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Detailinformationen |
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| Kristallstruktur: | 4H, 6H, 3C (am häufigsten: 4H für Leistungseinrichtungen) | Härte (Mohs): | 9.2-9.6 |
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| Orientierung: | (0001) Si- oder C-Gesicht | Widerstand: | 102-105 (Halbdämmstoff) Ω·cm |
| Hervorheben: | SiC-Samenkristalle,208 mm Durchmesser SiC-Samenkristalle,Härte Mohs 9 |
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Produkt-Beschreibung
SiC-Samenkristalle, insbesondere solche mit Durchmessern von 153, 155, 205, 203 und 208 mm
Zusammenfassung der SiC-Samenkristalle
SiC-Samenkristalle sind kleine Kristalle mit der gleichen Kristallorientierung wie der gewünschte Kristall und dienen als Samen für das Wachstum von Einzelkristallen.Verschiedene Orientierungen von Samenkristallen ergeben einzelne Kristalle mit unterschiedlicher OrientierungAuf der Grundlage ihrer Anwendungen können Samenkristalle in CZ (Czochralski) gezogene Einzelkristallkerne, Zonschmelzkristallkerne, Saphirkerne und SiC-Kristallkerne eingeteilt werden.
SiC-Materialien weisen Vorteile auf, wie eine breite Bandbreite, hohe Wärmeleitfähigkeit, hohe kritische Abbaufeldstärke und hohe gesättigte Elektrondriftgeschwindigkeit,die sie in der Halbleiterherstellung sehr vielversprechend machen.
SiC-Samenkristalle spielen in der Halbleiterindustrie eine entscheidende Rolle, und ihre Herstellungsprozesse sind für die Kristallqualität und Wachstumseffizienz von entscheidender Bedeutung.Die Auswahl und Vorbereitung geeigneter SiC-Samenkristalle ist grundlegend für das Wachstum von SiC-KristallenDie verschiedenen Wachstumsmethoden und Kontrollstrategien beeinflussen die Qualität und Leistungsfähigkeit der Kristalle direkt.Die Erforschung der thermodynamischen Eigenschaften und Wachstumsmechanismen von SiC-Samenkristallen hilft, Produktionsprozesse zu optimieren, wodurch sowohl die Kristallqualität als auch der Ertrag verbessert werden.
Die Attributtabelle der SiC-Samenkristalle
| Eigentum | Wert / Beschreibung | Einheit / Anmerkungen |
| Kristallstruktur | 4H, 6H, 3C (am häufigsten: 4H für Leistungseinrichtungen) | Polytypen variieren in der Stapelfolge |
| Gitterparameter | a=3,073Å, c=10,053Å (4H-SiC) | Hexagonales System |
| Dichte | 3.21 | G/cm3 |
| Schmelzpunkt | 3100 (Sublime) | °C |
| Wärmeleitfähigkeit | 490 (C), 390 (C) (4H-SiC) | W/m·K) |
| Thermische Ausdehnung | 4.2×10−6 (c), 4.68×10−6 (c) | K−1 |
| Bandlücke | 3.26 (4H), 3.02 (6H), 2.36 (3C) | eV /300K |
| Härte (Mohs) | 9.2-9.6 | Nur Diamant kommt an zweiter Stelle |
| Brechungsindex | 2.65 633nm (4H-SiC) | |
| Dielektrische Konstante | 9.66 (·c), 10.03 (·c) (4H-SiC) | 1MHz |
| Abbruchfeld | ~3 × 106 | V/cm |
| Elektronenmobilität | 900 bis 1000 (4H) | cm2/V·s |
| Mobilität durch Löcher | 100 bis 120 (4H) | cm2/V·s |
| Ausrutschdichte | <103 (beste kommerzielle Saatgut) | cm−2 |
| Mikropipendichte | < 0,1 (Stand der Technik) | cm−2 |
| Abgeschnittener Winkel | Typischerweise 4° oder 8° in Richtung <11-20> | Für die schrittgesteuerte Epitaxie |
| Durchmesser | 153 mm, 155 mm, 203 mm. | Kommerzielle Verfügbarkeit |
| Oberflächenrauheit | < 0,2 nm (epi-ready) | Ra (Atompolieren) |
| Orientierung | (0001) Si- oder C-Gesicht | Beeinflusst das epitaxiale Wachstum |
| Widerstand | 102-105 (Halbdämmung) | Ohm·cm |
Methoden des physikalischen Dampftransports
Typischerweise werden SiC-Einzelkristalle mithilfe von physikalischen Dampftransportmethoden (PVT) erzeugt.mit dem SiC-Samenkristall obenDer Graphitkrügel wird auf die Sublimationstemperatur von SiC erhitzt, wodurch sich das SiC-Pulver in Dampfarten wie Si-Dampf, Si2C und SiC2 zersetzt.Unter dem Einfluss eines axialen Temperaturgradienten, steigen diese Gase an die Spitze des Tiegeln, wo sie auf der Oberfläche des SiC-Samenkristalls kondensieren und SiC-Einzelkristalle bilden.
Der Durchmesser des Saatkristalls, der für das Wachstum von SiC-Einkristallen verwendet wird, muss dem des Zielkristalls entsprechen.Der Samenkristall wird mit einem Klebstoff an einem Samenhalter an der Spitze des Tiegels befestigt.Probleme wie die Genauigkeit der Oberflächenbearbeitung des Saatguthalters und die Einheitlichkeit der Klebeauflage können jedoch zu Porenbildung an der Klebstoffoberfläche führen.die zu hexagonalen Hohlraumfehlern führen.
Um das Problem der Dichte der Klebstoffschicht zu lösen, haben Unternehmen und Forschungseinrichtungen verschiedene Lösungen vorgeschlagen, darunter die Verbesserung der Flachheit von Graphitplatten,Erhöhung der Einheitlichkeit der KlebefolieTrotz dieser Anstrengungen bestehen weiterhin Probleme mit der Dichte der Klebstoffschicht und es besteht die Gefahr, dass sich die Samenkristalle lösen.Eine Lösung, bei der das Wafer an Graphitpapier geklebt wird, das sich mit der Oberseite des Tiegelns überlagert, wurde umgesetzt, wodurch das Problem der Dichte der Klebstoffschicht wirksam gelöst und das Abtrennen der Samenkristalle verhindert wird.
Fragen und Antworten
F: Welche Faktoren beeinflussen die Qualität von SiC-Samenkristallen?
A:1.Kristalline Vollkommenheit
2.Kontrollen der Mehrtypen
3.Oberflächenqualität
4.Thermische/mechanische Eigenschaften
5.Chemische Zusammensetzung
6.Geometrische Parameter
7.Prozessbedingte Faktoren
8.Grenzen der Messtechnik
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