenschaften.
4. MEMS- und NEMS-Geräte: Mikro-elektromechanische Systeme (MEMS) und nano-elektromechanische Systeme (NEMS) profitieren von 3C-SiC-Wafern für ihre mechanische Stabilität,Hochtemperaturbetriebsfähigkeit, und chemische Trägheit.
5. Sensoren: 3C-SiC-Wafer werden bei der Herstellung von Sensoren für raue Umgebungen verwendet, z. B. Hochtemperatursensoren, Drucksensoren, Gassensoren und chemische Sensoren,aufgrund ihrer Robustheit und Stabilität.
6- Stromnetzsysteme: In Stromverteilungs- und Übertragungssystemen werden 3C-SiC-Wafer in Hochspannungsgeräten und -komponenten für eine effiziente Stromumwandlung und reduzierte Energieverluste eingesetzt.
7Luft- und Raumfahrt und Verteidigung: Durch die hohe Temperaturbeständigkeit und Strahlungshärte von 3C-SiC eignet es sich für Luft- und Raumfahrt- und Verteidigungsanwendungen, einschließlich Flugzeugkomponenten, Radarsystemen,und Kommunikationsgeräte.
8Energiespeicherung: 3C-SiC-Wafer werden aufgrund ihrer hohen Wärmeleitfähigkeit und Stabilität unter rauen Betriebsbedingungen in Anwendungen zur Energiespeicherung wie Batterien und Superkondensatoren verwendet.
Halbleiterindustrie: 3C-SiC-Wafer werden auch in der Halbleiterindustrie zur Entwicklung fortschrittlicher integrierter Schaltungen und leistungsstarker elektronischer Komponenten verwendet.
Anwendungsbild der 3C-N SiC-Wafer:
Verpackung und Versand:
Häufige Fragen:
1.F: Was ist der Unterschied zwischen 4H und 3CSiliziumkarbid?
A:Im Vergleich zu 4H-SiC ist die Bandlücke von 3C-Karbid (3C SiC) zwar geringer, aber die Trägermobilität, Wärmeleitfähigkeit und mechanischen Eigenschaften sind besser als bei 4H-SiC
2.F: Was ist die Elektronenähnlichkeit von 3C SiC?
A:Die Elektronenaffinität der 3C-, 6H- und 4H-SIC (0001) beträgt 3,8eV, 3,3eV bzw. 3,1eV.
Produktempfehlung:
1. SiC Siliziumkarbid Wafer 4H - N Typ Für MOS-Gerät 2 Zoll Durchmesser50.6mm
2. 6 Zoll SiC Wafer 4H/6H-P RF Mikrowellen LED Laser