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Detailinformationen |
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| Oblaten-Größe: | 4′′, 6′′, 8′′, 12′′ | Material: | Glas, Quarz usw. |
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| Minimale Stärke: | 0.2 mm (< 6′′), 0,3 mm (8′′), 0,35 mm (12′′) | Mindestöffnung: | 20μm |
| Durch Taper Angle: | 3 bis 8° | Über Pitch: | 50 μm, 100 μm, 150 μm usw. |
| Maximales Längenverhältnis: | 1:10 | Metallbeschichtung: | Anpassbar |
| Hervorheben: | Halbleiter Verpackungsglasunterlage,JGS1 Glasunterlage,JGS2-Glasunterlage |
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Produkt-Beschreibung
Produktübersicht
Die TGV-Technologie (Through Glass Via), auch als Glasdurchlöchertechnologie bekannt, ist eine vertikale elektrische Verbindungstechnik, die Glassubstrate durchdringt.Es ermöglicht vertikale elektrische Verbindungen auf Glasunterlagen, wodurch hochdichte Verbindungen zwischen Chips sowie zwischen Chips und Substraten erreicht werden.TGV dient demselben Zweck bei Glasunterlagen.
Glassubstrate stellen die nächste Generation von Chip-Basismaterialien dar, deren Kernkomponent Glas ist.Die Kette der Glassubstratindustrie umfaßt die Produktion, Rohstoffe, Ausrüstung, Technologie, Verpackung, Prüfung und Anwendungen mit vorgelagerten Segmenten mit Schwerpunkt auf Produktion, Materialien und Ausrüstung.
Vorteile
- Überlegene Hochfrequenzelektrische Leistung
- Leichtigkeit bei der Herstellung von großflächigen ultradünnen Glassubstraten
- Kosteneffizienz
- Vereinfachter Prozessfluss
- Starke mechanische Stabilität
- Breite Anwendungsmöglichkeiten
Technische Grundsätze
(a) Vorbereitung von Glaswafern
b) TGV-Form (durch Glasstraßen)
c) Ablagerung der PVD-Schrankschicht und der Samenschicht, Durchführung von doppelseitigem Galvanisieren für die Kupferablagerung
(d) Aufheizung und chemisch-mechanische Polierung zur Entfernung der Oberflächenkupferschicht
e) PVD-Beschichtung und Fotolithographie
(f) Fertigung RDL (Umverteilungsschicht)
(g) Fotoresistenz entfernen und Cu/Ti-Etschen durchführen
h) Passivierungsschicht der Form (dielektrische Schicht)
Einzelheiten:
Der Fertigungsprozess von TGV (Through Glass Via) beginnt mit der Inspektion des eingehenden Materials, gefolgt von der Formierung durch Methoden wie Sandstrahlen, Ultraschallbohrungen, nasses Ätzen,Tiefreaktive Ionenspritzung (DRIE), Lichtempfindliche Ätzung, Laserätzung, laserinduzierte Tiefenätzung und fokussierte Entladungsbohrungen, die anschließend durch Inspektion und Reinigung durchgeführt werden.
Durch Glasvias (TGVs) werden mit Plasma-Ätztechnologie hergestellt.
Nach der Bildung des Lochs ist es notwendig, das Loch zu untersuchen, wie z. B. Durchgangshöhe, Fremdstoffe, Panelfehler usw.
Durch Integrität Detektieren von Lecks und nicht leitfähigen Durchgängen. Spezifikationen für die Öffnungsgröße: 10/30/50/70/100 μm; Außendurchmesser muss ≥ 60% höher sein als der Inndurchmesser.Kreislaufigkeit (≥95% Kontrolle)Der Durchmessertoleranz (± 5 μm).
Fremdmaterial in den Flächen
Paneldefekte: Risse, Ätzfehler (Gruben), Schadstoffe, Kratzer.
Auch hier wird durch eine von unten nach oben verlaufende Galvanisierung eine nahtlose Füllung des TGV erzielt.
Schließlich vorübergehende Verklebung, Rückschleifen, chemisch-mechanische Polierung (CMP) zur Belichtung von Kupfer, Entklebung und Bildung einer durchlässigen Glasplatte über die (TGV) -Prozesstechnologie.Während des Prozesses, sind auch Halbleiterverfahren wie Reinigung und Prüfung erforderlich.
a) LIDE-Bohrungen
(b) Füllung durch Elektrobelagerung
c) CMP
(d) Vorderseite RDL-Formation
e) Polyimid-Schicht
(f) Stoßwellen
g) Zeitlich befristete Anbindung
(h) Rückschleifen und RDL-Bildung
i) Trägerwafer entbindet
Anwendungen
Hochfrequenzkommunikation (5G/6G-Chip-Verpackungen)
Hochleistungsrechner und KI-Chips
Autonome LiDAR-Module, Radar für Fahrzeuge, Steuergeräte für Fahrzeuge.
Implantierbare Geräte (z. B. Neuronsonden), Biochips mit hohem Durchsatz.
Fragen und Antworten
F1: Was ist TGV-Glas?
A1:TGV-Glas: Ein Glassubstrat mit vertikalen leitfähigen Durchgängen für die Verbindung von Chips mit hoher Dichte, geeignet für Hochfrequenz- und 3D-Verpackungen.
F2:Was ist der Unterschied zwischen Glas- und Siliziumsubstraten?
A2:
- Materialien: Glas ist ein Isolator (geringer dielektrischer Verlust), Silizium ist ein Halbleiter.
- Hochfrequenzleistung: Glasverlust ist 10-100 mal geringer als Silizium.
- Kosten: Glassubstrat kostet etwa 1/8 des Siliziums.
- TGV (Through Glass Via): Ein metallisierter vertikaler Kanal, der auf einem Glassubstrat gebildet wird, ohne dass eine zusätzliche Isolationsschicht benötigt wird, und ein einfacherer Prozess als durch Silizium via (TSV).
F3: Warum Glaskernsubstrate wählen?
A3:
- Hohe Frequenzüberlegenheit:Niedriges Dk/Df minimiert die Signalverzerrung in den 5G/6G mmWave-Bändern (24-300 GHz).
- Kosteneffizienz: Die Verarbeitung von Platten mit großer Fläche (z. B. Glasplatten der Generation 8.5) senkt die Kosten um 70% gegenüber Siliziumwafern.
- Thermische und mechanische Stabilität:Thermische Belastung bei nahezu null Verformungen, auch bei ultradünnen (< 100 μm) Dicken.
- Optische Transparenz:Ermöglicht eine hybride elektrische/optische Integration (z. B. LiDAR, AR-Displays).
- Skalierbarkeit: Unterstützt Panel-Level-Packaging (PLP) für die Massenproduktion von fortschrittlichen 3D-ICs.
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