• Hochwertige SiC-Wafer 2/3/4/6/8 Zoll 4H-N Typ Z/P/D/R
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Hochwertige SiC-Wafer 2/3/4/6/8 Zoll 4H-N Typ Z/P/D/R

Hochwertige SiC-Wafer 2/3/4/6/8 Zoll 4H-N Typ Z/P/D/R

Produktdetails:

Herkunftsort: China
Markenname: ZMSH
Modellnummer: SiC-Wafer 2/3/4/6/8 Zoll 4H-N-Typ Produktion Dummy Forschungsgrad

Zahlung und Versand AGB:

Lieferzeit: 2-4 Wochen
Zahlungsbedingungen: T/T
Bestpreis Kontakt

Detailinformationen

Material: SIC Durchmesser: 2/3/4/6/8 Zoll
Typ: 4H-N/3C/4H-SI/6H-N/6H-SI/HPSI Polnisch: DSP/SSP
Hervorheben:

SiC-Wafer ohne Doppelung

,

SiC-Wafer des Typs 4H-N

,

8 Zoll SiC-Wafer

Produkt-Beschreibung

SiC-Wafer 8 Zoll 4H-N Typ DSP/SSP <0001> 200mm Null-Prime Dummy Forschungsgrad Hochwertig Undoped

 

1. Abstrakt

 

Unsere hochwertigen SiC-Wafer 8 Zoll 4H-N Typ DSP/SSP <0001> 200mm Zero Prime Dummy Forschungsgrad Undoped,sind in Größen von 2 bis 8 Zoll erhältlich, insbesondere für 8' Durchmesser,Wir sind einer der wenigen Hersteller. mit einer Breite von mehr als 20 mm,Wir konzentrieren uns auf die Produktion von hoher Qualität für unsere Kunden.

 


 

2. Produkt- und Firmenbeschreibung

 

2.1 Produktbeschreibung:

Unserehochwertige SiC-Wafer 8 Zoll 4H-N Typ DSP/SSP <0001> 200mm Zero Prime Dummy Forschungsgrad Undopedsind speziell für hochmoderne Halbleiteranwendungen konzipiert. Diese Wafer weisen hervorragende elektrische und thermische Eigenschaften auf, die sie für Leistungselektronik, HF-Geräte,und Hochtemperaturumgebungen.

 

2.2 Unternehmensbeschreibung:

Unsere Firma (ZMSH)Die Kommission hat sich seit Jahren auf das Saphirfeld konzentriert.über 10 Jahre, mit professionellen Fabrik- und Vertriebsteams. Wir haben viel Erfahrung inangepasste Produkte. Wir übernehmen auch maßgeschneiderte Design und können OEM sein.ZMSHwird die beste Wahl sein, wenn man Preis und Qualität betrachtet.Sprechen Sie ruhig mit!

 


 

3. Anwendungen

 

Eröffnen Sie das Potenzial Ihrer Forschungs- und Entwicklungsprojekte mitUnsere SiC-Wafer 8 Zoll 4H-N Typ DSP/SSP <0001> 200mm Null-Prime Dummy Forschungsgrad Hochwertig UndopedMit einer Bandbreite von etwa 3,3 eV ermöglichen diese Wafer Hochspannungs- und Hochfrequenzoperationen. Sie sind ideal für die Herstellung von Geräten wie MOSFETs, Schottky-Dioden und Laserdioden,Damit wird die Effizienz und Zuverlässigkeit bei strengen Anwendungen verbessert..

  • Lasern: SiC-Substrate ermöglichen die Herstellung leistungsstarker Laserdioden, die in den UV- und Blaulichtregionen effizient arbeiten.Ihre hervorragende Wärmeleitfähigkeit und Haltbarkeit machen sie ideal für Anwendungen, bei denen eine zuverlässige Leistung unter extremen Bedingungen erforderlich ist.
  • Verbraucherelektronik: SiC-Substrate verbessern die Leistungsmanagement-ICs und ermöglichen eine effizientere Energieumwandlung und eine längere Akkulaufzeit.Ermöglicht kleinere und leichtere Ladegeräte bei gleichzeitig hoher Leistung.
  • Batterien für Elektrofahrzeuge: SiC-Substrate verbessern die Energieeffizienz und erweitern die Reichweite. Ihre Anwendung in der Schnellladeinfrastruktur unterstützt schnellere Ladezeiten und erhöht den Komfort für EV-Benutzer.

 

Hochwertige SiC-Wafer 2/3/4/6/8 Zoll 4H-N Typ Z/P/D/R 0

 


 

4Produktanzeige - ZMSH

 

Hochwertige SiC-Wafer 2/3/4/6/8 Zoll 4H-N Typ Z/P/D/R 1

 


 

5. SiC-Wafer-Spezifikationen

 

Hochwertige SiC-Wafer 2/3/4/6/8 Zoll 4H-N Typ Z/P/D/R 2

 


 

6Häufige Fragen

 

6.1 Q:In welcher Größe können wir SiC-Wafer produzieren?

A: Wir sind besonders in der Lage, 8-Zoll-Substrate zu produzieren.Andere individuelle Größen können auch auf der Grundlage spezifischer Anwendungsvoraussetzungen erhältlich sein.

 

6.2 Q:Welche Branchen profitieren von diesen Wafern?

A: Zu den wichtigsten Branchen gehören Automobilindustrie, Telekommunikation, Luft- und Raumfahrt sowie erneuerbare Energien.

 

6.3 Q:Kann ich meine SiC-Waffeln personalisieren lassen?

A: Sicher! Wir produzieren seit mehr als 10 Jahren kundenspezifische Produkte. Bitte teilen Sie Ihre Anforderungen mit uns.

 


 

7Wir bieten mehr Halbleitermaterialien an.

 

Wir verarbeiten auch SiC-HPSI-Wafer, Saphir-Substrate und weitere Halbleitermaterialien.

 

Hochwertige SiC-Wafer 2/3/4/6/8 Zoll 4H-N Typ Z/P/D/R 3Hochwertige SiC-Wafer 2/3/4/6/8 Zoll 4H-N Typ Z/P/D/R 4

 

Tag:SiC Wafer, SiC Substrat, Halbleitermaterialien.

Möchten Sie mehr über dieses Produkt erfahren?
Ich bin daran interessiert Hochwertige SiC-Wafer 2/3/4/6/8 Zoll 4H-N Typ Z/P/D/R Könnten Sie mir weitere Details wie Typ, Größe, Menge, Material usw. senden?
Vielen Dank!
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