 |
Blinder Silikon-Karbid-Wafer der Forschungs-2 des Zoll-6H-Semi
Produktdetails:
| Herkunftsort: | CHINA |
| Markenname: | ZMKJ |
| Modellnummer: | 6H-semi |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 5pcs |
|---|---|
| Preis: | by case |
| Verpackung Informationen: | einzelnes Oblatenpaket im Reinigungsraum mit 100 Graden |
| Lieferzeit: | 1-6weeks |
| Zahlungsbedingungen: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 1-50pcs/month |
|
Detailinformationen |
|||
| Material: | Sic einzelne Kristall-Art 6H-semi | Grad: | Attrappe |
|---|---|---|---|
| Thicnkss: | 0.33mmt | Suraface: | Polier-SSP |
| Anwendung: | optische Infrarotforschung | Durchmesser: | 2 Zoll |
| Farbe: | Grün | Widerstandskraft: | >1E5 Ω.cm |
| Hervorheben: | Karbid-Wafer des Silikon-6H-Semi,blinder Forschungs-Silikon-Karbid-Wafer,2 Zoll-Silikon-Karbid-Wafer |
||
Produkt-Beschreibung
Der Silikon-Karbid-sic Oblate 330um 2INCH 6H-semi blinder Forschungsgrad
Einzelne (sic) wie-geschnittene sic Oblaten Barren Customzied size/10x10x0.5mmt/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC/des Silikonkarbids Durchmessers 150mm des hohen Reinheitsgrades 4H-N 4inch 6inch der Substrate wafersS/Customzied des Kristalles
Über Silikon-Karbid-(sic) Kristall
Silikonkarbid (sic), alias Karborundum, ist ein Halbleiter, der sic Silikon und Kohlenstoff mit chemischer Formel enthält. Sic wird in den Halbleiterelektronikgeräten verwendet, die bei hohen Temperaturen oder hohe Spannungen funktionieren, oder both.SiC ist auch eine der wichtigen LED-Komponenten, ist es ein populäres Substrat für das Wachsen von GaN-Geräten, und es dient auch als Hitzespreizer in starker LED.
| Eigentum | 4H-SiC, einzelner Kristall | 6H-SiC, einzelner Kristall |
| Gitter-Parameter | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| Stapeln von Reihenfolge | ABCB | ABCACB |
| Mohs-Härte | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Dichte | 3,21 g/cm3 |
Silikon-Karbid-(sic) Substrat-Spezifikation Durchmesser des hohen Reinheitsgrades 4inch
| Durchmesser 2inch Silikon-Karbid-(sic) Substrat-Spezifikation | ||||||||||
| Grad | Nullmpd-Grad | Produktions-Grad | Forschungs-Grad | Blinder Grad | ||||||
| Durchmesser | 50,8 mm±0.2mm | |||||||||
| Stärke | 330 μm±25μm | |||||||||
| Oblaten-Orientierung | Weg von der Achse: 4.0° in Richtung zu <1120> ±0.5° für 4H-N/4H-SI auf Achse: <0001> ±0.5° für 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI | |||||||||
| Micropipe-Dichte | cm2 ≤2 | cm2 ≤5 | cm2 ≤15 | cm2 ≤100 | ||||||
| Widerstandskraft | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | ||||||||
| 6H-N | 0.02~0.1 Ω•cm | |||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||||
| Primärebene | {10-10} ±5.0° | |||||||||
| Flache hauptsächlichlänge | 18,5 mm±2.0 Millimeter | |||||||||
| Flache zweitenslänge | 10.0mm±2.0 Millimeter | |||||||||
| Flache zweitensorientierung | Silikon nach oben: 90° CW. von flachem Haupt±5.0° | |||||||||
| Randausschluß | 1 Millimeter | |||||||||
| TTV/Bow /Warp | ≤10μm/≤10μm/≤15μm | |||||||||
| Rauheit | Polnisches Ra≤1 Nanometer | |||||||||
| CMP Ra≤0.5 Nanometer | ||||||||||
| Sprünge durch Licht der hohen Intensität | Kein | 1 gewährt, ≤2 Millimeter | Kumulatives Länge ≤ 10mm, einzelnes length≤2mm | |||||||
| Hexen-Platten durch Licht der hohen Intensität | Kumulativer Bereich ≤1% | Kumulativer Bereich ≤1% | Kumulativer Bereich ≤3% | |||||||
| Polytype-Bereiche durch Licht der hohen Intensität | Kein | Kumulativer Bereich ≤2% | Kumulativer Bereich ≤5% | |||||||
| Kratzer durch Licht der hohen Intensität | 3 Kratzer zur kumulativen Länge des Durchmessers 1×wafer | 5 Kratzer zur kumulativen Länge des Durchmessers 1×wafer | 5 Kratzer zur kumulativen Länge des Durchmessers 1×wafer | |||||||
| Randchip | Kein | 3 gewährt, ≤0.5 Millimeter jeder | 5 gewährt, ≤1 Millimeter jeder | |||||||
6H-N
|
4 H-N Type/Oblate/Barren des hohen Reinheitsgrades sic
2 N-artiger sic Wafer/Barren des Zoll 4H
3 N-artiger sic Wafer des Zoll 4H 4 N-artiger sic Wafer/Barren des Zoll 4H 6 N-artiger sic Wafer/Barren des Zoll 4H |
2 Zoll 4H Wafer sic Halb-isolierend
3 Zoll 4H Wafer sic Halb-isolierend 4 Zoll 4H Wafer sic Halb-isolierend 6 Zoll 4H Wafer sic Halb-isolierend |
|
N-artige sic Oblate 6H
2 N-artiger sic Wafer/Barren des Zoll 6H |
Customzied-Größe für 2-6inch
|
1. Sind Sie Handelsgesellschaft oder Hersteller?
: Wir sind Geschäftsfirma, aber wir haben eigene Fabrik, die Fokus auf Saphir und sic Oblaten ist.