SiC-Epitaxialwaferübersicht

Die SiC-Epitaxialwafer entwickeln sich zu einem der fortschrittlichsten Formen in der SiC-Industrie.8 SiC-Epitaxialwafer bieten beispiellose Möglichkeiten zur Erweiterung der Produktion von Leistungseinrichtungen und zur Senkung der Kosten pro Gerät.

Da die Nachfrage nach Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energien und industrieller Leistungselektronik weltweit weiter steigt, ermöglichen Wafer eine neue Generation von SiC-MOSFETs, Dioden,und integrierte Leistungsmodule mit höherem Durchsatz, bessere Erträge und geringere Herstellungskosten.

SiC-Wafer verfügen über breite Bandbreiteneigenschaften, hohe Wärmeleitfähigkeit und eine außergewöhnliche Abbruchspannung und bringen neue Leistungs- und Effizienzniveaus in der fortschrittlichen Leistungselektronik.

Wie SiC-Epitaxialwafer hergestellt werden

Die Herstellung von SiC-Epitaxialwafern erfordert CVD-Reaktoren der nächsten Generation, eine präzise Kristallwachstumskontrolle und eine Ultra-Flach-Substrattechnologie:

1. Herstellung von Substraten
   Monokristalline SiC-Substrate werden mit Hilfe von Hochtemperatur-Sublimationstechniken hergestellt und anschließend bis zu einer Subnanometer-Rohheit poliert.

2. Herz-Kreislauf-Krankheit Epitaxial Wachstum
   Fortgeschrittene großflächige CVD-Werkzeuge arbeiten bei ~ 1600 °C, um hochwertige SiC-Epitaxialschichten auf den 8 ̊-Substraten zu deponieren, wobei der Gasfluss und die Temperaturgleichheit für den Umgang mit der größeren Fläche optimiert sind.

3. Maßgeschneiderter Doping
   N- oder P-Dopingprofile werden mit hoher Gleichmäßigkeit auf der gesamten 300 mm-Wafer erstellt.

4. Präzisionsmetrologie
   Einheitlichkeitskontrolle, Überwachung von Kristallfehlern und In-situ-Prozessmanagement sorgen für Konsistenz von der Wafermitte bis zur Kante.

5. Umfassende Qualitätssicherung
   Jede Wafer wird über:

   • AFM, Raman und XRD

   • Mapping von Fehlfunktionen der Vollwafer

   • Oberflächenrauheit und Warp-Analyse

   • Messungen der elektrischen Eigenschaften

Spezifikationen

Anwendungen

 SiC-Epitaxialwafer ermöglichen die Massenproduktion zuverlässiger Leistungseinrichtungen in Sektoren wie:

• Elektrofahrzeuge
  Traktionsumrichter, Bordladegeräte und Gleichspannungs-/Gleichspannungsumrichter.

• Erneuerbare Energien
  Solarstring-Wechselrichter, Windenergiewandler.

• Industrieantriebe
  Effiziente Motorantriebe, Servosysteme.

• 5G/RF-Infrastruktur
  Leistungsverstärker und HF-Schalter.

• Verbraucherelektronik
  Kompakte, hocheffiziente Stromversorgungen.

Häufig gestellte Fragen (FAQ)

1Was ist der Nutzen von 8 ̊ SiC-Wafern?
Sie reduzieren die Produktionskosten pro Chip durch erhöhte Waferfläche und Prozessertrag erheblich.

2Wie reif ist die SiC-Produktion?
8 ¥ geht in die Pilotproduktion mit ausgewählten Branchenführern ein. Unsere Wafer sind nun für FuE und Volumen-Ramp zur Verfügung.

3- Können Doping und Dicke angepasst werden?
Ja, eine vollständige Anpassung des Dopingprofils und der Epi-Dicke ist verfügbar.

4Sind bestehende Fabriken mit 8 ̊ SiC-Wafern kompatibel?
Für eine vollständige 8 ̊-Kompatibilität sind geringfügige Ausrüstungserweiterungen erforderlich.

5Was ist die durchschnittliche Vorlaufzeit?
6~10 Wochen für erste Bestellungen; kürzer für wiederholte Mengen.

6Welche Branchen werden 8 ̊ SiC am schnellsten einsetzen?
Automobilindustrie, erneuerbare Energien und Netzinfrastruktur.

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