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Quarzwafer Quarzwafer 2", 3", 4", 6", 8", 12" SiO₂ Halbleiter Optisch
Produktdetails:
| Herkunftsort: | China |
| Markenname: | ZMSH |
| Modellnummer: | Quarzwafer |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 25 |
|---|---|
| Preis: | 20USD |
| Verpackung Informationen: | für die Verpackung |
| Lieferzeit: | 2-4 Wochen |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | durch Fall |
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Detailinformationen |
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| Durchmesser (Zoll): | 3/4/6/8/12 | Innerer Übertragung: | >99,9% |
|---|---|---|---|
| Brechungsindex: | 1.474698 | Gesamtübertragbarkeit: | > 92% |
| TTV: | <3> | Flachheit: | <15> |
Produkt-Beschreibung
Quarz Wafer Quarz Wafer 2", 3", 4", 6", 8", 12" SiO2 Halbleiteroptik
Einführung der Quarzwafer
Quarzwafer werden aus kristallinem Siliziumdioxid (SiO2) hergestellt.
Quarzwafer weisen hervorragende Eigenschaften auf, wie hohe Wärmebeständigkeit, überlegene Lichtübertragung bei bestimmten Wellenlängen, chemische Trägheit und einen geringen Wärmeausdehnungskoeffizienten.Diese Eigenschaften machen sie sehr geeignet für Anwendungen, die eine Stabilität bei extremen Temperaturen erfordern, Widerstandsfähigkeit gegen heftige Chemikalien und Transparenz in bestimmten Spektralbereichen.
In Industriezweigen wie der Halbleiterherstellung, der Optik und MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems)Quarzwafer werden aufgrund ihrer Fähigkeit, hohen Temperaturen ohne Verformung oder Abbau standzuhalten, weit verbreitetSie dienen als Substrate für Dünnschichtdeposition, Mikrostruktur-Etsch oder zur Herstellung von Präzisionskomponenten, die eine hohe Maßgenauigkeit und thermische Stabilität erfordern.
Herstellungsprinzipmit einer Breite von nicht mehr als 20 mm
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Kristallwachstum
Quarzkugeln werden mit natürlichen oder synthetischen Samenkristallen durch hydrothermale oder Flammenfusion (Verneuil) -Methoden angebaut. -
Ingot-Schneiden
Zylindrische Ingots werden mit Diamantdrahtsägen in Wafer geschnitten, um eine gleichförmige Dicke und einen minimalen Schnittverlust sicherzustellen. -
Lappung und Polieren
Die Wafer werden geschliffen, geätzt und anschließend poliert, um eine spiegelglatte Oberfläche mit geringer Oberflächenrauheit zu erzielen (Ra < 1 nm für optische Wafer). -
Reinigung und Inspektion
Die Ultraschall- oder RCA-Reinigung entfernt Partikel und metallische Verunreinigungen.
Spezifikationen für Quarzwafer
| Quarz-Typ | 4 | 6 | 8 | 12 |
|---|---|---|---|---|
| Größe | ||||
| Durchmesser (in) | 4 | 6 | 8 | 12 |
| Stärke (mm) | 0.05 ¢2 | 0.255 | 0.3·5 | 0.4·5 |
| Durchmesser Toleranz (Zoll) | ±0.1 | ±0.1 | ±0.1 | ±0.1 |
| Ausgleich für die Dicke (mm) | Anpassbar | Anpassbar | Anpassbar | Anpassbar |
| Optische Eigenschaften | ||||
| Refraktionsindex @365 nm | 1.474698 | 1.474698 | 1.474698 | 1.474698 |
| Refraktionsindex @ 546,1 nm | 1.460243 | 1.460243 | 1.460243 | 1.460243 |
| Refraktionsindex @1014 nm | 1.450423 | 1.450423 | 1.450423 | 1.450423 |
| Innerer Übertragungsgrad (1250~1650 nm) | > 99,9% | > 99,9% | > 99,9% | > 99,9% |
| Gesamtübertragbarkeit (1250~1650 nm) | > 92% | > 92% | > 92% | > 92% |
| Qualität der Bearbeitung | ||||
| TTV (Gesamtdickenvariation, μm) | 3 | 3 | 3 | 3 |
| Flachheit (μm) | ≤ 15 | ≤ 15 | ≤ 15 | ≤ 15 |
| Oberflächenrauheit (nm) | ≤ 1 | ≤ 1 | ≤ 1 | ≤ 1 |
| Bogen (μm) | < 5 | < 5 | < 5 | < 5 |
| Körperliche Eigenschaften | ||||
| Dichte (g/cm3) | 2.20 | 2.20 | 2.20 | 2.20 |
| Young-Modul (GPa) | 74.20 | 74.20 | 74.20 | 74.20 |
| Mohs-Härte | 6 ¢ 7 | 6 ¢ 7 | 6 ¢ 7 | 6 ¢ 7 |
| Schermodul (GPa) | 31.22 | 31.22 | 31.22 | 31.22 |
| Poisson-Verhältnis | 0.17 | 0.17 | 0.17 | 0.17 |
| Druckfestigkeit (GPa) | 1.13 | 1.13 | 1.13 | 1.13 |
| Tensile Strength (MPa) | 49 | 49 | 49 | 49 |
| Dielektrische Konstante (1 MHz) | 3.75 | 3.75 | 3.75 | 3.75 |
| Thermische Eigenschaften | ||||
| Anspannungspunkt (1014,5 Pa·s) | 1000°C | 1000°C | 1000°C | 1000°C |
| Brennpunkt (1013 Pa·s) | 1160°C | 1160°C | 1160°C | 1160°C |
| Erweichungspunkt (107,6 Pa·s) | 1620°C | 1620°C | 1620°C | 1620°C |
Häufig gestellte Fragen zu Quarzwafern
1Was ist ein Quarzwafer?
Ein Quarzwafer ist eine dünne, flache Scheibe aus kristallinem Siliziumdioxid (SiO2), die typischerweise in Standard-Halbleitergrößen hergestellt wird (z. B. 2", 3", 4", 6", 8" oder 12").thermische Stabilität, und optische Transparenz, wird eine Quarzwafer als Substrat oder Träger in verschiedenen hochpräzisen Anwendungen wie Halbleiterfertigung, MEMS-Geräte, optische Systeme,und Vakuumverfahren.
2Was ist der Unterschied zwischen Quarz und Siliziumgel?
Quarz ist eine kristalline feste Form von Siliziumdioxid (SiO2), während Siliziumgel eine amorphe und poröse Form von SiO2 ist, die häufig als Trocknungsmittel zur Feuchtigkeitsabsorption verwendet wird.
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Quarzist hart, transparent und wird in elektronischen, optischen und industriellen Anwendungen verwendet.
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Silikogelerscheint als kleine Perlen oder Granulate und wird hauptsächlich zur Luftfeuchtigkeitskontrolle in Verpackungen, Elektronik und Lagerung verwendet.
3Wofür werden Quarzkristalle verwendet?
Quarzkristalle werden aufgrund ihrer piezoelektrischen Eigenschaften (sie erzeugen eine elektrische Ladung unter mechanischer Spannung) in Elektronik und Optik weit verbreitet.
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Oszillatoren und Frequenzsteuerungen(z. B. Quarzuhren, Uhren, Mikrocontroller)
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Optische Komponenten(z. B. Linsen, Wellenplatten, Fenster)
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Resonatoren und Filterin HF- und Kommunikationsgeräten
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Sensorenfür Druck, Beschleunigung oder Kraft
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Herstellung von Halbleiternals Substrate oder Prozessfenster
4Warum wird Quarz in Mikrochips verwendet?
Quarz wird in Anwendungen im Zusammenhang mit Mikrochips eingesetzt, da es folgende Funktionen bietet:
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Wärmestabilitätbei Hochtemperaturprozessen wie Diffusion und Glühen
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Elektrische Isolierungaufgrund seiner dielektrischen Eigenschaften
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Chemische Resistenzfür Säuren und Lösungsmittel zur Herstellung von Halbleitern
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Präzision der Abmessungenund geringe thermische Ausdehnung für eine zuverlässige Lithographie-Ausrichtung
Während Quarz selbst nicht als aktives Halbleitermaterial (wie Silizium) verwendet wird, spielt es eine wichtige unterstützende Rolle in der Herstellungsumgebung, insbesondere in Öfen, Kammern,und Fotomasken-Substrate.
