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Grad Oblate 4H-N 8Inch 200mm sic leitfähiger blinder N-artige Forschung
Produktdetails:
| Herkunftsort: | China |
| Markenname: | ZMKJ |
| Modellnummer: | Oblaten Durchmessers 8inch sic |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 1pcs |
|---|---|
| Preis: | by case |
| Verpackung Informationen: | Multi-Oblate Kassetten-oder Sincle-Oblaten-Behälter |
| Lieferzeit: | 1-3weeks |
| Zahlungsbedingungen: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 1000pcs pro Monat |
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Detailinformationen |
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| Material: | Silikonkarbidoblate | Stärke: | 3mm (andere Stärke okay) |
|---|---|---|---|
| Oberfläche: | DSP | TTV: | <15um |
| Bogen: | <20um | Kette: | <30um |
| Paket: | Reinigungsraum mit 100 Graden durch Vakuumverpackung | Fertigen Sie besonders an: | Annehmbar |
| Stärke tolerannce: | 350±15um | Form: | Runde Form |
| Art: | 4H-N/4H-Si | ||
| Markieren: | Leitfähige blinde Grad-sic Oblate,200mm Silikon-Karbid-Oblate,N-Art sic Oblate |
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Produkt-Beschreibung
Hoher Reinheitsgrad 4 monokristalline doppelte Seite 6 8 eine leitfähige halb Isolierung des Zoll sic einzelne Kristall-Zoll-wafer/8 (200mm) polierte sic die blinden/Forschung/Hauptgrad Wafer-/des Silikon-Karbid-Wafer-2/3/4/6/8-Inch sic Wafers
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Produkt-Name
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SIC
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Polytype
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4H
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Oberflächenorientierungsaufachse
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0001
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Oberflächenorientierungsausachse
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0± 0.2°
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FWHM
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≤45arcsec
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Art
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HPSI
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Widerstandskraft
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≥1E9ohm·cm
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Durchmesser
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99.5~100mm
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Stärke
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500±25μm
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Flache hauptsächlichorientierung
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[1-100] ± 5°
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Flache hauptsächlichlänge
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32.5± 1.5mm
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Flache zweitensposition
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90° CW vom flachen hauptsächlich± 5°, Silikon nach oben
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Flache zweitenslänge
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18± 1.5mm
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TTV
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≤5μm
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LTV
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≤2μm (5mm*5mm)
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Bogen
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-15μm~15μm
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Verzerrung
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≤20μm
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Front (AFM) (Si-Gesicht) Roughn
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Ra≤0.2nm (5μm*5μm)
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Micropipe-Dichte
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≤1ea/cm2
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Kohlenstoff-Dichte
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≤1ea/cm2
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Sechseckige Lücke
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Kein
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Metallverunreinigungen
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≤5E12atoms/cm2
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Front
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Si
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Oberflächenende
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Cmp-Si-Gesicht CMP
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Partikel
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size≥0.3μm)
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Kratzer
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≤Diameter (kumulative Länge)
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Orange Schale/Gruben/Flecke/Streifenbildungen/Sprünge/contaminati an
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Kein
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Randchips/Einzüge/Bruch/Hexenplatten
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Kein
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Polytype-Bereiche
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Kein
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Frontlaser-Markierung
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Kein
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Hinteres Ende
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C-Gesicht CMP
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Kratzer
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≤2*Diameter (kumulative Länge)
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Hintere Defekte (Randchips/-einzüge)
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Kein
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Hintere Rauheit
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Ra≤0.2nm (5μm*5μm)
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Hintere Laser-Markierung
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1mm (von der Oberkante)
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Rand
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Abschrägung
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Verpacken
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Die innere Tasche wird mit Stickstoff gefüllt und die äußere Tasche wird gestaubsogen.
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Verpacken
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Multi-Oblatenkassette, epi-bereit.
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Silikonkarbidoblate wird hauptsächlich in der Produktion von Schottky-Diode, von Metall-Oxidhalbleiter-Feldeffekttransistor, von Kreuzungsfeldeffekttransistor, von bipolar Transistor, von Thyristor, von Drehungs-wegthyristor und von Isolierschicht-bipola benutzt
Vervollkommnen Sie für microfluidics Anwendungen. Für Mikroelektronik oder MEMS-Anwendungen treten Sie mit uns bitte für ausführliche Spezifikt. in Verbindung.
Während Halbleiterbauelemente fortfahren zu schrumpfen, wird es in zunehmendem Maße wichtig für Oblaten, hohe Oberflächenbeschaffenheit auf ihrer Front und Rückseite zu haben. Z.Z. sind diese Oblaten in den microelectromechanical Systemen (MEMS), im Oblatenabbinden, im Silikon auf Herstellung des Isolators (SOI) und in den Anwendungen mit festen Flachheitsanforderungen am allgemeinsten. Mikroelektronik bestätigt die Entwicklung der Halbleiterindustrie und wird am Finden von langfristigen Lösungen für alle Kundenanforderungen festgelegt.
Großer Vorrat an doppelter Seite polierte Oblaten in allen Oblatendurchmessern, die von 100mm bis 300mm reichen. Wenn Ihre Spezifikation nicht in unserem Inventar verfügbar ist, haben wir langfristige Verhältnisse zu den zahlreichen Verkäufern aufgebaut, die zu den kundenspezifischen Herstellungsoblaten fähig sind, alle einzigartigen Spezifikationen zu passen. Doppelte Seite polierte Oblaten sind verfügbar im Silikon, in Glas und in anderen Materialien, die in der Halbleiterindustrie allgemein verwendet sind.
Das kundengebundene Würfeln und das Polieren ist auch entsprechend Ihren Anforderungen verfügbar.
Produktdetail:
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