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Detailinformationen |
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| Material: | Siliziumkarbid | Oberflächenbearbeitung: | Einzelnes/doppeltes Seiten poliert |
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| Orientierung: | Auf-Achse/Aus-Achse | Oberflächenrauheit: | ≤1.2nm |
| Durchmesser: | 50.8mm±0.38mm | EPD: | ≤ 1E10/cm2 |
| Widerstand: | Hoch- niedrige Widerstandskraft | Stärke: | 330 mm±25 mm |
| Hervorheben: | 2 Zoll Silikonkarbid Wafer,Hersteller von doppelseitigen Siliziumkarbidwafern,6H Siliziumkarbid Wafer |
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Produkt-Beschreibung
6H Siliziumkarbid Wafer doppelseitig poliert 2 Zoll Durchmesser TTV Bow Warp <0001>
Beschreibung des Produkts:
Es gibt viele verschiedene Polymorphen von Siliziumcarbid und 6H Siliziumcarbid ist eine von fast 200 Polymorphen.6H-Silikonkarbid ist bei weitem die am häufigsten verwendeten Modifikationen von Silikonkarbid für kommerzielle Zwecke6H-Karbid-Wafer sind von größter Bedeutung, sie können als Halbleiter verwendet werden.Es wird aufgrund seiner Langlebigkeit und der niedrigen Materialkosten in Schleif- und Schneidwerkzeugen wie Schnittscheiben weit verbreitet. Es wird in modernen Verbundschutzkörpern und kugelsicheren Westen verwendet. Es wird auch in der Automobilindustrie verwendet, wo es zur Herstellung von Bremsscheiben verwendet wird.Es wird verwendet, um schmelzende Metalle in Schmelztiegel zu haltenDie Verwendung in elektrischen und elektronischen Anwendungen ist so bekannt, dass sie keine Debatte erfordert.SchmuckWir bieten 6H Siliziumkarbid-Wafer mit unvergleichlicher Qualität und erstaunlichen 99,99%.
| Produktbezeichnung | Silikonkarbid-Substrat, Silikonkarbid-Wafer, SiC-Wafer, SiC-Substrat |
| Kristallstruktur | 6H |
| Gitterparameter | 6H ((a=3,073 Å c=15,117 Å), |
| Abfolge der Stapelung | 6H: ABCACB, |
| Zulassung | Produktions- und Forschungsqualität, Dummyqualität |
| Leitungstyp | N-Typ oder halbisolierend |
| Band-Gap | 3.23 eV |
| Härte | 9.2 (Mohs) |
| Wärmeleitfähigkeit @300K | 3.2 bis 4.9 W/cm.K |
| Dielektrische Konstanten | Das ist ein sehr schwieriges Problem.33 |
| Widerstand | 6H-SiC-N: 0,02 ~ 0,1 Ω·cm,6H-SiC-SI: > 1E7 Ω·cm |
Charakter:
1Die Wafer aus Siliziumcarbid (SiC) hat hervorragende elektrische Eigenschaften und hervorragende thermische Eigenschaften.
2Die Wafer aus Siliziumcarbid (SiC) weist überlegene Härte-Eigenschaften auf.
3Siliziumcarbid (SiC) Wafer hat eine hohe Beständigkeit gegen Korrosion, Erosion und Oxidation.
Anwendungen:
SiC wird für die Herstellung von sehr Hochspannungs- und Hochleistungsgeräten wie Dioden, Leistungstransistoren und Hochleistungs-Mikrowellengeräten verwendet.SiC-basierte Stromversorgungsgeräte haben eine schnellere Schaltgeschwindigkeit, höhere Spannungen, geringere Parasitenbeständigkeit, kleinere Größe, weniger Kühlung aufgrund der hohen Temperaturfähigkeit.
Während Siliziumkarbid (SiC-6H) - 6H-Wafer überlegene elektronische Eigenschaften aufweist, ist Siliziumkarbid (SiC-6H) 6H-Wafer am einfachsten zubereitet und am besten untersucht.
- Power-Elektronik: Silikonkarbid-Wafer werden bei der Herstellung von Power-Elektronik verwendet, die in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet werden, einschließlich Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energiesystemen,und IndustrieanlagenDie hohe Wärmeleitfähigkeit und der geringe Leistungsverlust von Siliziumkarbid machen es zu einem idealen Material für diese Anwendungen.
- LED-Beleuchtung: Bei der Herstellung von LED-Beleuchtung werden Siliziumkarbidwafer verwendet.Die hohe Festigkeit von Siliziumkarbid ermöglicht es, LEDs herzustellen, die haltbarer und langlebiger sind als herkömmliche Beleuchtungsquellen.
- Halbleitergeräte: Silikonkarbidwafer werden bei der Herstellung von Halbleitergeräten verwendet, die in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden, einschließlich Telekommunikation, Computing,und UnterhaltungselektronikDie hohe Wärmeleitfähigkeit und der geringe Leistungsverlust von Siliziumkarbid machen es zu einem idealen Material für diese Anwendungen.
- Solarzellen: Bei der Herstellung von Solarzellen werden Siliziumkarbidwafer verwendet.Die hohe Festigkeit von Siliziumkarbid ermöglicht die Herstellung von Solarzellen, die haltbarer und langlebiger sind als herkömmliche Solarzellen.
Insgesamt ist die ZMSH Silicon Carbide Wafer ein vielseitiges und hochwertiges Produkt, das in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet werden kann.und hohe Festigkeit machen es zu einem idealen Material für hochtechnologische und leistungsstarke elektronische Geräte. mit einem Bogen/Warn von ≤ 50um, einer Oberflächenrauheit von ≤ 1,2 nm und einer Widerstandsfähigkeit von hoher/niedriger Widerstandsfähigkeit,die Silicon Carbide Wafer ist eine zuverlässige und effiziente Wahl für jede Anwendung, die eine flache und glatte Oberfläche erfordert.
Häufige Fragen:
F: Welche Modellnummer hat dieses Produkt?
A: Die Modellnummer dieses Produkts ist Silicon Carbide.
F: Woher kommt dieses Produkt?
A: Dieses Produkt stammt aus China.
F: Was ist der Unterschied zwischen Silizium und SiC?
A: Silizium hat eine Abbruchspannung von etwa 600V, aber SiC-basierte Geräte können Spannungen von bis zu zehnmal höheren Widerstand leisten.Breitere Bandgap-Materialien können auch viel höhere Temperaturen aushalten.
F: Ist SiC ein Halbleiter?
A: Siliziumkarbid ist ein Halbleiter, der sich hervorragend für Stromanwendungen eignet, vor allem aufgrund seiner Fähigkeit, hohen Spannungen standzuhalten, die bis zu zehnmal höher sind als die mit Silizium verwendbaren Spannungen.
Anpassung:
ZMSH bietet Produktanpassungsdienste für unsere Silicon Carbide Wafer. Unsere Wafer werden mit hochwertiger Siliziumcarbid-Schicht hergestellt, die aus China stammt und Haltbarkeit und Zuverlässigkeit gewährleistet.Kunden können aus unserer Auswahl an Wafergrößen und Spezifikationen wählen, um ihren spezifischen Bedürfnissen gerecht zu werden.
Unsere Silicon Carbide Wafer gibt es in verschiedenen Modellen und Größen, mit der Modellnummer Silicon Carbide.
Wir bieten eine Reihe von Oberflächenveredelungen, einschließlich Single/Double Side Polished, mit einer Oberflächenrauheit von ≤1,2 nm und einer Flachheit von Lambda/10.die nach Ihren Anforderungen angepasst werden kannUnsere EPD beträgt ≤1E10/cm2, was sicherstellt, dass unsere Wafer den höchsten Industriestandards entsprechen.