SiC Wafer 12 Zoll 300 mm Dicke 1000±50um 750±25um Prime Dummy Reaserch Grade für Halbleiter

SiC-Wafer 12 Zoll 300 mm Dicke 750 ± 25um Prime Dummy Reaserch-Grad für Halbleiter

12 Zoll SiC-Wafer

Ein 12 Zoll (300 mm)mit einer Breite von mehr als 10 mm,mit einer Dicke von 750 ± 25 Mikrometern ist ein kritisches Material in der Halbleiterindustrie aufgrund seiner außergewöhnlichen Wärmeleitfähigkeit, hoher Abbruchspannung und überlegenen mechanischen Eigenschaften.Diese Wafer werden mit fortschrittlichen Techniken hergestellt, um die strengen Anforderungen von Hochleistungs-Halbleiteranwendungen zu erfüllenDie inhärenten Eigenschaften von SiC machen es ideal für Kraftgeräte und Hochtemperaturelektronik, da es im Vergleich zu herkömmlichen Halbleitern auf Siliziumbasis eine höhere Effizienz und Langlebigkeit bietet.

Datenblatt für 12-Zoll-SiC-Wafer

12 Zoll SiC Wafer Foto

Eigenschaften von 12-Zoll-SiC-Wafern

1Vorteile von 12-Zoll- (große) Wafer:

• 12 Zoll SiC-Wafer Erhöhte Produktionseffizienz: Mit zunehmender Wafergröße steigt die Anzahl der Chips pro Flächeneinheit erheblich, was die Produktionseffizienz erheblich erhöht.Ein 12-Zoll-Wafer kann mehr Geräte in der gleichen Zeit produzieren, die den Produktionszyklus verkürzen.
• 12 Zoll SiC-WaferReduzierte Produktionskosten: Da ein einzelnes 12-Zoll-SiC-Wafer mehr Chips produzieren kann, werden die Herstellungskosten pro Chip erheblich gesenkt.Größere Wafer verbessern die Effizienz von Verfahren wie Photolithographie und Dünnschichtdeposition, wodurch die Gesamtproduktionskosten gesenkt werden.
• Höhere Ausbeute: Während SiC-Material von Natur aus eine höhere Defektquote aufweist, bieten größere Wafer mehr Toleranz für Defekte im Produktionsprozess, was zur Verbesserung der Ausbeute beiträgt.

2- Eignung für Hochleistungsanwendungen:

• 12 Zoll SiC-WaferDas SiC-Material selbst hat ausgezeichnete Eigenschaften für hohe Temperatur, hohe Frequenz, hohe Leistung und Hochspannung, was es ideal für Leistungselektronik, Automobilelektronik,und 5G-BasisstationenEin 12-Zoll-SiC-Wafer erfüllt die Anforderungen an die Leistung und Zuverlässigkeit der Geräte in diesen Bereichen besser.
• 12 Zoll SiC-WaferElektrofahrzeuge (EV) und Ladestationen: SiC-Geräte, insbesondere solche aus 12-Zoll-Wafern, sind zu einer Schlüsseltechnologie in Batteriemanagementsystemen (BMS) für Elektrofahrzeuge (EV) geworden.Gleichstrom-SchnellladungDie größere Wafergröße kann den höheren Leistungsanforderungen gerecht werden und bietet eine höhere Effizienz und einen geringeren Energieverbrauch.

3- Anpassung an die Entwicklung der Industrie:

• 12 Zoll SiC-WaferFortgeschrittene Prozesse und höhere Integration: Mit dem Fortschritt der Halbleitertechnologie steigt die Nachfrage nach Leistungseinrichtungen mit höherer Integration und Leistung.Dies gilt insbesondere in Bereichen wie der Automobilindustrie., erneuerbare Energien (Sonne, Wind) und intelligente Netze.Die 12-Zoll-SiC-Wafer bieten nicht nur eine höhere Leistungsdichte und Zuverlässigkeit, sondern erfüllen auch die zunehmend komplexen Anforderungen an die Geräte-Design und kleinere Größe.
• Wachstum der weltweiten Marktnachfrage: Die weltweite Nachfrage nach grüner Energie, nachhaltiger Entwicklung und effizienter Stromübertragung steigt, was den Markt für SiC-Leistungsgeräte weiter antreibt.Die rasante Entwicklung von Elektrofahrzeugen (EVs) und effizienten Antriebsgeräten hat die Anwendung von 12-Zoll-SiC-Wafern erweitert.

4. materielle Vorteile:

• 12 Zoll SiC-WaferDas SiC-Material weist eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit, hohe Temperaturbeständigkeit und Strahlungsbeständigkeit auf.mit einer Breite von mehr als 20 mm,, Anwendungen mit hoher Leistung.
• Die 12-Zoll-SiC-Wafer können auch über einen größeren Temperaturbereich arbeiten, was für die Stabilität und Langlebigkeit von Leistungselektronik-Geräten von entscheidender Bedeutung ist.

Fragen und Antworten

F: Was sind die Vorteile der Verwendung von 12-Zoll-SiC-Wafern in der Halbleiterherstellung?

A: Zu den Hauptvorteilen der Verwendung von 12-Zoll-SiC-Wafern gehören:

1. Erhöhte Produktionseffizienz: Größere Wafer ermöglichen die Produktion von mehr Chips pro Flächenstück und verkürzen so die Fertigungszeit.Dies führt zu einer höheren Durchsatzleistung und einer besseren Gesamteffizienz im Vergleich zu kleineren Wafern.
2. Reduzierte Produktionskosten: Ein einzelner 12-Zoll-Wafer produziert mehr Chips, was die Kosten pro Chip senkt.Größere Wafer verbessern auch die Effizienz von Verfahren wie Photolithographie und Dünnschichtdeposition.
3. Höhere Ausbeute: Obwohl SiC-Material tendenziell eine höhere Defektrate aufweist, ermöglichen größere Wafer eine größere Toleranz für Defekte, was letztendlich zur Verbesserung der Ausbeute beiträgt.

F: Was sind die wichtigsten Anwendungen für 12-Zoll-SiC-Wafer in Hochleistungssystemen?

A:12-Zoll-SiC-Wafer eignen sich besonders für Hochleistungsanwendungen wie:

1. Elektrofahrzeuge (EV) und Ladestationen: SiC-Geräte aus 12-Zoll-Wafern sind für Stromumwandlungssysteme, Batteriemanagementsysteme (BMS),und Gleichstrom-Schnellladung in ElektrofahrzeugenDie größere Wafergröße unterstützt höhere Leistungsanforderungen, verbessert die Effizienz und reduziert den Energieverbrauch.
2. Hochspannungs- und Hochleistungselektronik: Die hervorragende Wärmeleitfähigkeit und die Hochtemperaturbeständigkeit von SiC® machen 12-Zoll-SiC-Wafer ideal für Hochleistungselektronik in der Automobilindustrie,Erneuerbare Energien (Sonne), Windenergie) und Smart Grid-Anwendungen.
   Diese Wafer erfüllen den wachsenden Bedarf an effizienten Energieanlagen auf dem sich entwickelnden globalen Markt für grüne Energie und nachhaltige Technologien.

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