SiC-Wafer SiC-Epitaxie-Wafer 4H-N HPSI 6H-N 6H-P 3C-N für MOS oder SBD

Produktportfolio für SiC-Substrat und Epi-Wafer

Wir bieten ein umfassendes Portfolio an hochwertigen Siliziumkarbid-Substraten und -Wafern, die mehrere Polytypen und Dopingtypen abdecken (einschließlich 4H-N-Typ [N-Typ-Leiter],4H-P-Typ [P-Typ-Leiter], 4H-HPSI-Typ [Hochreine Halbdämmung] und 6H-P-Typ [P-Typ-Leiter]), mit Durchmessern von 4 Zoll, 6 Zoll, 8 Zoll bis 12 Zoll.Wir bieten hochwertige Dienstleistungen für das Wachstum von epitaxialen Wafern an., die eine präzise Kontrolle der Epi-Schichtdicke (120 μm), der Dopingkonzentration und der Defektdichte ermöglicht.

Jedes SiC-Substrat und jede epitaxiale Wafer werden einer strengen Lineinspektion unterzogen (z. B. Mikropippendichte <0,1 cm−2, Oberflächenrauheit Ra <0).2 nm) und umfassende elektrische Charakterisierung (wie z.B. CV-Tests), Resistivitätskartierung) zur Gewährleistung außergewöhnlicher Kristallgleichheit und Leistung.mit einer Breite von mehr als 20 mm, erfüllen unsere SiC-Substrat- und Epitaxial-Wafer-Produktlinien die anspruchsvollsten Anwendungsanforderungen an Zuverlässigkeit, thermische Stabilität und Zerfallsfestigkeit.

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SiC-Substrat: 4H-N-Typ Eigenschaften und Anwendungen

Das 4H-N-Siliziumkarbid-Substrat unterhält aufgrund seines breiten Bandspaltes (~ 3,0 °C) eine stabile elektrische Leistung und thermische Robustheit bei hohen Temperaturen und hohen elektrischen Feldbedingungen.26 eV) und hohe Wärmeleitfähigkeit (~370-490 W/m·K).

Kernmerkmale:

• N-Typ Doping: Durch präzise kontrolliertes Stickstoff-Doping werden Trägerkonzentrationen von 1 × 1016 bis 1 × 1019 cm−3 und Elektronenmobilitäten bei Raumtemperatur von bis zu ca. 900 cm2/V·s erzielt.die hilft, Leitverluste zu minimieren.

• Niedrige Defektdichte: Die Mikropippendichte beträgt typischerweise < 0,1 cm−2 und die Densität der Verrutschung in der Basalebene < 500 cm−2,die Grundlage für einen hohen Geräteertrag und eine überlegene Kristallintegrität.

• Ausgezeichnete Einheitlichkeit: Der Widerstandsbereich beträgt 0,01·10 Ω·cm, die Substratdicke beträgt 350·650 μm, wobei Doping- und Dickeintoleranzen innerhalb von ±5% kontrollierbar sind.

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Zielanwendungen:

• Hauptsächlich für Leistungselektronikgeräte wie SiC-MOSFETs, Schottky-Dioden und Leistungsmodule verwendet, weit verbreitet in Antrieben von Elektrofahrzeugen, Solarumrichtern, industriellen Antrieben,und TraktionssystemeSeine Eigenschaften machen es auch für Hochfrequenz-HF-Geräte in 5G-Basisstationen geeignet.

SiC-Substrat: 4H Halbdämmungsart Eigenschaften und Anwendungen

Das 4H-Halbisolierende SiC-Substrat besitzt einen extrem hohen Widerstand (typischerweise ≥ 109 Ω·cm), der die parasitäre Leitfähigkeit während der Hochfrequenzsignalübertragung wirksam unterdrückt.Dies macht es zu einer idealen Wahl für die Herstellung von Hochleistungs-Radiofrequenz- (RF) und Mikrowellengeräten.

Kernmerkmale:

• Präzisionssteuerungstechniken: Durch fortschrittliche Kristallwachstums- und Verarbeitungstechniken wird die Mikrorußdichte, die Einkristallstruktur, der Verunreinigungsgehalt und der Widerstand präzise kontrolliert.Sicherstellung der hohen Reinheit und Qualität des Substrats.
• Hohe Wärmeleitfähigkeit: Ähnlich wie leitfähiges SiC verfügt es über ausgezeichnete thermische Managementfähigkeiten, geeignet für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte.
• Hohe Oberflächenqualität: Die Oberflächenrauheit kann eine Flachheit auf atomarer Ebene erreichen (Ra < 0,5 nm), was den Anforderungen an ein qualitativ hochwertiges epitaxielles Wachstum entspricht.

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Zielanwendungen:

• Hauptsächlich im Hochfrequenz-HF-Feld eingesetzt, wie z. B. Leistungsverstärker in Mikrowellenkommunikationssystemen, Phasenradare und drahtlose Detektoren.

SiC-Epitaxialwafer: 4H-N-Typ Eigenschaften und Anwendungen

Die Homoepitaxialschicht, die auf dem SiC-Substrat des Typs 4H-N angebaut wird, bietet eine optimierte aktive Schicht für die Herstellung von Hochleistungs-Leistungs- und HF-Geräten.Der epitaxiale Prozess ermöglicht eine präzise Kontrolle der Schichtdicke, Dopingkonzentration und Kristallqualität.
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Kernmerkmale:

• Anpassbare elektrische Parameter: Die Dicke (typischer Bereich 5-15 μm) und die Dopingkonzentration (z. B.1E15 - 1E18 cm−3) der Epitaxialschicht nach den Anforderungen des Geräts angepasst werden kann, mit guter Einheitlichkeit.

• Niedrige Defektdichte: Durch fortgeschrittene epitaxiale Wachstumstechniken (z. B. CVD) kann die Dichte von epitaxalen Defekten wie Karottendefekten und dreieckigen Defekten wirksam kontrolliert werden.Verbesserung der Zuverlässigkeit des Geräts.

• Vererbung von Substratvorteilen: Die Epitaxialschicht erbt die hervorragenden Eigenschaften des 4H-N-SiC-Substrats, einschließlich breiter Bandbreite, hoher Auflösung des elektrischen Feldes,und hohe Wärmeleitfähigkeit..

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Zielanwendungen:

• Es ist das Kernmaterial für die Herstellung von Hochspannungsanlagen (z. B. MOSFETs, IGBTs, Schottky-Dioden), die häufig in Elektrofahrzeugen eingesetzt werden,Erzeugung von Strom aus erneuerbaren Energien (Photovoltaik-Wechselrichter), industrielle Antriebe und Luftfahrt.

Über ZMSH

ZMSH spielt eine Schlüsselrolle in der Substratindustrie für Siliziumkarbid (SiC), wobei es sich auf die unabhängige FuE und die großflächige Produktion kritischer Materialien konzentriert.Meisterung der Kerntechnologien, die den gesamten Prozess vom Kristallwachstum abdeckenZMSH verfügt über den Vorteil einer industriellen Kette eines integrierten Produktions- und Handelsmodells, das flexiblen kundenspezifischen Verarbeitungsservice ermöglicht.

ZMSH kann SiC-Substrate in verschiedenen Größen von 2 bis 12 Zoll Durchmesser liefern.4H-HPSI (Hochreine Halbdämmung), 4H-P-Typ und 3C-N-Typ, die den spezifischen Anforderungen verschiedener Anwendungsfälle entsprechen.

Häufige Fragen zu SiC-Substrattypen - Ich weiß.

F1: Welche drei Haupttypen von SiC-Substraten und deren primäre Anwendungen gibt es?
A1: Die drei primären Typen sind 4H-N-Typ (leitend) für Leistungseinrichtungen wie MOSFETs und Elektrofahrzeuge.4H-HPSI (Hochreine Halbisolierung) für Hochfrequenz-HF-Geräte wie 5G-Basisstationverstärker, und 6H-Typ, der auch in bestimmten Hochleistungs- und Hochtemperaturanwendungen verwendet wird.
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F2: Was ist der grundlegende Unterschied zwischen dem 4H-N-Typ und den halbisolierenden SiC-Substraten?
A2: Der Hauptunterschied liegt in ihrer elektrischen Widerstandsfähigkeit; der 4H-N-Typ ist leitfähig mit geringer Widerstandsfähigkeit (z. B. 0,01-100 Ω·cm) für Stromstrom in der Leistungselektronik,Halbisolierende Typen (HPSI) weisen extrem hohen Widerstand (≥ 109 Ω·cm) auf, um Signalverluste bei Funkfrequenzanwendungen zu minimieren.

F3: Was ist der Hauptvorteil von HPSI SiC-Wafern in Hochfrequenzanwendungen wie 5G-Basisstationen?
A3: HPSI SiC-Wafer bieten einen extrem hohen Widerstand (> 109 Ω·cm) und einen geringen Signalverlust.sie zu idealen Substraten für auf GaN basierende HF-Leistungsverstärker in der 5G-Infrastruktur und Satellitenkommunikation machen.

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