Produktübersicht

Die 6-Zoll-Siliziumkarbid (SiC)-Wafer ist ein Halbleitersubstrat der nächsten Generation, das für elektronische Hochleistungs-, Hochtemperatur- und Hochfrequenzanwendungen entwickelt wurde. Mit überlegener Wärmeleitfähigkeit, großer Bandlücke und chemischer Stabilität ermöglichen SiC-Wafer die Herstellung fortschrittlicher Leistungsbauelemente, die im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-basierten Technologien einen höheren Wirkungsgrad, größere Zuverlässigkeit und kleinere Abmessungen bieten.

Die große Bandlücke von SiC (~3,26 eV) ermöglicht den Betrieb elektronischer Geräte bei Spannungen von über 1.200 V, Temperaturen über 200 °C und Schaltfrequenzen, die um ein Vielfaches höher sind als bei Silizium. Das 6-Zoll-Format bietet eine ausgewogene Kombination aus Fertigungsskalierbarkeit und Wirtschaftlichkeit und ist damit die Mainstream-Größe für die industrielle Massenproduktion von SiC-MOSFETs, Schottky-Dioden und Epitaxie-Wafern.

Herstellungsprinzip

Der 6-Zoll-SiC-Wafer wird mit der Physical Vapor Transport (PVT)- oder Sublimationswachstumstechnologie gezüchtet. Bei diesem Verfahren wird hochreines SiC-Pulver bei Temperaturen von über 2.000 °C sublimiert und unter präzise kontrollierten Temperaturgradienten auf einem Impfkristall rekristallisiert. Der resultierende Einkristall-SiC-Bolzen wird dann geschnitten, geläppt, poliert und gereinigt, um Wafer-Grad-Ebenheit und Oberflächenqualität zu erreichen.

Für die Bauelementefertigung werden Epitaxieschichten auf der Waferoberfläche mittels Chemical Vapor Deposition (CVD) abgeschieden, wodurch eine präzise Kontrolle über die Dotierungskonzentration und die Schichtdicke ermöglicht wird. Dies gewährleistet eine gleichmäßige elektrische Leistung und minimale Kristallfehler über die gesamte Waferoberfläche.

Hauptmerkmale und Vorteile

• Große Bandlücke (3,26 eV): Ermöglicht Hochspannungsbetrieb und überlegene Leistungseffizienz.

• Hohe Wärmeleitfähigkeit (4,9 W/cm·K): Gewährleistet eine effiziente Wärmeableitung für Hochleistungsbauelemente.

• Hohe Durchbruchfeldstärke (3 MV/cm): Ermöglicht dünnere Bauelementstrukturen mit geringerem Leckstrom.

• Hohe Elektronen-Sättigungsgeschwindigkeit: Unterstützt Hochfrequenzschalten und schnellere Reaktionszeiten.

• Ausgezeichnete Chemikalien- und Strahlungsbeständigkeit: Ideal für raue Umgebungen wie Luft- und Raumfahrt und Energiesysteme.

• Größerer Durchmesser (6 Zoll): Verbessert die Waferausbeute und senkt die Kosten pro Bauelement in der Massenproduktion.

Anwendungen

• SiC in AR-Brillen:
  SiC-Materialien verbessern die Leistungseffizienz, reduzieren die Wärmeentwicklung und ermöglichen dünnere, leichtere AR-Systeme durch hohe Wärmeleitfähigkeit und große Bandlücke.

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• SiC in MOSFETs:
  SiC-MOSFETs bieten schnelles Schalten, hohe Durchbruchspannung und geringe Verluste und sind damit ideal für Microdisplay-Treiber und Laserprojektions-Leistungsschaltungen.

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• SiC in SBDs:
  SiC-Schottky-Barrier-Dioden bieten ultraschnelle Gleichrichtung und geringe Rückwärtsverluste und verbessern die Lade- und DC/DC-Wandler-Effizienz in AR-Brillen.

Technische Daten (anpassbar)

Warum Sie sich für unsere SiC-Wafer entscheiden sollten

• Hohe Ausbeute und geringe Defektdichte: Fortschrittliches Kristallwachstumsverfahren gewährleistet minimale Mikropipen und Versetzungen.

• Stabile Epitaxie-Fähigkeit: Kompatibel mit mehreren Epitaxie- und Bauelementefertigungsprozessen.

• Anpassbare Spezifikationen: Erhältlich in verschiedenen Ausrichtungen, Dotierungsniveaus und Dicken.

• Strenge Qualitätskontrolle: Vollständige Inspektion über XRD, AFM und PL-Mapping zur Gewährleistung der Gleichmäßigkeit.

• Globale Lieferkettenunterstützung: Zuverlässige Produktionskapazität für Prototypen- und Großaufträge.

FAQ

Q1: Was ist der Unterschied zwischen 4H-SiC- und 6H-SiC-Wafern?
A1: 4H-SiC bietet eine höhere Elektronenmobilität und wird für Hochleistungs- und Hochfrequenzbauelemente bevorzugt, während 6H-SiC für Anwendungen geeignet ist, die eine höhere Durchbruchspannung und geringere Kosten erfordern.

Q2: Kann der Wafer mit einer Epitaxieschicht geliefert werden?
A2: Ja. Epitaktische SiC-Wafer (Epi-Wafer) sind mit kundenspezifischer Dicke, Dotierungsart und Gleichmäßigkeit gemäß den Bauelementanforderungen erhältlich.

Q3: Wie vergleicht sich SiC mit GaN- und Si-Materialien?
A3: SiC unterstützt höhere Spannungen und Temperaturen als GaN oder Si, was es ideal für Hochleistungssysteme macht. GaN eignet sich besser für Hochfrequenzanwendungen mit niedriger Spannung.

Q4: Welche Oberflächenorientierungen werden üblicherweise verwendet?
A4: Die gebräuchlichsten Orientierungen sind (0001) für vertikale Bauelemente und (11-20) oder (1-100) für laterale Bauelementstrukturen.

Q5: Wie lange ist die typische Vorlaufzeit für 6-Zoll-SiC-Wafer?
A5: Die Standardvorlaufzeit beträgt ca. 4–6 Wochen, abhängig von den Spezifikationen und der Bestellmenge.