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12 Zoll SiC Wafer Siliziumkarbid Wafer 300mm Substrat 750±25um 4H-N Typ Orientierung 100 Produktionsforschung
Produktdetails:
| Herkunftsort: | aus China |
| Markenname: | ZMSH |
| Zertifizierung: | Rohs |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 1 |
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| Verpackung Informationen: | einzelner Oblatenbehälter |
| Lieferzeit: | 2-4weeks |
| Zahlungsbedingungen: | T/T, |
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Detailinformationen |
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| Polytype: | 4H -SiC 6H- SiC | Diameter: | 12inch 300mm |
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| Conductivity: | N – type / Semi-insulating | Dopant: | N2 ( Nitrogen )V ( Vanadium ) |
| Orientation: | On axis <0001> Off axis <0001> off 4° | Resistivity: | 0.015 ~ 0.03 ohm-cm (4H-N) |
| Micropipe Density(MPD): | ≤10/cm2 ~ ≤1/cm2 | TTV: | ≤ 25 μm |
| Hervorheben: | 4H-N-Siliziumkarbid-Wafer,12 Zoll Silikonkarbid Wafer,Wafer aus Siliziumkarbid von 300 mm |
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Produkt-Beschreibung
12 Zoll SiC-Wafer Silikonkarbid-Wafer 300mm 750±25um 4H-N-Typ Orientierung 100 Produktion Forschungsgrad
Abstract der 12-Zoll-SiC-Wafer
Diese 12-Zoll-Silikonkarbid-Wafer (SiC) ist für fortgeschrittene Halbleiteranwendungen konzipiert, mit einem Durchmesser von 300 mm, einer Dicke von 750 ± 25 μm,mit einer KohlenstoffdioxiddioxiddioxiddioxiddioxiddioxiddioxiddioxiddioxidDie Wafer werden mit hochwertigen Fertigungstechniken hergestellt, um die Standards von Forschungs- und Produktionsumgebungen zu erfüllen.Hochtemperatur, und Hochfrequenzgeräte, die häufig in Anwendungen wie Elektrofahrzeugen (EVs), Leistungselektronik und HF-Technologie verwendet werden.Die hohe strukturelle Integrität der Wafer und ihre präzisen Spezifikationen sorgen für hohe Erträge bei der Herstellung von Geräten., bietet eine optimale Leistung in Spitzenforschung und industriellen Anwendungen.
Datendiagramm der 12-Zoll-SiC-Wafer
| 1 2Zoll Siliziumkarbid (SiC) Substratspezifikation | |||||
| Zulassung | ZeroMPD-Produktion Klasse ((Klasse Z) |
Standardproduktion Grade ((P-Grad) |
Schwachstelle (Grad D) |
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| Durchmesser | 3 0 0 mm bis 1305 mm | ||||
| Stärke | 4H-N | 750 μm±15 μm | 750 μm±25 μm | ||
| 4H-SI | 750 μm±15 μm | 750 μm±25 μm | |||
| Waferorientierung | Außerhalb der Achse: 4,0° in Richtung < 1120 > ± 0,5° für 4H-N, auf der Achse: < 0001> ± 0,5° für 4H-SI | ||||
| Mikropipendichte | 4H-N | ≤ 0,4 cm-2 | ≤ 4 cm-2 | ≤ 25 cm-2 | |
| 4H-SI | ≤ 5 cm-2 | ≤ 10 cm-2 | ≤ 25 cm-2 | ||
| Widerstand | 4H-N | 00,015 bis 0,024 Ω·cm | 00,015 bis 0,028 Ω·cm | ||
| 4H-SI | ≥1E10 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | |||
| Primäre flache Orientierung | {10-10} ±5,0° | ||||
| Primärflächige Länge | 4H-N | N/A | |||
| 4H-SI | Schnitzel | ||||
| Grenze ausgeschlossen | 3 mm | ||||
| LTV/TTV/Bow/Warp | Bei der Verwendung von Folien mit einem Durchmesser von ≤ 5 μm/≤ 15 μm/≤ 35 μm/≤ 55 μm | ≤ 5 μm/≤ 15 μm/≤ 35 □ μm/≤ 55 □ μm | |||
| Grobheit | Polnische Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra≤0,5 nm | ||||
| Randspalten durch hochintensives Licht Hex-Platten durch hochintensives Licht Polytypische Bereiche durch Licht mit hoher Intensität Sichtbare Kohlenstoffinklusionen Silikon-Oberflächenkratzungen durch hochintensives Licht |
Keine Kumulative Fläche ≤ 0,05% Keine Kumulative Fläche ≤ 0,05% Keine |
Kumulative Länge ≤ 20 mm, Einzellänge ≤ 2 mm Kumulative Fläche ≤ 0,1% Kumulative Fläche ≤ 3% Kumulative Fläche ≤ 3% Kumulative Länge ≤ 1 × Waferdurchmesser |
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| Edge-Chips durch hochintensives Licht | Keine zulässig Breite und Tiefe ≥ 0,2 mm | 7 zulässig, jeweils ≤ 1 mm | |||
| (TSD)Schraubschraubentwicklung | ≤500 cm-2 | N/A | |||
| (BPD)Verlagerung der Basisebene | ≤1000 cm-2 | N/A | |||
| Silicon OberflächeVerunreinigung durch hochintensives Licht | Keine | ||||
| Verpackung | Multifaktor-Kassette oder Einfachwaferbehälter | ||||
| Anmerkungen: | |||||
| 1 Die Fehlergrenzwerte gelten für die gesamte Oberfläche der Wafer mit Ausnahme des Rand-Ausschlussraums. 2Die Kratzer sollten nur auf der Si-Seite überprüft werden. 3 Die Daten über die Dislokation stammen ausschließlich aus KOH-gegrabenen Wafern. |
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Das Foto von der 12-Zoll-SiC-Wafer.
Eigenschaften von 12-Zoll-SiC-Wafer
1.Materialeigenschaften von SiC:
- Weite Bandbreite: SiC hat eine große Bandbreite (~ 3,26 eV), wodurch es im Vergleich zu herkömmlichem Silizium (Si) bei höheren Spannungen, Temperaturen und Frequenzen arbeiten kann.
- Hohe Wärmeleitung: Die Wärmeleitfähigkeit von SiC ist deutlich höher als die des Siliziums (ca. 3,7 W/cm·K), weshalb es für Hochleistungsanwendungen, bei denen die Wärmeableitung von entscheidender Bedeutung ist, geeignet ist.
- Hochspannung: SiC kann viel höhere Spannungen (bis zu 10-mal höher als Silizium) bewältigen, was es ideal für Leistungselektronik wie Leistungstransistoren und Dioden macht.
- Hohe Elektronenmobilität: Die Elektronenmobilität in SiC ist höher als in herkömmlichem Silizium, was zu schnelleren Schaltzeiten in elektronischen Geräten beiträgt.
2.Mechanische Eigenschaften:
- Hohe Härte: SiC ist sehr hart (Mohs-Härte von 9), was zu seiner Verschleißfestigkeit beiträgt, aber es auch schwierig macht, zu verarbeiten und zu bearbeiten.
- Steifheit: Es hat einen hohen Young-Modul, was bedeutet, dass es im Vergleich zu Silizium steifer und haltbarer ist, was seine Robustheit in Geräten erhöht.
- Bruchbarkeit: SiC ist brüchiger als Silizium, was bei der Waferverarbeitung und bei der Herstellung von Geräten berücksichtigt werden muss.
Anwendungen von 12-Zoll-SiC-Wafern
12-Zoll-SiC-Wafer werden hauptsächlich in Hochleistungs-Leistungselektronik verwendet, einschließlich Leistungs-MOSFETs, Dioden und IGBTs, die eine effiziente Energieumwandlung in Industrien wieElektrofahrzeuge,erneuerbare Energie, undindustrielle StromversorgungssystemeDie hohe Wärmeleitfähigkeit, der breite Bandbreite und die Fähigkeit, hohen Temperaturen standzuhalten, machen SiC ̊ ideal für Anwendungen inElektronik für den Automobilbereich,Stromwechselrichter, undHochleistungs-Energiesysteme. Seine Verwendung inHochfrequenz-HF-GeräteundMikrowellenkommunikationssystemeEs ist auch für Telekommunikations-, Luft- und Raumfahrt- und militärische Radarsysteme von entscheidender Bedeutung.
Darüber hinaus werden SiC-Wafer inLED und Optoelektronik, die als Substrat fürblaue und UV-LEDDas Material ist durch seine Widerstandsfähigkeit in rauen Umgebungen für den Einsatz inmit einer Leistung von mehr als 10 W,Medizinprodukte, undSatellitenstromsysteme. mit seiner wachsenden Rolle inintelligente Netze,Energiespeicherung, undStromverteilung, SiC hilft bei der Verbesserung der Effizienz, Zuverlässigkeit und Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen.
12 Zoll SiC-Wafer Fragen und Antworten
1.Was ist ein 12-Zoll-SiC-Wafer?
Antwort: Ein 12-Zoll-SiC-Wafer ist ein Siliziumkarbid-Substrat mit einem Durchmesser von 12 Zoll, hauptsächlich in der Halbleiterindustrie verwendet, insbesondere für Hochleistungs-, Hochtemperatur-,und HochfrequenzanwendungenSiC-Materialien werden aufgrund ihrer hervorragenden elektrischen, thermischen und mechanischen Eigenschaften in der Leistungselektronik, der Automobilelektronik und in Energieumwandlungseinrichtungen weit verbreitet.
2.Was sind die Vorteile eines 12-Zoll-SiC-Wafers?
Antwort: Die Vorteile einer 12-Zoll-SiC-Wafer sind:
- Hochtemperaturstabilität: SiC kann bei Temperaturen von bis zu 600°C oder höher arbeiten und bietet damit eine bessere Leistung bei hohen Temperaturen als herkömmliche Siliziummaterialien.
- Hochleistungsbetrieb: SiC kann hoher Spannung und Strom widerstehen und eignet sich somit für Anwendungen mit hoher Leistung, wie z. B. für das Batteriemanagement von Elektrofahrzeugen und industrielle Stromversorgungen.
- Hohe Wärmeleitung: SiC weist im Vergleich zu Silizium eine deutlich höhere Wärmeleitfähigkeit auf, was zu einer besseren Wärmeableitung beiträgt und die Zuverlässigkeit und Effizienz des Geräts verbessert.