• 4H-N HPSI 100um Siliziumkarbid Abrasivpulver für das Wachstum von SIC-Kristallen
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4H-N HPSI 100um Siliziumkarbid Abrasivpulver für das Wachstum von SIC-Kristallen

4H-N HPSI 100um Siliziumkarbid Abrasivpulver für das Wachstum von SIC-Kristallen

Produktdetails:

Herkunftsort: China
Markenname: ZMSH
Modellnummer: Silikonpulver mit hoher Reinheit

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 10 kg
Preis: by case
Verpackung Informationen: einzelnes Oblatenpaket im Reinigungsraum mit 100 Graden
Lieferzeit: 2-4weeks
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1-50pcs/month
Bestpreis Kontakt

Detailinformationen

Material: Silikonpulver mit hoher Reinheit Reinheit: 99,9995%
Korngröße: 20 bis 100 mm Anwendung: für 4h-n sic Kristallwachstum
Typ: 4h-n Widerstand: 0.015·0.028·Ω
Farbe: grüner Tee Paket: 5KG/Beutel
Hervorheben:

4H-N Siliziumkarbid Abrasivpulver

,

100um Siliziumkarbid Abrasivpulver

,

HPSI Siliziumkarbid Abrasivpulver

Produkt-Beschreibung

hoher Reinheit 99,9995% Sic-Pulver für 4H-N und undoppiertes Wachstum von 4H-Semi-Sic-Kristallen

 

Beschreibung des Produkts

Kohlenstoffsilizium (SiC) Pulver ist ein hochleistungsfähiges keramisches Material mit außergewöhnlichen physikalischen, chemischen und thermischen Eigenschaften.Es wird aufgrund seiner hervorragenden Eigenschaften in einer Vielzahl von industriellen und technologischen Anwendungen eingesetzt.

 

Sic-Pulverhat folgende Eigenschaften:

Härte und Verschleißfestigkeit
Wärmestabilität
Chemische Trägheit
Wärmeleitfähigkeit
Elektrische Eigenschaften

javascript:void(0)4H-N HPSI 100um Siliziumkarbid Abrasivpulver für das Wachstum von SIC-Kristallen 1

Anwendungen von Sic-Pulver:

Kohlenstoffsiliciumpulver wird in einer Vielzahl von Industriezweigen verwendet, darunter:

Schleifmittel und Poliermittel
Schneidwerkzeuge und verschleißfeste Bauteile
Feuerfeste Materialien und Ofenverkleidungen
Halbleiter und elektronische Geräte
Wärmemanagementsysteme
Struktur- und Hochtemperaturkeramik

4H-N HPSI 100um Siliziumkarbid Abrasivpulver für das Wachstum von SIC-Kristallen 2

 

Eigenschaften Einheit Silizium SiC GaN
Bandbreite eV 1.12 3.26 3.41
Aufschlüsselungsfeld MV/cm 0.23 2.2 3.3
Elektronenmobilität cm^2/Vs 1400 950 1500
Drift-Valocity 10^7 cm/s 1 2.7 2.5
Wärmeleitfähigkeit W/cmK 1.5 3.8

 

1.3
 

 

Unser Unternehmen bietet eine Reihe von hochwertigen SiC-Pulverprodukten mit maßgeschneiderten Partikelgrößenverteilungen, Reinheitsniveaus und kundenspezifischen Spezifikationen, um die vielfältigen Bedürfnisse unserer Kunden zu erfüllen.

 

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Häufige Fragen:

F: Wie ist der Versand und die Kosten?

A:(1) Wir akzeptieren DHL, Fedex, EMS usw.

(2) Es ist in Ordnung, wenn Sie ein eigenes Expresskonto haben, wenn nicht, können wir Ihnen helfen, sie zu versenden und
Die Fracht entspricht der tatsächlichen Rechnung.

  1. F: Wie zahlen?
    A: T/T 100% Anzahlung vor Lieferung.
    F: Haben Sie Standardprodukte?
    A: Unsere Standardprodukte sind auf Lager.
  2. F: Haben Sie einen Inspektionsbericht für das Material?
    A: Wir können ROHS-Bericht und Reach-Bericht für unsere Produkte liefern.

 

 

 

 

 

 

Möchten Sie mehr über dieses Produkt erfahren?
Ich bin daran interessiert 4H-N HPSI 100um Siliziumkarbid Abrasivpulver für das Wachstum von SIC-Kristallen Könnten Sie mir weitere Details wie Typ, Größe, Menge, Material usw. senden?
Vielen Dank!
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