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Silikon-Karbid-Oblate
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4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate

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4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate

Markenbezeichnung: ZMSH
Modellnummer: 4 Zoll SiC Wafer
MOQ: 10 Stück
Verpackungsdetails: Allgemeines Paket
Zahlungsbedingungen: T/T
Ausführliche Information
Produkt-Beschreibung
Ausführliche Information
Herkunftsort:
China
Zertifizierung:
RoHS
Typ:
4h-n
Grad:
Dummy/Forschung/Produktionsqualität
Dicke:
350 μm±25 μm
Kette:
≤40 μm
Rauheit:
Ra≤1 nm
Durchmesser:
4 Zoll, 99,5 mm ~ 100,0 mm
Produkt-Beschreibung
4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate 4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate What are Silicon Carbide (SiC) Wafers & Substrates? Silicon Carbide (SiC) wafers and substrates are specialized materials used in semiconductor technology made from silicon carbide, a compound known for its high thermal conductivity, excellent mechanical strength, and wide bandgap. Exceptionally hard and lightweight, SiC wafers and substrates provide a robust
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