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Detailinformationen |
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| PL Wavelength control: | Better than 3nm | PL Wavelength uniformity: | Std.Dev better than 1nm @inner 42mm |
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| Thickness control: | Better than +3% | Thickness uniformity: | Better than +3% @inner 42mm |
| Doping control: | Better than ±10% | P-InP doping (cm-°): | Zn doped: 5e17 to 2e18 |
| N-inP doping (cm 3): | Si doped: 5e17 to 3e18 | AllnGaAs doping (cmr3): | 1e17 to 2e18 |
| Hervorheben: | 6 Zoll Dicke Epiwafer InP Substrat,350-650um InP-Substrat,6 Zoll InP-Substrat |
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Produkt-Beschreibung
FP ((Fabry-Perot)) Epiwafer InP Substrat di 2 3 4 6 Zoll Dicke:350-650um InGaAs doping
FP ((Fabry-Perot)) Abstrakt des Epiwafer-InP-Substrats
Fabry-Perot (FP) Epiwafer auf Indium-Phosphid (InP) Substraten ist eine kritische Komponente bei der Herstellung von Hochleistungs-optoelektronischen Geräten,vor allem Laserdioden, die in optischen Kommunikationssystemen verwendet werdenDas InP-Substrat bietet eine ausgezeichnete Gitterverknüpfung mit Materialien wie InGaAsP und ermöglicht das Wachstum hochwertiger epitaxialer Schichten.55 μm Wellenlängenbereich, die sie aufgrund der geringverlustreichen Eigenschaften der optischen Fasern in diesem Spektrum für die Glasfaserkommunikation ideal machen.sind weit verbreitet in Rechenzentrumsverbindungen, Umwelterkennung und medizinische Diagnostik, die kostengünstige Lösungen mit guter Leistung bieten.Die einfachere Struktur von FP-Lasern im Vergleich zu komplexeren Designs wie DFB-Lasern (Distributed Feedback) macht sie zu einer beliebten Wahl für Kommunikationsanwendungen mit mittlerer ReichweiteDie in-P-basierten FP-Epiwafer sind in Industriezweigen, in denen schnelle und zuverlässige optische Komponenten erforderlich sind, unerlässlich.
FP ((Fabry-Perot)) Epiwafer InP-Substrat-Vitrine
FP ((Fabry-Perot)) Datenblatt des Epiwafer-InP-Substrats
FP ((Fabry-Perot)) Struktur des Epiwafer-InP-Substrats
- InP Substrat (Basis)
- Buffer-Schicht (Oberflächenglättung)
- Aktivregion (Quantenbrunnen)
- Verkleidungsschichten (optische Einschließung)
- P- und N-Schichten (Trägerinspritzung)
- Kontaktschichten (elektrische Kontakte)
- Reflektierende Facetten (FP-Laserhöhle)
Fabry-Perot (FP) Epiwafer auf Indium-Phosphid-Substraten (InP) werden aufgrund ihrer effizienten Lichtemissions-Eigenschaften in verschiedenen optoelektronischen Anwendungen weit verbreitet, insbesondere in der 1.3 μm bis 1.55 μm Wellenlänge.
1.Glasfaserkommunikation
- Laserdioden: FP-Laser werden häufig als Lichtquellen in Glasfaserkommunikationssystemen eingesetzt, insbesondere für die Datenübertragung in kurzer bis mittlerer Reichweite.mit einer Breite von mehr als 20 mm, jedoch nicht mehr als 30 mm,.
- Transceiver und optische Module: FP-Lasern, die in optische Transceiver integriert sind, ermöglichen die Umwandlung elektrischer Signale in optische Signale für die Datenübertragung über Glasfasernetzwerke.
2.Verbindungen zwischen Rechenzentren
- Hochgeschwindigkeitsverbindung: FP-Laser in Rechenzentren ermöglichen schnelle, niedrig latente optische Verbindungen zwischen Servern und Netzwerkgeräten und helfen bei der Verwaltung großer Datenmengen mit minimalem Signalverlust.
3.Umweltmessung und Gaserkennung
- Gassensoren: FP-Laser werden in Gasmesssystemen eingesetzt, um spezifische Gase wie CO2 und CH4 zu erkennen, indem sie auf die Absorptionswellenlängen dieser Gase abgestimmt werden.Diese Systeme werden für Umweltüberwachung und industrielle Sicherheitsanwendungen eingesetzt.
4.Medizinische Diagnostik
- Optische Kohärenz-Tomographie (OCT): FP-Laser werden in OCT-Systemen zur nicht-invasiven medizinischen Bildgebung, insbesondere in der Ophthalmologie, Dermatologie und Herz-Kreislauf-Diagnostik, eingesetzt.Diese Systeme nutzen die hohe Geschwindigkeit und Präzision von FP-Lasern für detaillierte Gewebebildgebung.
5.LIDAR-Systeme
- Autonome Fahrzeuge und Kartierung: FP-Laser werden in LIDAR-Systemen (Lichtdetektion und -Abmessung) für Anwendungen wie autonomes Fahren, 3D-Mapping und Umweltscannen eingesetzt.bei denen hochauflösende Entfernungsmessungen unerlässlich sind.
6.Photonische integrierte Schaltungen (PIC)
- Integrierte Photonik: FP Epiwafer sind grundlegende Materialien für die Entwicklung von photonischen integrierten Schaltungen, die mehrere photonische Geräte (z. B. Laser,mit einer Leistung von mehr als 20 W und einer Leistung von mehr als 20 W,.
7.Satellitenkommunikation und Luftfahrt
- Hochfrequente Kommunikation: In-P-basierte FP-Laser werden in Satellitenkommunikationssystemen zur Fernübertragung von Hochfrequenzdaten im Weltraum und in der Luftfahrt eingesetzt.
8.Forschung und Entwicklung
- Prototypenbau und Tests: FP Epiwafer werden in der Forschung und Entwicklung zur Entwicklung neuer optoelektronischer Geräte, zur Verbesserung der Leistung von Laserdioden und zur Erforschung neuer Wellenlängen für neue Technologien eingesetzt.
Diese Anwendungen unterstreichen die Vielseitigkeit von FP Epiwafers auf InP-Substraten, die effiziente und kostengünstige Lösungen in Bereichen wie Telekommunikation, medizinische Diagnostik,Umwelterkennung, und Hochgeschwindigkeitsoptische Systeme.
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Effiziente Lichtemission in Schlüsselwellenlängen:
- FP-Epiwafer auf InP-Substraten sind für die Emission im Wellenlängenbereich von 1,3 μm bis 1,55 μm optimiert, was mit den Übertragungsfenstern mit geringem Verlust in optischen Fasern übereinstimmt.Sie sind ideal für Glasfaserkommunikation geeignet..
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Hochgeschwindigkeitsleistung:
- InP-Substrate weisen eine ausgezeichnete Elektronenmobilität auf, die es den FP-Lasern ermöglicht, einen Hochgeschwindigkeitsbetrieb zu erreichen und eine Hochfrequenzdatenübertragung zu unterstützen.Dies macht sie für Anwendungen mit hoher Bandbreite wie Rechenzentren und Telekommunikation geeignet.
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Kostenwirksame Fertigung:
- Im Vergleich zu komplexeren Laserstrukturen wie Distributed Feedback (DFB) -Lasern haben FP-Lasern ein einfacheres Design.Dies führt zu niedrigeren Produktionskosten und bietet gleichzeitig eine gute Leistung für Anwendungen mit kurzer bis mittlerer Reichweite.
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Vielseitige Anwendungen:
- FP-Epiwafer werden in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, von Glasfaserkommunikation und Rechenzentrumsverbindungen bis hin zu Umweltsensoren, medizinischer Diagnostik (OCT) und LIDAR-Systemen.Ihre Vielseitigkeit ist ein großer Vorteil für alle Branchen.
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Einfacherer Herstellungsprozess:
- FP-Laser sind im Vergleich zu anderen Laserarten, wie DFB-Laser, leichter herzustellen, da sie auf natürlich reflektierende Spaltflächen und nicht auf komplexe Gitter angewiesen sind.Verringerung der Komplexität und der Kosten der Herstellung.
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Gute Wellenlängenflexibilität:
- FP-Laser können über eine Reihe von Wellenlängen hinweg eingestellt werden, indem der Strom oder die Temperatur angepasst werden, was für verschiedene Anwendungen, insbesondere in Sensorik- und Kommunikationssystemen, Flexibilität bietet.
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Niedriger Stromverbrauch:
- FP-Laser auf Basis von InP-Epiwafern haben tendenziell einen geringeren Stromverbrauch, was sie für groß angelegte Einsätze in Datenkommunikations- und Sensornetzen, in denen die Leistungseffizienz von entscheidender Bedeutung ist, effizient macht.