|
Detailinformationen |
|||
| Durchmesser: | 8 Zoll (200 mm) | Kristallrichtung: | 111 |
|---|---|---|---|
| Stärke: | 675 bis 775 μm | Widerstand: | 1-1000 Ω·cm |
| Dopingart: | P-artiges /N-type | Effektivwert: | < 1 nm |
| TTV: | < 20 μm | Wärmeleitfähigkeit: | Um die 150 W/m·K |
| Sauerstoff-Konzentration: | < 10 ppm | ||
| Hervorheben: | 8-Zoll-Si-Wafer,Doppelseitig polierte Si-Wafer,Einseitig polierte Si-Wafer |
||
Produkt-Beschreibung
8 Zoll Si Wafer Si Substrat 111 Polieren P Typ N Typ Halbleiter für Mikroelektromechanische Systeme (MEMS) oder Leistung Halbleitergeräte oder optische Komponenten und Sensoren
8-Zoll-Silizium-Wafer mit (111) Kristall-Orientierung
Die 8-Zoll-Siliziumwafer mit (111) Kristallorientierung ist ein wichtiger Bauteil in der Halbleiterindustrie, weit verbreitet in fortschrittlichen Anwendungen wie Leistungselektronik,Mikroelektromechanische Systeme (MEMS)Diese Wafer ist aus hochreinem Silizium gefertigt und bietet durch ihre einzigartige (111) Kristallorientierung spezifische elektrische, mechanische,und thermische Eigenschaften, die für bestimmte Halbleiterprozesse und Geräteentwürfe unerlässlich sind.
Was ist ein Silicon Wafer?
Ein Siliziumwafer ist eine dünne, flache Scheibe aus hochreinen Siliziumkristallen.Die Wafer unterliegt verschiedenen Verarbeitungsschritten wie Oxidation, Fotolithographie, Ätzen und Doping, um komplizierte Schaltungen zu erstellen, die in einer Vielzahl von elektronischen Geräten verwendet werden.
Kristallorientierung und ihre Bedeutung
Die Die Kristallorientierung einer Siliziumwafer bezieht sich auf die Anordnung der Siliziumatome im Kristallgitter.Die (111) Orientierung in Siliziumwafern bedeutet, daß die Atome innerhalb der Kristallstruktur in eine bestimmte Richtung ausgerichtet sind.Diese Ausrichtung beeinflusst wesentlich die physikalischen Eigenschaften der Wafer, wie Oberflächenenergie, Ätzercharakteristiken und Trägermobilität, die für die Optimierung der Leistung des Geräts entscheidend sind.
Vorteile der (111) Kristallorientierung:
- Verbesserte elektrische Eigenschaften: Die (111) -Ausrichtung bietet in der Regel eine bessere Wärmeleitfähigkeit und elektrische Leistung, insbesondere bei Leistungshalbleitern.
- Optimiert für Stromgeräte: Die Waferorientierung (111) wird in Leistungshalbleitergeräten aufgrund ihrer hohen Abbruchspannung, ihrer ausgezeichneten Wärmeablösung und ihrer Stabilität unter hohen Spannungen bevorzugt.
- Verbessertes thermisches Management: Der (111) -Kristall bietet eine bessere Wärmeleitung, die für Hochleistungsanwendungen wie Transistoren und Dioden unerlässlich ist.
- Bessere Oberflächenmorphologie: Die Oberfläche (111) weist tendenziell glattere Oberflächen auf, was für bestimmte Mikrofabrikationsverfahren und MEMS-Geräte ideal ist.
Spezifikationen der 8-Zoll (111) Siliziumwafer
- Durchmesser: Die 8-Zoll- (200 mm) Siliziumwafer ist eine Standardgröße, die in der Halbleiterherstellung verwendet wird.Kostenwirksamkeit für die Massenproduktion.
- Stärke: Die typische Dicke einer 8-Zoll (111) Siliziumwafer beträgt etwa 675-775 Mikrometer (μm), obwohl die Dicke je nach spezifischen Kundenanforderungen variieren kann.
- Widerstand: Der Widerstand der Wafer ist entscheidend für die Bestimmung ihrer elektrischen Eigenschaften..Der Widerstand kann auf die Anforderungen verschiedener Anwendungen wie Leistungselektronik oder Photovoltaikzellen zugeschnitten werden.
- Dopingart: Siliziumwafer können mit Verunreinigungen des P- oder N-Types wie Bor (P-Typ) oder Phosphor (N-Typ) bestrichen werden, um ihre elektrische Leitfähigkeit zu kontrollieren.N-Typ-Wafer werden aufgrund ihrer verbesserten Elektronenmobilität häufig für hocheffiziente Anwendungen wie Photovoltaik-Zellen bevorzugt.
- Oberflächenqualität: Die Oberfläche der Wafer wird bis zu einer extrem glatten Oberfläche mit einer Rauheit von weniger als 1 nm poliert.Dies stellt sicher, dass die Wafer für die in der Halbleiterherstellung erforderliche präzise Verarbeitung geeignet istDie Gesamtdickheitsvariation (TTV) beträgt typischerweise weniger als 20 μm und sorgt so für eine gleichmäßige Ausdehnung der Wafer.
- Flach oder mit Kerbe: Zur Erleichterung der Orientierung während der Verarbeitung des Geräts ist das Wafer typischerweise mit einem flachen oder eingeschnittenen Punkt an der Kante gekennzeichnet, der die Kristallorientierung von (111) anzeigt.Dies hilft bei der Ausrichtung der Wafer während der Photolithographie und Ätzerstadien.
Anwendungen von 8-Zoll (111) Siliziumwafern
-
Leistungshalbleitergeräte: Die 8-Zoll (111) Siliziumwafer wird in Leistungseinrichtungen wie Dioden, Transistoren und Leistungs-MOSFETs (Metall-Oxid-Halbleiter-Feld-Effekt-Transistoren) weit verbreitet.Diese Geräte sind für den Umgang mit Hochspannungen und Strömen in Anwendungen wie Elektrofahrzeugen (EVs) unerlässlich, erneuerbare Energiesysteme (wie Solar- und Windenergie) und Stromnetze.
-
Mikroelektromechanische Systeme (MEMS): MEMS-Geräte, die mechanische und elektrische Komponenten auf einem einzigen Chip kombinieren, profitieren aufgrund ihrer mechanischen Festigkeit, Präzision und Oberflächeigenschaften von der Orientierung (111).MEMS-Geräte werden in verschiedenen Anwendungen wie Sensoren verwendet, Aktuatoren, Beschleunigungsmessern und Gyroskopen, die in der Automobil-, Medizin- und Verbraucherelektronik zu finden sind.
-
Photovoltaik (Solar) Zellen: Die Orientierung (111) kann die Leistung von Silizium-basierten Solarzellen verbessern.Die hohe Elektronenbeweglichkeit und die effiziente Lichtabsorptionsfähigkeit der Wafer machen sie für hocheffiziente Solarzellen geeignet, bei dem das Ziel darin besteht, möglichst viel Sonnenlicht in elektrische Energie umzuwandeln.
-
Optoelektronische Geräte: Die (111) Siliziumwafer wird auch in optoelektronischen Geräten, einschließlich Lichtsensoren, Photodetektoren und Lasern, verwendet.Die hochwertige Kristallstruktur und die Oberflächeneigenschaften unterstützen die hohe Präzision, die für diese Anwendungen erforderlich ist..
-
Hochleistungs-ICs: Einige leistungsstarke integrierte Schaltungen (ICs), einschließlich solcher, die in HF-Anwendungen (Radiofrequenz) und Sensoren verwendet werden,Verwendung (111) orientierter Siliziumwafer zur Nutzung ihrer einzigartigen physikalischen Eigenschaften.
Anwendungsbild von Si-Wafer
Herstellungsprozess
Der Herstellungsprozess für eine 8-Zoll- (111) Siliziumwafer umfasst typischerweise mehrere Schritte:
- Kristallwachstum: Hochreines Silizium wird mit Methoden wie dem Czochralski-Verfahren geschmolzen und zu großen Einzelkristallen verarbeitet.
- Waferschneiden: Der Siliziumkristall wird in dünne, flache Scheiben des gewünschten Durchmessers geschnitten.
- Polieren und Reinigen: Die Wafer wird bis zu einer glatten, spiegelähnlichen Oberfläche poliert, um Oberflächenfehler und Verunreinigungen zu beseitigen.
- Inspektion und Qualitätskontrolle: Die Wafer werden mit modernen Messgeräten streng auf Defekte, Dicke und Kristallorientierung untersucht.
Schlussfolgerung
Die 8-Zoll- (111) Siliziumwafer ist ein hochspezialisiertes Material, das in verschiedenen fortschrittlichen Technologien eine entscheidende Rolle spielt.thermische, und mechanische Eigenschaften, die es ideal für Hochleistungs-Halbleitergeräte, MEMS, Photovoltaik und Optoelektronik machen.und Dopingart, kann diese Wafer auf die spezifischen Bedürfnisse verschiedener Anwendungen zugeschnitten werden und trägt so zum Fortschritt moderner Elektronik- und Energielösungen bei.