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Detailinformationen |
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| Material: | SiC | Diameter: | 2/3/4/6/8 inch |
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| Type: | 4H-N/3C/4H-SI/6H-N/6H-SI/HPSI | Polish: | DSP/SSP |
| Hervorheben: | SiC-Wafer des Typs 4H-N,8 Zoll SiC-Wafer,6 Zoll SiC-Wafer |
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Produkt-Beschreibung
SiC Wafer 2/3/4/6/8 Zoll 4H-N Typ Z/P/D/R Qualität
1. Abstrakt
Unsere hochwertigen 4H-N-SiC-WaferSie sind in Größen von 2 bis 12 Zoll erhältlich, für fortschrittliche Halbleiteranwendungen konzipiert.Wir sind einer der wenigen Hersteller. mit einer Breite von mehr als 20 mm,Unser Engagement für hohe Qualität und fortschrittliche Technologie unterscheidet uns in der Halbleiterindustrie.
2. Produkt- und Firmenbeschreibung
2.1 Produktbeschreibung:
UnsereSiC Wafer 2/3/4/6/8 Zoll 4H-N Typ Z/P/D/R Qualitätist so konzipiert, dass sie den strengen Standards von Forschungslabors und Halbleiterfabriken entspricht.
- Leistungselektronik für Elektrofahrzeuge und Systeme für erneuerbare Energien
- HF- und Mikrowellengeräte für Telekommunikation
- Anwendungen bei hohen Temperaturen und hoher Leistung in der Luft- und Raumfahrt sowie in der Industrie
2.2 Unternehmensbeschreibung:
Unsere Firma (ZMSH)Die Kommission hat sich seit Jahren auf das Saphirfeld konzentriert.über 10 Jahre, mit professionellen Fabrik- und Vertriebsteams. Wir haben viel Erfahrung inangepasste Produkte. Wir übernehmen auch maßgeschneiderte Design und können OEM sein.ZMSHwird die beste Wahl sein, wenn man Preis und Qualität betrachtet.Sprechen Sie ruhig mit!
3. Anwendungen
Eröffnen Sie das Potenzial Ihrer Forschungs- und Entwicklungsprojekte mitUnsere Hochwertige SiC-Wafer 2/3/4/6/8 Zoll 4H-N Typ Z/P/D/RSpeziell für fortgeschrittene Halbleiteranwendungen konzipiert, bieten unsere Forschungssubstrate außergewöhnliche Qualität und Zuverlässigkeit.
- Lasern:SiC-Substrate ermöglichen die Herstellung leistungsstarker Laserdioden, die in den UV- und Blaulichtregionen effizient arbeiten.Ihre hervorragende Wärmeleitfähigkeit und Haltbarkeit machen sie ideal für Anwendungen, bei denen eine zuverlässige Leistung unter extremen Bedingungen erforderlich ist.
- Verbraucherelektronik:SiC-Substrate verbessern die Leistungsmanagement-ICs und ermöglichen eine effizientere Energieumwandlung und eine längere Akkulaufzeit.Ermöglicht kleinere und leichtere Ladegeräte bei gleichzeitig hoher Leistung.
- Batterien für Elektrofahrzeuge: SiC-Substrate verbessern die Energieeffizienz und erweitern die Reichweite. Ihre Anwendung in der Schnellladeinfrastruktur unterstützt schnellere Ladezeiten und erhöht den Komfort für EV-Benutzer.
4Produktanzeige - ZMSH
5. SiC-Wafer-Spezifikationen
| Eigentum | 4H-SiC, Einzelkristall | 6H-SiC, Einzelkristall |
| Gitterparameter | a=3,076 Å c=10,053 Å | a=3,073 Å c=15,117 Å |
| Abfolge der Stapelung | ABCB | ABCACB |
| Mohs-Härte | - 9 Jahre.2 | - 9 Jahre.2 |
| Dichte | 3.21 g/cm3 | 3.21 g/cm3 |
| Therm. Expansionskoeffizient | 4 bis 5 × 10 bis 6/K | 4 bis 5 × 10 bis 6/K |
| Brechungsindex @750 nm |
nicht = 2.61 Ne = 2.66 |
nicht = 2.60 Ne = 2.65 |
| Dielektrische Konstante | c~9.66 | c~9.66 |
| Wärmeleitfähigkeit (N-Typ, 0,02 Ohm.cm) |
a ~ 4,2 W/cm·K@298K c~3,7 W/cm·K@298K |
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| Wärmeleitfähigkeit (Halbisolierung) |
a~4,9 W/cm·K@298K c~3,9 W/cm·K@298K |
a~4,6 W/cm·K@298K c~3,2 W/cm·K@298K |
| Band-Gap | 3.23 eV | 30,02 eV |
| Ein elektrisches Feld, das abbrechen kann | 3 bis 5 × 106 V/cm | 3 bis 5 × 106 V/cm |
| Geschwindigkeit der Sättigungsdrift | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
6Häufige Fragen
6.1 A:In welchen Größen sind SiC-Wafer erhältlich?
Q: SiC-Substrate sind in verschiedenenWir sind in der Lage, 8 Zoll zu produzieren. Andere kundenspezifische Größen können auch auf der Grundlage der spezifischen Anwendungsanforderungen erhältlich sein.
6.2 A:In welchen Anwendungen werden SiC-Wafer üblicherweise verwendet?
F: Höhere Abbruchspannung, bessere Wärmeleitfähigkeit, breitere Bandbreite.
6.3 A:Kann ich SiC-Waffeln für den Kunden bekommen?
F: Sicher! Wir produzieren seit mehr als 10 Jahren kundenspezifische Produkte; Bitte kontaktieren Sie uns, um die Anforderungen mit uns zu teilen.