ProduktÜberblick

Auch 3C-SiCbekanntals kubisches Siliziumkarbid oder β-SiC ist ein wichtiger Polytyp von Siliziumkarbid. Anders als diehäufigVerwendet werden 4H-SiC und 6H-SiC, 3C-SiC hat eine kubische FormKristallStruktur und bietet hervorragende Halbleiter-, thermische,mechanischund chemischEigenschaften.

3C-SiC zeichnet sich durch eine große Bandlücke, eine hohe Wärmeleitfähigkeit und eine hohe Wärmeleitfähigkeit ausmechanischStärke, gute ChemikalieStabilitätUndvielversprechend elektronisch Eigenschaften. Es wird häufig in den Bereichen MEMS, Sensoren und Energie eingesetztGerätForschung, OptoelektronikGeräte, Photonik, Epitaxieforschung und HochtemperaturAnwendungen.

Zu den gängigen 3C-SiC-Produkten gehören 3C-SiC-Substrate, 3C-SiC auf Si-Wafern, 3C-SiC-Dünnfilme und kundenspezifische Epitaxiestrukturen. Unter diesen wird 3C-SiC auf Si häufig in der Forschung verwendetEntwicklungweil esvereintdie Materialvorteile von 3C-SiC mit den Kosten undVerfahrenKompatibilität von Siliziumsubstraten.

Materialeigenschaften

KubischKristallStruktur

3C-SiC ist der kubische Polytyp von Siliziumkarbid. Es istKristallDie Struktur unterscheidet sich von den hexagonalen Strukturen von 4H-SiC und 6H-SiC. Aufgrund dieser besonderen Struktur verfügt 3C-SiCeinzigartigVorteile in der EpitaxieWachstum, SchnittstelleEigenschaften,elektronischLeistung undGerätForschung.

GutElektronisch Eigenschaften

3C-SiC hatvielversprechend elektronisch Eigenschaftenund gilt als für Hochgeschwindigkeit geeignetelektronisch Geräte, hoch-Frequenz Geräteund MachtGerätForschung.

Hervorragende thermische Leistung

3C-SiC hat eine gute Wärmeleitfähigkeit und kann in verwendet werdenAnwendungen erfordernhohe ThermikStabilitätUndeffizientWärmeableitung, z. B. StromGeräte, RFGeräte, optoelektronischGeräteund Hochtemperatursensoren.

HochchemischStabilität

3C-SiC hat gute EigenschaftenWiderstandgegen Korrosion, Oxidation uswharschchemischUmgebungen. Es ist geeignet fürharsch-UmfeldSensoren, Hochtemperatur-MEMSGeräteund besondersindustriell Anwendungen.

GutMechanischStärke

3C-SiC hat eine hohe Härte, hochmechanischFestigkeit und gute AbnutzungWiderstand. Es kann für Mikro-mechanischStrukturen, Drucksensoren, Resonatoren, Cantilever-Strukturen und Dünnfilmmechanisch Geräte.

Kompatibelauf SiliziumbasisProzesse

3C-SiC kann auf Siliziumsubstraten gezüchtet werden, um 3C-SiC auf Si-Wafern zu bilden. Diese Struktur hilftreduzierenKosten und verbessert die Kompatibilität mitreifenHalbleiter auf SiliziumbasisProzesse, was es für MEMS, Sensoren und CMOS attraktiv macht.kompatibelForschung.

Produkttypen

3C-SiC-Substrat

3C-SiC-Substrate eignen sich für die Materialforschung, die Entwicklung von Leistungsgeräten, das epitaktische Wachstum, das Wärmemanagement und die Forschung an neuen Halbleitergeräten mit großer Bandlücke.

Zu den verfügbaren Optionen gehören:

• 3C-SiC-Substrat vom N-Typ
• Hochohmiges 3C-SiC-Substrat
• Halbisolierendes 3C-SiC-Substrat
• Einseitig polierter 3C-SiC-Wafer
• Doppelseitig polierter 3C-SiC-Wafer
• Maßgeschneiderte Größe, Dicke, Ausrichtung und spezifischer Widerstand

3C-SiC auf Si-Wafer

3C-SiC auf Si bezieht sich auf einen 3C-SiC-Film, der auf einem Siliziumsubstrat gewachsen ist. Dieses Produkt kombiniert den Kostenvorteil von Si-Substraten mit den hervorragenden Eigenschaften von 3C-SiC und eignet sich für MEMS, Sensoren, Dünnschichtgeräte und siliziumbasierte Integrationsforschung.

Zu den gängigen Strukturen gehören:

• 3C-SiC / Si
• 3C-SiC / SiO₂ / Si
• 3C-SiC-Dünnfilm auf Si-Substrat
• Angepasste Pufferschichtstruktur
• Kundenspezifische epitaktische Dickenstruktur

3C-SiC-Dünnschicht

3C-SiC-Dünnfilme können für die Mikro-/Nanofertigung, Ätzforschung, Sensorstrukturen, photonische Plattformen, Wellenleitergeräte und mechanische Tests von Dünnfilmen verwendet werden.

Unterschiedliche Dicken, Ausrichtungen, Oberflächenrauheiten und Substratstrukturen können je nach Kundenwunsch angepasst werden.

Maßgeschneiderte epitaktische Struktur

Kundenspezifische epitaktische 3C-SiC-Strukturen können gemäß den F&E-Anforderungen des Kunden bereitgestellt werden, einschließlich verschiedener Substrate, Filmdicken, Dotierungsarten, Widerstandsbereiche und Anforderungen an die Oberflächenverarbeitung.

Typische Spezifikationen

Produktvorteile

Geeignet für Hochtemperaturanwendungen

3C-SiC verfügt über eine gute Hochtemperaturstabilität und eignet sich für Hochtemperatursensoren, Hochtemperatur-MEMS, Motorüberwachung, Industriesteuerung, Luft- und Raumfahrtanwendungen und Erkennung rauer Umgebungen.

Geeignet für MEMS-Geräte

Aufgrund seiner hohen mechanischen Festigkeit, guten thermischen Stabilität und Korrosionsbeständigkeit ist 3C-SiC ein wichtiges Material für Hochtemperatur-MEMS und MEMS für raue Umgebungen. Es kann für Drucksensoren, Gassensoren, Resonatoren, Cantilever-Strukturen und mikromechanische Filme verwendet werden.

Geeignet für siliziumbasierte Integrationsforschung

3C-SiC auf Si kann mit siliziumbasierter Verarbeitungstechnologie kombiniert werden und eignet sich daher für Universitäten, Forschungsinstitute und Forschungs- und Entwicklungsabteilungen von Unternehmen, die an der Integration von SiC- und Si-Prozessen arbeiten.

Geeignet für optoelektronische und photonische Geräte

3C-SiC kann in optoelektronischen Geräten, integrierten photonischen Plattformen, UV-Detektoren, Wellenleiterstrukturen und neuen optischen Halbleitergeräten verwendet werden.

Geeignet für die Leistungshalbleiterforschung

Als Halbleitermaterial mit großer Bandlücke bietet 3C-SiC eine hohe Durchbruchfeldstärke, hohe thermische Stabilität und gute elektronische Eigenschaften. Es eignet sich für die Erforschung neuer Leistungsgeräte, MOS-Strukturen und Gerätezuverlässigkeit.

Unterstützt kundenspezifische Anforderungen

Wir können maßgeschneiderte 3C-SiC-Produkte entsprechend den Kundenanforderungen bereitstellen, einschließlich Wafergröße, Dicke, Ausrichtung, Leitfähigkeitstyp, Epitaxiestruktur und Oberflächenverarbeitungsstandards.

Hauptanwendungen

MEMS-Geräte

• Hochtemperatur-MEMS
• Drucksensoren
• Gassensoren
• Beschleunigungssensoren
• Resonatoren
• Auslegerkonstruktionen
• Mikromechanische Dünnschichtstrukturen

Optoelektronische und photonische Geräte

• UV-Detektoren
• LED-Forschung
• Optische Wellenleiter
• Integrierte photonische Plattformen
• Quantenphotonische Geräte
• Photonische Kristallstrukturen

Sensoranwendungen

• Hochtemperatur-Drucksensoren
• Sensoren für korrosive Gase
• Industrielle Umweltsensoren
• Luft- und Raumfahrtsensoren
• Elektronische Sensoren für Kraftfahrzeuge
• Sensoren zur Überwachung von Energieanlagen

Epitaxie und Materialforschung

• Forschung zum epitaktischen Wachstum von SiC
• 3C-SiC-Defektforschung
• Forschung zu Gitterfehlanpassungen
• Spannungsforschung in dünnen Schichten
• Heteroepitaxiale Strukturforschung
• Materialforschung mit großer Bandlücke

Unterschied zwischen 3C-SiC, 4H-SiC und 6H-SiC

4H-SiC und 6H-SiC sind gängige Siliziumkarbid-Polytypen, und 4H-SiC wird häufig in kommerziellen Leistungsgeräten verwendet. Im Vergleich dazu hat 3C-SiC eine kubische Kristallstruktur und zeigt einzigartige Vorteile in der Elektronenmobilität, dem epitaktischen Wachstum auf Siliziumbasis, MEMS-Geräten, Sensoren und der Forschung zu Dünnschichtgeräten.

In einfachen Worten:

• 4H-SiC wird häufiger für ausgereifte Leistungsgeräte verwendet;
• 6H-SiC wird in einigen optoelektronischen, Substrat- und Spezialanwendungen verwendet;
• 3C-SiC eignet sich besser für MEMS, Si-basierte Epitaxie, Sensoren, Dünnschichtgeräte, photonische Geräte und die Forschung an neuen Leistungsgeräten.

Daher ist 3C-SiC nicht einfach ein Ersatz für 4H-SiC. Die Auswahl hängt von der Gerätestruktur, der Prozessroute und dem Forschungszweck ab.

FAQ

1. Was ist 3C-SiC?

3C-SiC, auch kubisches Siliziumkarbid oder β-SiC genannt, ist ein Polytyp von Siliziumkarbid mit kubischer Kristallstruktur. Es bietet hervorragende thermische Stabilität, chemische Beständigkeit, mechanische Festigkeit und Halbleitereigenschaften.

2. Was ist der Unterschied zwischen 3C-SiC und 4H-SiC?

3C-SiC hat eine kubische Kristallstruktur, während 4H-SiC eine hexagonale Kristallstruktur hat. 4H-SiC wird häufig in kommerziellen Leistungsgeräten verwendet, während 3C-SiC häufig für MEMS, Sensoren, Si-basierte Epitaxie, Dünnschichtgeräte, Photonik und Materialforschung verwendet wird.

3. Welche Arten von 3C-SiC-Produkten können Sie anbieten?

Wir können 3C-SiC-Substrate, 3C-SiC auf Si-Wafern, 3C-SiC-Dünnfilme und kundenspezifische 3C-SiC-Epitaxiestrukturen entsprechend den Kundenanforderungen bereitstellen.

Über uns

ZMSH ist auf die High-Tech-Entwicklung, Produktion und den Vertrieb spezieller optischer Gläser und neuer Kristallmaterialien spezialisiert. Unsere Produkte dienen der optischen Elektronik und Unterhaltungselektronik. Wir bieten optische Komponenten aus Saphir, Linsenabdeckungen für Mobiltelefone, Keramik, LT, Siliziumkarbid SIC, Quarz und Halbleiterkristallwafer. Mit qualifiziertem Fachwissen und modernster Ausrüstung zeichnen wir uns durch die Verarbeitung nicht standardmäßiger Produkte aus und streben danach, ein führendes High-Tech-Unternehmen für optoelektronische Materialien zu sein.

Verpackungs- und Versandinformationen

Verpackungsmethode:

• Alle Artikel sind sicher verpackt, um einen sicheren Transport zu gewährleisten.
• Die Verpackung besteht aus antistatischen, stoßfesten und staubdichten Materialien.
• Für empfindliche Komponenten wie Wafer oder optische Teile setzen wir auf eine Verpackung auf Reinraumniveau:

1. Staubschutz der Klasse 100 oder 1000, je nach Produktempfindlichkeit.
2. Für besondere Anforderungen stehen maßgeschneiderte Verpackungsmöglichkeiten zur Verfügung.

Versandkanäle und voraussichtliche Lieferzeit:

• Wir arbeiten mit vertrauenswürdigen internationalen Logistikanbietern zusammen, darunter:

UPS, FedEx, DHL

• Die Standardvorlaufzeit beträgt je nach Zielort 3–7 Werktage.
• Informationen zur Sendungsverfolgung werden bereitgestellt, sobald die Bestellung versandt wurde.
• Expressversand und Versicherungsoptionen sind auf Anfrage verfügbar.