Name: 10 x 10 x 0.5mm Silikon-Karbid-Oblate 4H - N sic Crystal Chips
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: 10x10x0.5mmt
Price: 1,300.00 USD
Availability: InStock

Markenbezeichnung:	ZMKJ
Modellnummer:	10x10x0.5mmt
MOQ:	5pcs
Preis:	by case
Verpackungsdetails:	einzelnes Oblatenpaket im Reinigungsraum mit 100 Graden
Zahlungsbedingungen:	T/T, Western Union, MoneyGram

Ausführliche Information

Produkt-Beschreibung

Ausführliche Information

Herkunftsort:

China

Material:

Sic einzelne Kristall-Art 4H-N

Grad:

Blindes /Production/Forschungsgrad

Thicnkss:

0.5mm

Suraface:

Poliert

Anwendung:

Tragfähigkeitsprüfung

Durchmesser:

10x10x0.5mmt

Farbe:

Teegrün

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

1-50pcs/month

Hervorheben:

Silikon-Karbid-Oblate 10x10x0.5mm

Sic Chips Silicon Carbide Wafer

Sic Oblaten-Fenster-Stück

Produkt-Beschreibung

Einzelne (sic) wie-geschnittene sic der Oblaten Barren Customzied size/10x10x0.5mmt/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC/des Silikonkarbids Durchmessers 150mm des hohen Reinheitsgrades 4H-N 4inch 6inch der Substrate wafersS/Customzied des Kristalles Fenster sic/Linse/Gläser

Über Silikon-Karbid-(sic) Kristall

Silikonkarbid (sic), alias Karborundum, ist ein Halbleiter, der sic Silikon und Kohlenstoff mit chemischer Formel enthält. Sic wird in den Halbleiterelektronikgeräten verwendet, die bei hohen Temperaturen oder hohe Spannungen funktionieren, oder both.SiC ist auch eine der wichtigen LED-Komponenten, ist es ein populäres Substrat für das Wachsen von GaN-Geräten, und es dient auch als Hitzespreizer in starker LED.

1. Beschreibung

Eigentum	4H-SiC, einzelner Kristall	6H-SiC, einzelner Kristall
Gitter-Parameter	a=3.076 Å c=10.053 Å	a=3.073 Å c=15.117 Å
Stapeln von Reihenfolge	ABCB	ABCACB
Mohs-Härte	≈9.2	≈9.2
Dichte	3,21 g/cm3	3,21 g/cm3
Therm. Expansions-Koeffizient	4-5×10-6/K	4-5×10-6/K
Brechungs-Index @750nm	keine = 2,61 Ne = 2,66	keine = 2,60 Ne = 2,65
Dielektrizitätskonstante	c~9.66	c~9.66
(N-artiges, 0,02 ohm.cm) der Wärmeleitfähigkeit	a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K
Wärmeleitfähigkeit (Halb-Isolieren)	a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K	a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K
Bandlücke	eV 3,23	eV 3,02
Zusammenbruch-elektrisches Feld	3-5×106V/cm	3-5×106V/cm
Sättigungs-Driftgeschwindigkeit	2.0×105m/s	2.0×105m/s

Silikon-Karbid-(sic) Substrat-Spezifikation Durchmesser des hohen Reinheitsgrades 4inch

KATALOG ALLGEMEINE GRÖSSE

4 H-N Type/Oblate/Barren des hohen Reinheitsgrades sic 2 N-artiger sic Wafer/Barren des Zoll 4H 3 N-artiger sic Wafer des Zoll 4H 4 N-artiger sic Wafer/Barren des Zoll 4H 6 N-artiger sic Wafer/Barren des Zoll 4H	sic Halb-isolierendes 4H/Oblate des hohen Reinheitsgrades 2 Zoll 4H Wafer sic Halb-isolierend 3 Zoll 4H Wafer sic Halb-isolierend 4 Zoll 4H Wafer sic Halb-isolierend 6 Zoll 4H Wafer sic Halb-isolierend
N-artige sic Oblate 6H 2 N-artiger sic Wafer/Barren des Zoll 6H	Customzied-Größe für 2-6inch

Über ZMKJ Company

ZMKJ kann zur Verfügung stellt Oblate des einzelnen Kristalles der hohen Qualität sic (Silikon-Karbid) zur elektronischen und optoelektronischen Industrie. Sic ist Oblate ein Halbleitermaterial der nächsten Generation, mit einzigartigen elektrischen Eigenschaften und die ausgezeichneten thermischen Eigenschaften, verglichen mit Siliziumscheibe und GaAs-Oblate, sic Oblate ist für Gerätanwendung der hohen Temperatur und der hohen Leistung passender. Sic kann Wafer im Zoll des Durchmessers 2-6 sic geliefert werden, 4H und 6H, N-artiges, der Stickstoff, der lackiert werden, und die halb-isolierende verfügbare Art. Treten Sie mit uns bitte für mehr Produktinformation in Verbindung.

Unsere Beziehungs-Produkte
Kristallsic Oblaten Saphir wafer& Linse LiTaO3 LaAlO3/SrTiO3/Oblaten Ruby Ball

10 x 10 x 0.5mm Silikon-Karbid-Oblate 4H - N sic Crystal Chips 2

10 x 10 x 0.5mm Silikon-Karbid-Oblate 4H - N sic Crystal Chips 3

Tags:

Saphirsubstrat

Saphir optisches Windows

Silikon-Karbid-Oblate

Sapphire Tube

Gallium-Nitrid-Oblate

Halbleiter-Substrat

Synthetischer Gem Stone

Teile aus Keramik

wissenschaftliche Laborausrüstung

Saphir-Kristall-Uhrgehäuse

Oblaten-Fördermaschinen-Kasten

Supraleitendes dünnes monokristallines Substrat